Способ изготовления микросхемы
Изобретение позволяет улучшить качество микросхемы в результате улучшения физико-технологических характеристик гибкого полиимидного основания, изготавливаемого на технологической подложке из пластины кремния со слоем окисла. Способ изготовления микросхем включает нанесение полиимидного лака на пластину кремния в два этапа: первую дозу лака наносят центрифугированием, а затем с выдержкой не более 5 с на неподвижную подложку наносят вторую дозу лака поливом и выдерживают при комнатной температуре до растекания лака по всей поверхности подложки, после чего проводят сушку и полимеризацию лака. На полученном основании с помощью вакуумного напыления слоев и фотолитографии формируют тонкопленочную схему, после чего пластину кремния удаляют, стравливая окисел кремния плавиковой кислотой .
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве микросхем на гибких подложках. Целью изобретения является повышение качества микросхем за счет улучшения физико-технологических характеристик диэлектрического основания, что достигается двухэтапным процессом формирования толстого слоя полиммида на технологической подложке из пластины кремния со слоем окисла Сущность изобретения состоит в том, что полиимидный лак наносят на технологическую подложку в два приема: первую дозу лака наносят центрифугированием, а затем с выдержкой не более 5 с на неподвижную подложку наносят вторую дозу лака поливом и выдерживают при комнатной температуре до растекания лака по всей поверхности подложки, после чего выполняют сушку и полимеризацию лака. Центрифугирование первого слоя лака проводилось при различном времени t 0-32 с и при разном числе оборотов центрифуги 
1000, 2000, 3000, 4000 об/мин. Через 1 с методом налива подавалась вторая доза. Ниже представлена зависимость площади растекания (S,) второй дозы лака от времени центрифугирования первого слоя при разном числе оборотов центрифуги. 
Критическое время центрифугирования для разного числа оборотов центрифуги это максимальное время центрифугирования, при котором площадь растекания второй дозы лака равна 100% Результаты эксперимента приведены ниже, где показана зависимость площади растекания (S,) второй дозы лака от времени выдержки (
) между центрифугированием и подачей второй дозы для критических значений времени центрифугирования. 
Нижний предел времени подачи методом налива второй дозы лака АД-9103 определяется условиями нанесения первого слоя, т. е. зависит от времени центрифугирования (t', c) и числа оборотов ( , об/мин). Верхний предел времени между центрифугированием первой дозы лака АД-9103 и наливом второй дозы 
с. При увеличении этого времени уменьшается площадь растекания второй дозы лака. П р и м е р. На кремниевую пластину марки КДБ-10 диаметром 40 мм со слоем окисла толщиной 0,6 мкм наносят полиимидный лак марки АД-9103, после чего кремниевую пластину вращают на центрифуге со скоростью 1000 об/мин в течение 30 с. Затем через 4 с в центр кремниевой пластины, покрытой тонкой пленкой лака, подают 0,45 мл того же лака и выдерживают при комнатной температуре до растекания лака по всей поверхности. Затем отверждают лак при температуре 350oС в течение 6 ч. На полученной подложке с помощью стандартных процессов напыления и фотолитографии формируют тонкопленочную микросхему, после чего микросхему на полиимидном основании отделяют от кремниевой пластины путем стравливания окисла кремния в плавиковой кислоте. Толщина полиимидного основания составляет 40 мкм.
Формула изобретения
Способ изготовления микросхемы, включающий формирование диэлектрического основания путем нанесения слоя полиимидного лака на технологическую подложку, сушку слоя с последующей полимеризацией, формирование тонкопленочных элементов с помощью вакуумного напыления слоев и фотолитографии, удаление технологической подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества микросхем за счет улучшения физико-технологических характеристик диэлектрического основания, в качестве технологической подложки используют пластину кремния со слоем окисла, нанесение слоя полиимидного лака проводят в два этапа: на первом этапе лак наносят методом центрифугирования, а на втором этапе методом полива с промежуточной выдержкой между этапами в течение времени не более 5 с, причем после полива проводят выдержку до растекания лака по всей площади подложки.MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000
Извещение опубликовано: 20.03.2000
