Способ получения щелочногалоидных^' кристаллов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 12с, 2

МПК В 010

Заявлено 03.!Ч,1963 (№ 828954/23-4) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.11.1965. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 25.II.1965

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

УДК 548.55(088.8) СПОСОБ

КРИСТАЛЛОВ

Подггисная гругг|га №,>9

Известными способами щелочногалоидные кристаллы получают из расплава следующим образом. По окончании выращивания кристаллов их охлаждают до температуры отжига, îт>кигают, и дальнейшее охлаждение ведут с постоянной скоростью. Получаемые этими способами кристаллы не обладают свойством поглощать ультразвук в заданной степени.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в расплав, из которого выращивают кристаллы, вводят примеси галоидных солей двухвалентных металлов, содер>кащих тот же анион, и охлаждение кристаллов после отжита ведут с переменной скоростью.

Для пояснения сущности предлагаемого способа приведен пример получения кристалла NBCI.

В расплав, из которго выращивают кристаллы, вводится примесь ЯгС1г.

После окончания выращивания кристалла (при Т вЂ” Т„) и охлаждения со скоростью

10 град)час до температуры То„г,г = Т„г— — 100 С его отжигают около двух суток

T 01 ß

Затем следует медленное охлаждение со скоростью 10 град/час до 500 С, после чего скорость охлаждения увеличивают или уменьшают в зависимости от заданной степени поглощения ультразвука и при достижении

10 250 С дальнейшее охлаждение ведут практически мгногенно.

Предмет изобретения

Способ получения щелочногалоидных кри15 сталлов выращиванием их из расплава и последующей термообработки, отличающийся тем, что, с целью придания кристаллу свойства поглощать ультразвук в заданной степени, в расплав вводят примеси галоидных со20 лей двухвалентных металлов, и охлаждение кристалла после отжига осуществляют с переменной скоростью.

Способ получения щелочногалоидных^ кристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов замораживанием при температурном градиенте на затравочный кристалл без использования растворителей и промышленно применимо для выращивания высококачественных монокристаллов большого диаметра, в том числе в условиях невесомости

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх