Магнитооптический носитель информации

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано во внешних запоминающих устройствах ЭВМ. Цель изобретения - повышение эксплуатационных характеристик за счет расширения температурного диапазона функционирования магнитооптического носителя информации. Рабочий слой носителя информации выполнен в виде аморфной магнитной пленки состава SM 43,9 FE 49,1 BI 7,0, нанесенной на основу монокристаллического гадолиний-галлиевого граната GB 3GA 5O 12. Отношение сигнал/шум при вопроизведении составляет 60 дБ. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСГ1УБ ЛИК

09) ()1) рц С )1 В 7/24

20 А1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (2 1) 44 70994/2 4-10 (22) 23.05.88 (46) 30 ° 08 ° 90. Вюл. ¹ 32 (71) Симферопольское научно" произ водственное объединение механизации и автоматизации погрузочно-разгрузочных и складских работ "Оргтехавтоматиэация" (72) А.П.Гресько и В,Г,Коэленко (53) 681.84.083 ° 84(088.8) (56) J. Appl. Phys 1979, V.50, №11 р,7471-7475. (54) ИАГИИТООПТИЧ17СКИЙ НОСИТБ1Ь ИИФОРИАЦИИ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть HcooJIb зовано во внеыних запоминающих устройствах ЭВИ.

Цель изобретения — повышение эксплуатационных характеристик за счет расыирения температурного диапазона функционирования магнитооптического носителя информации.

Полученная магнитная пленка имеет температуру Кюри 280 С, Измеренный при комнатной температуре фактор каК . чества Q = — — --- — — где К вЂ” конс27M> танта анизотропии, равен 3,2, что свидетельствует о наличии в пленке одноосной перпендикулярной аниэотропии.

Угол фарадеевского вращения 0 + практически постоянен в диапазоне а 0 температур 0 — 250 С и равен 2,3 ..

2 (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано во внешних запоминающих устройствах ЭВИ. Цель изобретения — повышение эксплуатационных характеристик за счет расыирения температурного диапазона функционирования магнитооптического носителя информации, Рабочий слой носителя информации выполнен в виде аморфной магнитной пленки состава

Bi 1 0 нанесенной на основу монокристаллического гадолиний галлиевоro гранатà Gd Са О>z . Отношение сигнал/шум при воспроизведении составляет 60 дБ.

Высокую одноосную аниэотропию, перпендикулярную к плоскости пленки, и

Bb1coKvIo температурную стабильность обеспечивают ионы Sm u В1.. Бопь|цое фарадеевское вращение обеспечивают ионы Bi. 11ногократный нагрев до тем" пературы Кюри с переориентацией доМеННсН структуры в присутствии магнитного поля (25 циклов) показал, что магнитная пленка не теряет своих свойств и обладает высоким фарадеевским вращением в диапазоне температур от -40 до 250 С при температуре записи 280, что позволяет обеспечить о высокое отношение сигнал/шум. Применение в качестве подложки многокристаллического гадолинийгаллиезого граната обусловлено тем, что он имеет высокую температуру кристаллизации,. высокую однородность роста аморфной пленки на нем и отсутствие значительных упругих напряжений.

lI589320 ных мощностях лазерного луча на длине волны 0,63 мкм. Температура записи

280 С при внешнем магнитном поле 150 Э, Отношение сигнал/шум при воспроизведении на основе эффекта Фарадея б0 дБ.

Формула изобретения

Иагнитооптический носитель информации, содержаший рабочий слой в виде аморфной магнитной пленки, напыленный на основу, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повышения эксплуатационных характеристик за счет расширения температурного диапазона, рабочий слой выполнен в виде аморфной магнитной пленки состава, ат. Е:

В!

Ре

Sm

7,О

49,1

Остальное

Составитель О. Чечель

ТехРед М„)!ор! евтал, КоРРектоР C ° I !евкУн

Редактор А,Orap

3 аказ 3399 Тираж 485 Подписное

РчИИПИ Государственного комитетd !l(3 и обретениям и 0ткрыч ням при ГКНТ СССР

1 1303 5, Москва, Ж- <, Раушская наб ., ц . 4!5

Производ< твенно-издатепь< кий комбинат 1!агент", г,уж роя, у !. Гагарина, 101

Пример. Нанесение на подложку Gd>Ga<0 !> магнитного слоя

8m Ре а, Bi 0 производят методом ионноплазменного напыления в среде арф ф гонапри рабочемдавлении (5-8) 10 торр при. ускоряющем напряжен!!!и 3 кВ и токе распыления 2 А.. Скорость конденсации составляет 10 мкм/ч, температура охлаждаемой подложки -20 С, а pac" стояние мишень-подложка 150 мм, Тол щина напыленной пленки составляет

80 нм. Спиральные дорожки на рабочни слой формируют следующим образом: наносят слой фоторезиста, экспонируют рисунок с шагом 1,5 мкм и шириной

0 8 мкм, проявляют и затем через маску фоторезиста производят ионно-плазменное травление ионами аргона с энергией 500 эВ. Глубина протравленной канавки 40 нм. Так как пленку протравливают.при низких давлениях аргона, то даже не покрытая защитой . она не окисляется. Запись и воспроизводство осуществляют лазером при раза в качестве основы используют монокристаллический гадолинийгаллиевый

25 гранат О 1!с-а О °