Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия

 

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны λ = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t₃, выбираемый из условия t₃≥2t₂-t_экстр, где t₂ - момент времени, с которого уровень интенсивности отраженного от растущего буферного слоя излучения остается постоянным, t_экстр - момент времени регистрации последнего экстремального значения интенсивности отраженного излучения в процессе осаждения буферного слоя.