Составной транзистор
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в оконечных каскадах усилителей мощности. Цель изобретения - уменьшение напряжения насыщения коллектор-эмиттер. Поставленная цель достигается тем, что в составной транзистор, содержащий транзисторы 1,2,3 введен транзистор 4, структура которого совпадает со структурой транзистора 1. Базовый ток составного транзистора перераспределяется между базами транзисторов 1,4 в зависимости от коэффициентов передачи тока базы транзисторов 2,3. Напряжение насыщения составного транзистора определяется соответствующими параметрами транзисторов 1,4, которые могут быть укреплены на общем радиаторе без изолирующих прокладок, что способствует облегчению теплового режима составного транзистора и увеличению максимальной рассеиваемой мощности. 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (19) (111
А1 (51)5 H 03 F. 3/19
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ П(НТ СССР
1 (21) 4250706/24-09 (22) 27.05 ° 87
;(46) 23.01.90. Бюл. М 3 (75) В.Л.Кузьменко (53) 621.375.026 (088,8) (56) Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы: Учеб. пособие для вузов.
M.: Энергоатомиздат, 1983, с.75, рис.3.7.
Патент Великобритании 1(1399530, кл. Н 3 Т, Н 03 Г 3/19, опублик.1972. (54) СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР (57) Изобретение относится к полупроводниковой электронике и м.б. использовано в оконечных каскадах усилителей мощности. Цель изобретения уменьшение напряжения насыщения коллектор - эмиттер. Поставленная цель
2 достигается тем, что в составной транзистор, содержащий транзисторы
1-3, введен транзистор 4, структура которого совпадает со структурой транзистора 1. Базовый ток составного транзистора перераспределяется между базами транзисторов 1 и 4 в зависимости от коэффициентов передачи тока базы транзисторов 2 и 3. Напряжение насыщения составного транзистора определяется соответствующими параметрами транзисторов 1 и 4, которые могут быть укреплены на общем радиаторе без изолирующих прокладок, что способствует облегчению теплового режима составного транзистора и р увеличению максимальной рассеиваемой мощности. 1 ил.
1538222 определяется соответствующими параметрами одиночных транзисторов 1 и 4.
Первый 1 и четвертый 4 транзисторы могут быть укреплены на общем радиаторе без изолирующих прокладок, что способствует облегчению теплового режима составного транзистора и увеличению максимальной рассеивамой мощности. формула изобретения
Составитель П.Дик
Рецактор И.Дербак Техред Л.Сердюкова Корректор Т.Иалец
Заказ 172 Тиран 648 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,!01
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в оконечных каскадах усилителей мощности.
Целью изобретения является умень5 шение напряжения насыщения коллекторэмиттер °
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема составного транзистора.
Составной транзистор содержит первый 1, второй 2, третий 3 и четвертый
4 транзисторы.
Составной транзистор работает следующим образом.
Базовый ток составного транзистора перераспределяется между базами первого 1 и четвертого 4 транзисторов в зависимости от коэффициентов передачи тока базы второго 2 и третьего
3 транзисторов. Если эти коэффициенты близки друг . другу и много больше 25 единицы, то базовые токи первого 1 и четвертого 4 транзисторов практически одинаковы, независимо от степени согласования этих транзисторов по входным характеристикам, Если коэффициенты передачи тока базы первого 1 и четвертого 4 транзисторов одинаковы, то эти транзисторы работают пример- но в равных условиях, т.е. рассеивают одинаковую мощность. Напряжение насыщения составного транзистора
Составной транзистор, содержащий первый и второй транзисторы одной структуры и третий транзистор другой структуры, при этом коллектор и эмиттер первого транзистора являются коллектором и эмиттером составного транзистора соответственно, эмиттер второго транзистора соединен с базой первого транзистора, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью уменьшения напряжения насыщения коллекторэмиттер, введен четвертый транзистор, структура которого совпадает со структурой первого транзистора, коллектор и эмиттер четвертого транзистора соединены соответственно с коллектором и эмиттером первого транзистора, а база - с коллектором третьего транзистора, база которого соединена с базой, а эмиттер - с коллектором второго транзистора, причем эмиттер третьего транзистора является базой составного транзистора.
