Способ получения сверхпроводящей керамики на основе бариевого купрата

 

Изобретение относится к технологии керамических сверхпроводящих материалов на основе ба-г риевых купратов и может быть использовано в электронике, электротехнике, машиностроении для получения высокоплотных изделий с высокими сверхпроводящими характеристиками (критическая температура Т и температурный интервал - ДТ сверхпроводящего перехода). Целью изобретения является увеличение Т, уменьшение ДТ и упрощение способа путем исключения отжига в кислороде . Для этого порошок сверхпроводящего состава YBa CuO - (или YbBa Си О J засыпали в 2 3 7-02 3 7-6 матрицу пресс-формы нагревали на воздухе до температуры 810 - 910° С, затем прикладывали давление 300 - 600 МПа с выдержкой в течение 0,5 - 1,5 ч далее давление снимали и повышали температуры до 960 - 1000° С с выдержкой в течение 0,1 - 1,5 Ч затем охлаждали. При относительной плотности 96,1%, Т 99К;ДТ 0,8 К. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ CCCP)

Й," i j . j

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4415717/33 (22) 23.04.88 (46) 30.11.93 Бюл Ма 43-44 (72) Антонова В.В. Загоскин В.т; Квичко ПА; Литвиненко Ю.Г„Могилко Э.Т„Помазунов Ю.Ф„ Семиноженко ВЛ. (54} СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХЙРОВОДЯЩЕЙ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ БАРИЕВОГО

КУПРАТА (67) Изобретение относится к технологии керамических сверхпроводящих материалов на основе ба- риевых купратов и может быть использовано в электронике, электротехнике, машиностроении дпя получения высокоплотных изделий с высокими сверхпроводящими характеристиками (критическая (19) QJ (11) 1557950 А1 (51) С В 35 64 температура Т и температурный интервал — ьТ с с сверхпроводящего перехода), Целью изобретения является увеличение Т, уменьшение hT и упроc с щение способа путем исключения отжига в кислороде. Дпя этого порошок сверхпроводящего состава YBa Cu 0 (или YbBa Cu О ) засыпали в

2 э 7-б г э rб матрицу пресс-формы, нагревали на воздухе до температуры В10 — 910 С, затем прикладывали давление 300 — 600 Мпа с выдержкой в течение

О,б — 1,5 ч, далее давление снимали и повышали температуры до 960 — 1000ОC с выдержкой в течение 0,1 — 1,6 ч, затем охлаждали. При относитеъной плотности 96,Щ Т 99 К; ЬТ = 0,8 К 1 с с табл

1557950 го сплава ЭП и обработанную до 8 класса чистоты поверхности. Пресс-форму устанавливали в рабочее пространство пресса модели П472Б и нагревали на воздухе до температуры (Т1) 810-910ОС, затем прикладывали давление (Р) 300-690 МПа с выдержкой (t>) в течение 0,5-1,5 ч, после этого давление снимали, повышали температуру

10 до (Т2) 960-1000 С с выдержкой (т2} в течение 0,5-1,5 ч, затем охлаждали до 610 С со скоростью 60 С/ч, далее самопроизвольное охлаждение до комнатной температуры.

Примеры выполнения способа по срав15 нению с прототипом и уровень достигнутых свойств представлены в таблице. (56) А Amer, Ceram. Soc., 1987, 70, Q 12, с.

388-390.

Хим. Состав

Способ

Свойства

Технологические па амет ы

t1,÷ Т2, С

ЛТС, К фотн -

Р, МПа

Тс.к t2,×

1,0 960

1,0

450

Заявляе96,1

УВаСцзОт800

0,8

960

450

1,0

1,0

92,3

850

92,2

1,2

960

958

910

450

988 09

1 0 960

933

880

300

978 1,1

98,9 0,8

960

600

880

1,0

96,0

УВа2Сцз07960

Заявляе05

1,0

880

450

92,8

92,1

1,3

1,5 960

450

96,0

880

98.6

880

960

0.5

1,0

94,2

450

96,5

1,2

960

450

1,0

958

98,8

880

0,9

1,0 а 1000

94,2

98,2

880

450

1,0

1000

1,0

92,8

450

810

1,0

9,3

1,0

1000

450 870

1,0

94,5

97,1

1/360— 2,7

10- 40

90 — 92 1,8 — 2,2

97 — 99

По

YBazCwOr способу прототип

П р и м е ч а н и е:Для придания сверхпроводящих свойств полученным образцам требуется отжиг в кислороде, ®>, — относительная плотность

Тс, К вЂ” критическая температура сверхпроводящего перехода

ЛТс, К вЂ” температурный интервал сверхпроводящего перехода.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВО

ДЯЩЕЙ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ БАРИЕВОГО КУПРАТА, включающий засыпку порошка сверхпроводящего состава на основе бариевого куп рата в пресс-форму, 25 нагрев на воздухе, приложение давления и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения критической температуры перехода в сверхпроводящее состоя30

Изобретение относится к технологии керамических сверхпроводящих материалов на основе бариевых купратов и может быть использовано в электронике, электротехнике, машиностроении для получения высокоплотных изделий с высокими сверхпроводящими характеристиками (критическая температура и температурный интервал сверхпроводящего перехода).

Целью изобретения является увеличение критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние; уменьшение температурного интервала перехода и упрощение способа.

Для этого порошок сверхпроводящего состава т Ва2Сиз07- о (или УЬВа2Сцз07- д) засыпали в матрицу пресс-формы, выполненную на основе жаростойкого никелиевоние, уменьшения температурного интервала перехода и упрощения способа, нагрев проводят до температуры Т, равной

Tpasn 200 С Т Tpasn140 С, после чего прикладывают давление 300 — 600 МПа, выдерживают в течение 0,5 - 1,5 ч, снижают давление и нагревают до температуры начала разложения бариевого купрата с последующей выдержкой в те«ение 0,5 - 1,5 ч.