Устройство для ионно-плазменного распыления ферромагнитных материалов
ССК33 СОВЕТСНИХ
СО!.!ИА ЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (51)5 С ."3 С !4/32
ОПКОАНКЕ ИЗСБРЕ ГЕЧ !Я
Н ABTGPCRGMV СВИДЕТЕЛЫ:ТВУ
2. (46) 07.02.92, Бюл. I! 5
ГОСУДАРСТБЕННЬ!Й НОМИТЕТ
ПО И306РЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГННТ СССР (21) 4434761/21 (22) 07„04,88 (72) К,В.Суладзе, Ю,Y.,Ðóáàíîâ, Т.Д.Сордия и В,А.Жданов (53) 621.793.!4 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
У 90!357, кл . С 23 С 13/12, 1979.
Патент ГДР У 2!6259, кл. С 23 С !5/ОО, 1984. (54) УСТРОЙСТВО ДНЯ ИОННО ПЛАЗ KHHOI"
РАСПЫЛЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к вакуум-. ной ионна плазменной технологии нане; сения покрытий ферромагнитных материалов и может найти г рименение в машиностроении, электронной„ химической и
Изобретение относится к вакуумной ионна=плазменной технологии нанесения покрытий и может найти применение в машиностроении для нанесения защитных покрытий.
Цель изобретения — повышение качества покрытия путем уменьшения примесей.
На чертеже схематически изображена конструкция предлагаемого устройства, разрез.
Устройство содержит распыляемую мишень 1 из ферромагнитного материала, например кобальта, закрепленную в водоохладаемом держателе 2. Мишень снабжена внешней тонкостенной втулкой 3, соединенной с мишенью с образованием глухогo замкггутого паза 4, В центральной части мишени выполнено глухое отверстие 5, соосно с которым полупроводниковой прага шглешго сти, Цель изобретения состоит в повышении качества покрытия путем уменьшения примесей в напыляемом слое. Для достижения этой цели в мишени 1 выполнено центральное глухое отверстие 5, соосно с которым установлен магггит б, закрепленный в водаохлаждаемом держателе ж шени 2„a замкнутый паз образован внешней втулкой 3, выполненной из магнитопроницаемога материала и соединенной с мишенью так, что ее г свободный торец расположен на уровне среза экра-;., а распыляемая поверхность мишени 1 выступает над торцом втулки. ил. закреплен магнит б. Мишень установлена в отверстии электроизолированного крана 7 с образованием кольце вой цели 8, причем торец втулки 3 и срез экрана 7 находятся на одном уровне, а рабочая часть мишени выступает над торцом втулки. Снаружи корпуса (анода ) 9 установл ены соленоиды О и ! . !!одттожкодержатель 12 служит для закрепления образцов.
Устройство работает следующим образом.
После подготовки к работе на мипень I подается отрицательное напряжение и между анодом 9 и миленью 1 поджигается вакуумная дуга. При помаши магнита 6 и вн-"шней BT ë! è 3 катодное пятно локализуется на р.,спыляемай поверхности мише..и и происка",:òã инте-:ñêçíoå ее распыление. Соленоидам!!
15808бб па рабочей поверхности мишени в течение длительного времени работы испарителя. Металлографический анализ по-! казал наличие однородной структуры без примесей материала конструкций катодного узла.
Составитель С,Мирсшкин
Редактор И.Кузнецова Техред И,Ходанич
Корректор C. {ерин
Заказ 1 303 Тираж Подписное
В НИ{ПИ с
И Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С СР
113035, Москва, Б-35, Раушская наб., д. 4/5 рсиэводстзеннс-издательский комбинат "Патент, г, Ужгород ул. Гагарина 101
10 и 11 обеспечивается формирование ускорение плазмы в сторону подлож" ксдержателл 12, После расходования выступающей над втулкой части мишени держатель мишени демонтируется иэ устройства вместе с мишенью и свободный торец втулки 3 подреэается для формирования выступа рабочей поверхs ности мишени над то{1цом втулки, 10
Предельные размеры центрального отверстия мишени определяются требуемой напряженностью магнитного поля, а превышение торца мишени над торцом втулки выбрано экспериментально: увеличение размера выступающей поверхности больше 0,25 толщины мишени способствует перемещению катодных пятен дуги на поверхность экрана и появлению примесей в пленке, а уменьшение указанного размера меньше 0,05 толщины мишени приводит к нестабильности горения разряда, Сравнительные испытания, проведенные на установке "БУЛАТ-6" с различны-25 ми конструкциями мишеней, показали, что данная геометрия обеспечивает стабильное удержание катсдных пятен дуги
Формул а изобретения
Устройство для ионно"плазменного распыления ферромагнитных материалов, содержащее мишень. закрепленную в держателе, электроиэолированный экран, размещенный с зазором от мйшени, и магнитную систему стабилизации разряда, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества наносимых покрытий путем уменыпения примесей, в геометрическом центре мишени выполнено отверстие диаметром с{, равным с1 = (0,1-0,3)D, rpe D — наружный диаметр мишени, и глубиной Ь, равной h = (0,9 — 0,95)Н, где Н вЂ” толщина мишени, соосно с мишенью установлен магнит, закрепленный в держателв, причем рабочий торец мишени расположен над экраном на расстоянии 1, равном 1 = (0,05-0,25)Н.
