Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью
Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью, включающий последовательное нанесение на подложку в едином вакуумном цикле сверхпроводящей пленки нижнего электрода, аморфной полупроводниковой пленки, легирование ее до вырождения на всю толщину атомами материала верхнего электрода, нанесение сверхпроводящей пленки верхнего электрода и формирование площади перехода методами тонкопленочной литографии, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров переходов, нанесение аморфной полупроводниковой пленки осуществляют в режимах, обеспечивающих относительную атомную плотность материала пленки не менее 5%, а нанесение сверхпроводящей пленки верхнего электрода осуществляют в режимах, обеспечивающих легирование аморфной полупроводниковой пленки на всю толщину атомами материала верхнего электрода.
Похожие патенты:
Изобретение относится к вычислительной технике и решает задачу повышения коэффициента модуляции амплитуды тока
Изобретение относится к области сверхпроводимости
Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов
Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов
Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике, а именно к способу изготовления устройства на основе эффекта Джозефсона
Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости
Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, геофизике, экологии, контроля парамагнитных примесей в нефтепродуктах и т.п
Изобретение относится к криогенной радиотехнике и может быть использовано для усиления электрических сигналов в гигагерцовом диапазоне частот
