Материал для элементов электронного переключения


H01L29/28 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике, к материалам для электронных переключателей Изобретением является использование полифталоцианинов марганца, железа или меди в качестве материала для элементов электронного переключения При наложении электрического напряжения к таблетке, спрессованной из такого полимера , при температуре 100 - 150° С происходит переключение из состояния с электропроводностью и799 -10 Ом «см и энергией активации проводимости Е 0,1-0,5 эВ в состояние (Г и Е 0,001 эВ Полифталоцианины могут применяться в электронной промышленности для ячеек памяти. 5 ил

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (OIATKHT СССР) (21) 4416468/25 (22) 22.02.88 (46) 30.1 1.93 Бюл. % 43-44 (71) Институт химической физики AH СССР; Институт органической химии имНДЗелинского (72) Дулов АА; Абрамова ЛА; Шерле АИ„ Эпштейн

В.P. (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике, к материалам дпя электронных переключателей. Изобретением является использование полифталоцианинов марганца, железа или меди в ка(в) Я (и) 1559992 Al (51) H 1Ь29 28 честве материала для элементов электронного переключения. При наложении электрического напряжения к таблетке, спрессованной из такого полимера, при температуре 100 — 150 С происходит переключение из состояния с электропроводностью

-в -7 2 3 о==10 -10 Ом ° см и энергией активации проводимости Е -0,1-0,5 эВ в состояние со=10 - о Ом ° см и Е =4)001 эВ. Поли0 фталоцианины могут применяться в электронной промышленности для ячеек памяти 5 ип.

1559992

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в электронной промышленности.

Целью изобретения является повышение технологичности изготовления элементов электронного переключения при сохранении электрических свойств за счет

flpMMeHeHwl известных полифталоцианинов железа, меди или марганца в качестве материала элементов электронного переключения.

На фиг.1-5 представлены зависимости логарифма удельной электропроводности . от обратной температуры для ПФЦ-Мп-нр, ПФЦ-Fe-нф, ПФЦ-Fe-р, ПФЦ-Си-нф, ПФЦМп-нр соответственно.

Полифталоцианины железа, марганца и кобальта (ПФЦ-Ре, ПФЦ-Мп и ПФЦ-Со) как растворимые ленточной структуры; так и.нерастворимые плоско-сетчатые, хорошо известны. Они могут быть использованы в качестве катализаторов . некоторых окислительно-восстановительных реакций: окисления кумола, холестерина для получения 3 Р, 5а -холестандиола и т.д.

При создании элементов электронного переключения, которые могут быть использованы в запоминающих устройствах, исследовались полифталоцианины ряда металлов (ПФЦ-Ме):Zn, Nl, Co, Cu, Fe, Mn, взятые в виде нефракционированных продуктов (ПФЦ-Ме-нф) или s виде отдельных фракций, растворимых в диметилформамиде (П Ф Ц-Ме-р), ленточной структуры и нера створимых сшитых продуктов (ПФЦ-Ме-нр).

Из всех исследованных примеров переключение обнаружено только у ЙФЦ-СО-нф, ПФЦ-Fe-нф, ПФЦ-Fe-p, ПФЦ-Мп-нр, ПФЦ-.

Си-нр.

Переключение наблюдалось на хорошо спрессованных прочных таблетках диамегФормула изобретения

Применение полифталоцианинов следующей структурной формулы ром 5 мм и толщиной 0,3-1,5 мм при более низкой, чем для ПФЦ, температуре 100 1500 С.

Измерения проводили на образцах

5 ПФЦ-Ме> таблетированных под давлением

5-8 т/см (500-800 МПа), на постоянном токе в вакууме в режиме подьема температуры при фиксированной величине приложенно10 го электрического напряжения (в интервале

1-100 В).

На фиг.1-5 представлены зависимости логарифма удельной электропроводности от обратной температуры для ПФЦ-Мп-нр, 15 ПФЦ-Fe-нф, ПФЦ-Fe-p, ПФЦ-Ñu-нф (толщина таблеток 0,6-0,8 мм) и ПФЦ-Мп-нр (толщина таблетки 1,5 мм) соответственно.

Пример 1. 15 мг ПФ Ц-Мп-нр прессуют при давлении 5-8 т/cM и исследуют пол-е

20 ученные при этом таблетки диаметром 5 мм и толщиной 0,7 м (см. фиг.1).

Пример 2 аналогичен примеру 1, но

ПФЦ-Мп-нр заменяют на ПФЦ-Fe-нф (фиг.2).

Пример 3 аналогичен примеру 1, но

ПФЦ-Мп-нр заменяют на ПФЦ-Fe-p (фиг.3).

ll р и м е р 4 аналогичен примеру 1, во

ПФЦ-Мп-нр заменяют на ПФЦ-Ñu-нф (фиг.4).

Пример 5 аналогичен примеру 1, но вместо 15 мг берут 30 мг ПФ Ц-Мп-нр.

Соответственно, толщина таблетки при том же диаметре 5 мм составляет 1,5 мм (см. фиг.5), 35 (56) Костышев С.А., Шкун В.А, Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев, Наукова Думка, 1978, с.171, 187, Шерле А.И. и др. О некоторых свойствах ион-радикальных солей 7,7,8,8-тетрациан40 хинодиметана и ряда азотсодержащих полимеров. — Высокомолекуля рные соединения, 1974, 16А, М 9, с.2051.

45 гдеМ-Fe,п >2,а >1;

М=Мп, п>2, в>1;

М=со,п >2, 1, в качестве материала для элементов злект50- ровного переключения, с целью повышения технологичности при сохранении электрических свойств.

t559992

: Ю (к)

-lyd

5

Фиг Р с

2д 22 2Ф . 26 . О И и _#_

Фиа Р, . Ю / () 1559992

-lgG

20 22 Н 26 28 О 82 Ю фца f /Р /7(к) 2

-tgg

И 22 24 2б: О Риа Я

Составитель В.Юдина

Техред М.Моргентал

Корректор Е, Папп

Редактор Г.Бельская

Заказ 3336

Тираж Подписное

НПО "Поиск" Роспатента

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул,Гагарина, 101

Материал для элементов электронного переключения Материал для элементов электронного переключения Материал для элементов электронного переключения Материал для элементов электронного переключения 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике

Изобретение относится к области электронных приборов на основе полупроводниковых структур.

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для питания высокоомных цепей, имеющих емкостный характер

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для ввода сигналов в устройствах на основе приборов с зарядовой связью

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкциям формирователя сигналов изображения (ФСИ)

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике

Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к устройствам для электромагнитного воздействия на биологический объект и может быть использовано в медицине и ветеринарии для изменения биологической активности биологических объектов

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к материалам, воздействующим на электромагнитные поля с целью управления ими и их преобразования, и может быть использовано при создании гетероэлектриков с наперед заданными оптическими, электрическими и магнитными характеристиками

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для определения заданного уровня тока в диапазоне от 150 мА и выше

Изобретение относится к области химической технологии высокомолекулярных соединений

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к интегральным устройствам, работающим непосредственно от сетевого напряжения 220 В

Изобретение относится к области производства ИС, в частности, к конструированию и технологии высоковольтных ИС на подложке КСДИ
Наверх