Шихта для выращивания монокристаллов оксида бериллия

 

Шихта для выращивания монокристаллов оксида бериллия из раствора-расплава, содержащая соединение бериллия и в качестве растворителя V2O5 и PbF2, отличающаяся тем, что, с целью повышения скорости роста и выхода монокристаллов изометрической формы, в качестве соединения бериллия шихта содержит смесь Be(OH)2 и BeСО3, взятых в соотношении, мас.%: Be(OH)2 - 66,7 - 71,5 BeСО3 - 28,5 - 33,3 и в количестве 16 - 24 мас.% по отношению к растворителю, соотношение компонентов в котором равно, мас.%: V2O5 - 60 - 70 PbF2 - 30 - 40



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к росту кристаллов, конкретно - к получению эпитаксиальных пленок оксидов металлов, обладающих стабильностью термоэлектрических свойств при высоких температурах, и позволяет повысить термическую устойчивость пленок за счет улучшения их структуры до эпитаксиальной
Наверх