Способ записи информации на магнитную пленку

 

Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить скорость записи за счет эффекта прямого оптического намагничивания. Способ заключается в том, что пленку из магнитного материала с одноосной магнитной анизотропией намагниченную до насыщения, помещают во внешнее магнитное поле, направленное противоположно намагниченности насыщения пленки, облучают световым импульсом с длиной волны, соответствующей области прозрачности пленки, и с интенсивностью, превышающей значение соответствующей области прозрачности пленки, и с интенсивностью, превышающей значение I=CN<SB POS="POST">о</SB>/NM<SB POS="POST">S</SB>Θ(λ)ΔН, где C - скорость света

N<SB POS="POST">о</SB> - показатель преломления материала пленки

N - размагничивающий фактор области лазерной засветки

M<SB POS="POST">S</SB> - намагниченность насыщения пленки

Θ(λ) - магнитооптический параметр пленки

Δ(λ) - магнитооптический параметр пленки

ΔН - дополнительное магнитное поле, необходимое для перемагничивания облучаемого участка пленки.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st)s G 11 В 7/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

K ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4609840/24-10 (22) 06.10.88 (46) 23.10.90, Бюл. ¹ 39 (71) Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола и Ташкентский политехнический институт им. А,P.Áèðóíè (72) Б.А. Зон, В,Я. Купершмидт, M.Ë. Ланцузский, Г.В. Пахомов, Т,Т. Уразбаев и А.Я, Червоненкис (53) 681.84.083(088.8) (56) Звездин А.К., Котов В.А. Магнитооптика тонких пленок, — M.: Наука, 1988, с. 132 — 150. (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ НА

МАГНИТНУЮ ПЛЕНКУ (57) Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить скорость записи за счет эффекта прямого оптического намагничивания. Способ заключается в

Изобретение относится к области вычислительной техники, а в частности к оптическим постоянным запоминающим устройствам.

Цель изобретения — повышение скорости записи, Действие способа основано на обнаруженном эффекте, заключающемся в том, что лазерное излучение, воздействуя на феррит-гранатовые пленки, например (Lu, В!)з(Ре, ба)5 Ои, помещенные в магнитное поле, вызывает в облучаемом участке прямое оптическое намагничивание, т.е. действие, обратное известному эффекту

Коттона-Мутона, приводящему к изменению поляризационных характеристик света при распространении его в кристалле, помещенном в перпендикулярное направлению,, Ы, „1601640A1 том, что пленку из магнитного материала с одноосной магнитной анизотропией намагниченную до насыщения, помещают во внешнее магнитное поле, направленное противоположно намагниченности насыщения пленки, облучают световым импульсом с длиной волны, соответствующей области прозрачности пленки, и с интенсивностью, спО превышающей значение — ЛН, мр, а (Л) где с — скорость света, Bp — показатель преломления материала пленки; N — размагничивающий фактор области лазерной засветки;,и — намагниченность насыщения пленки; ОЯ вЂ” магнитооптический параметр пленки; Л Н вЂ” дополнительное магнитное поле, необходимое для перемагничивания облучаемого участка пленки. светового излучения магнитное поле. Установлено, что для возникновения обратного . эффекта Коттона-Мутона световое излучение не обязательно должно быть линейно поляризованным, Для осуществления записи необходимо, чтобы выполнялось условие: пленка должна быть прозрачна для данного излучения и интенсивность импульса должна превышать определенное значение.

При указанном условии и наличии внешнего магнитного поля Нс,, направленного противоположно намагниченности насыщения пленки, происходит перемагничивание облучаемого участка пленки, и это состояние сохраняется. т.е. происходит запись информации в виде "1" ("0" соответствует исходному состоянию намагниченности облучаемого участка). Считывание информа1601640 ции осуществляется так же, как и запись, при этом можно использовать, например, магнитооптический эффект Фарадея при прохождении считывающего пучка. Интенсивность считывающего луча должна иметь минимально необходимое значение для фиксации эффекта Фарадея. Быстродействие записи ограничивается временем магнитной релаксации. Для быстрорелаксирующих пленок это время не менее чем на порядок меньше времени, л имитируемого быстродействием термомагнитной записи, и скорость достигает

10 бит/с.

В качестве регистрирующего слоя используют эпитаксиальную пленку иэ магнитного материала с одноосной магнитной анизотропией с известными свойствами: показателем преломления п„, магнитооптическим параметром Q(k), намагниченностью насыщения р>, коэрцитивной силой Н . Помещают ее в магнитное поле напряженностью Н,, направленное противоположно намагниченности насыщения пленки, при этом должно выполняться условие

Но + Hp.,< Нс. Отсюда определяют ЛН ==

-=Нг. — ̈́— Hp, и определяют интенсивность импульса лазерного излучения для создания дополнительного магнитного поля АН, направленного одинаково с полем Н,> и Нр „-.

При облучении световым импульсом интенсивностью, превышающей значение I, происходит перемагни«ивание облучаемого участка пленки, и благодаря наличию внешнего магнитного поля и коэрцитивной силы это состояние будет стабильным, Превышение интенсивности импульса излучения Al должно быть минимальным, но достаточHblM для перемагничивания области засветки с учетом неравномерного распределения интенсивности по сечению лазерного пучка.

Пример 1. Берут образец, содержащий эпитаксиальную пленку (Lu, В1)з(Ге, Ga)60l2, выращенную на подложке галий-гадолиниевого граната ориентации (111), толщиной

5 мкм, имеющую следующие характеристики: по -2,2. О(() 10 Гс, 4щ(20 Гс, Н : = 40 Гс, Образец помещают во внешнее магнитное поле Н<> =- 15 Гс, Для тонких пленок Hp,--- 4 лр,, Отсюда Л Н ---5 Гс. Полагая N = 4л, находим — 33 10 Вт/см . Для

6 2 облучения используют лазерно-опт ическую систему, обеспе«ивающую минимально возможный диаметр пучка для обеспе«ения макгимальной пло. носги записи. Принил ая. что неоднородность распределения энергии излучения tlo сечению пучка в области засветки составляет - 307, лазерную систему настраивают на режим, обеспечиваю5 щий рабочую интенсивность излучения I

6 2 р

=I + 0,3 I = 43 10- Вт/см, и осуществляют запись.

Пример 2. Берут образец, содержащий эпитаксиальную пленку (Yb, Bi)QFe, Ga}60i2, 10 выращенную на подложке галий-гадолиниевого граната ориентации (111), толщиной-3 мкм. Характеристики пленки: по: 2,2, Q(iL) == 5 10 Гс, 4 и, 30 Гс, Нс -50 Гс.

Образец помещают по внешнее магнитное

15 поле Но = 17 Гс. Как и в предыдущем случае (пример 1) определяют ЛН = 3 Гс. Определяют 1=-2 64 10 эргlсм =2 64 . 10 Втlсм .

При тех же условиях, как и в примере 1, определяют рабочую интенсивность излу20 чения I> = 5 10 Вт/см и производят за6 2 пись.

Формула изобретения

Способ записи информации на магнитную пленку, при котором на носитель с ре25 гистрирующим слоем из материала с одноосной магнитной анизотропией воздействуют лазерным излучением во внешнем магнитном поле, направленном противоположно вектору намагниченности насыщения пленки, от л ича ю щи и с я тем, что, с целью повышения скорости записи, использую лазерное иэлу«ение с длиной вол н и, соот ветствую щей области прозрачности пленки, и с интенсивностью импульса, превышающей величину спо

Np QR где с — скорость света; п — показатель преломления магнит40 ной пленки;

N — размагничивающий фактор области лазерной засветки;

/г; намагниченность насыщения пленки;

4г

4 Q().) — м à r н и т о о и т и ч е с к и и и а р à,".. e т р пленки;

ЛН = Нс Но Higs

Н„- — коэрцитивная сила;

Нс — внешнее магнитное поле;

Нд,— магнитостатическое поле раз "агничивания, а в качестве регистрирующего слоя используют эпитаксиальную феррит-гранатовук> пленку, 55