1. Генератор потока диссоциированных молекул, содержащий систему формирования магнитного поля, кварцевую камеру, размещенную в резонаторе с двумя соосными отверстиями, через которые внутренняя полость камеры при помощи двух трубчатых отводов сообщается с системой напуска газа и системой откачки, отличающаяся тем, что, с целью повышения доли диссоциированных молекул в потоке газа, система формирования магнитного поля выполнена в виде постоянного магнита, торцы полюсов которого параллельны торцам резонатора и перпендикулярны оси камеры, и пусковых катушек намагничивания, охватывающих резонатор и соосных камере, а оси трубчатых отводов перпендикулярны оси камеры и расположены в ее центральной плоскости.
2. Генератор по п.1, отличающийся тем, что торцы полюсов постоянного магнита являются внутренними торцовыми поверхностями резонатора.
Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии производства полупроводниковых микросхем
Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ядерных излучений
Изобретение относится к области пайки, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых приборов пайкой, и может быть использовано при изготовлении симисторов и тиристоров с обратной проводимостью
Изобретение относится к области производства силовых полупроводниковых приборов , в частности к способам изготовления приборов с присоединением контактных элементов пайкой, и позволяет повысить качество приборов и выхода годны.к
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых устройств, в частности, к способам защиты р-n переходов на планарной поверхности полупроводниковых кристаллов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании спектрального состава и плотности потока высокоинтенсивного излучения электрофизических установок, в частности линейных ускорителей, импульсных реакторов, где требуются детекторы с высоким временным разрешением, высокой радиационной стойкостью и высокой избирательностью детектора к жесткой части спектра излучения
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к устройствам для фотолитографических процессов, и может быть использовано при изготовлении микросхем
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых емкостных акселерометров
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при создании монолитных интегральных схем СВЧ и прежде всего схем миллиметрового диапазона длин волн, монтируемых в волноводный узел
Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и их конструкции и может быть использовано в приборостроении, радиоэлектронике и других областях техники
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых сенсоров с тонкими диэлектрическими мембранами (1-5 мкм)
Изобретение относится к области микроэлектроники
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных микромеханических датчиков: акселерометров, гироскопов и др
Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем
