Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов

 

Изобретение относится к технике контроля полупроводниковых материалов и может быть использовано для выходного и входного контроля на предприятиях-изготовителях и потребителях кремния. Цель изобретения - повышение точности путем снижения синфазной составляющей входного напряжения дифференциального усилителя . Устройство содержит токовые 1, 2 и потенциальные 3 4 зонды, источник 6 тока, операционный усилитель 7, буферные усилители 8, 9, дифференциальный усилитель 10, вольтметр 11, резисторы 12, 13. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sl)s G 01 R 27/08

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (5л

Ь3

00 ,О (21) 4491228/21 (22) 10.10,88 (46) 15.02.91. Бюл. М 6 (71) Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт средств контроля электронной аппаратуры и изделий электронной техники "Контрольприбор" (72) Л.В.Каменев, А.И.Федонин и E.Â,eèíê (53) 621.317(088.8) (56) Заявка Великобритании

ЬЬ 2156084, кл. G 01 и 27/08, 1984. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ,, Ж,, 1628011 А1 (57) Изобретение относится к технике контроля полупроводниковых материалов и может быть использовано для выходного и входного контроля на предприятиях-изготовителях и потребителях кремния. Цель изобретения — повышение точности путем снижения синфазной составляющей входного напряжения дифференциального усилителя. Устройство содержит токовые 1, 2 и потенциальные 3. 4 зонды, источник 6 тока, операционный усилитель 7, буферные усилители 8, 9, дифференциальный усилитель 10, вольтметр 11, резисторы 12, 13. 1 ил.

162801 второй резистор 13, инвертирующий вход

1пер ционного усилителя 7 обеспе аэет

Изобретение относится к технике контро ля полупроводниковых материалов и, вчастности, может быть использовано для выходного и входного контроля на предприятиях-изготовителях и потребителях кремния.

Цель изобретения — повышение точноподдержание на своем инвертирующем входе нулевого напряжения, Благодаря этому и

20 зэ счет равенства сопротивлений первого и второго резисторов на входах дифференциального усилителя 10 формируются равные по значению, но противоположные по знаку напряжения. Разность этих напряжений, выделяемая дифференциальным усилителем 10, пропорциональна информативному напряжению между потенциальными зондами, а следовательно, и удельному сопротивлению, причем синфазная составляющая входного напряжения дифференциального усилителя

10 практически равна нулю.

В результ те этого погрешность устройства, обусловгенная синфэзной составляющей входного напряжения дифференциального усилителя 10, также равна нулю. Это позволяет повысить точность измерения, сти

Составитель В, Ежов

Техред М,Моргентал Корректор А, Осауленко

Редактор А. Огэр

Заказ 339 Тираж 409 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

На чертеже привед на структурная электрическая схема устройства для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов.

Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов содержит первый 1 и второй 2 токовые, третий 3 и четвертый 4 потенциальные зонды, подключенные к контролируемому полупроводниковому материалу 5, источник F. тока, операционный усилитель 7, первый и второй буферные усилители 8 и 9, дифференциальный усилитель 10, волbTMетр 11, а также первый и второй резисторы 12 и 13, Источник 6 тока соединен с зондом 1, зонд 2 соединен с выходом усилителя 7. Неинвертирующий вход усилителя 7 соединен с общей шиной, инвертирующий вход соединен с общей точкой резисторов 12 и 13.

Зонды 3 и 4 соединены с входами усилителей 8 и 9 соответственно, выходы усилителей 8 и 9 соединены с входами усилителя 10 и входом резистора 12 и выходом резистора

13, выход усилителя 10 соединен с вольтметром 11, Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов работает следующим образом.

Источник 6 тока формирует через токовые зонды 1 и 2 заданное значение тока.

Операционный усилитель 7 за счет действия отрицательной обратной связи по цепи; выход операционного усилителя 7, второй то/ ковый зонд 2, контролируемый объект 5, третий потенциальный зонд 3, первый буферный усилитель 8, первый резистор 12, инввртирующий вход операционного усилителя 7, и по цепи; выход операционного усилителя 7, второй токовый зонд 2. контролируемый объект 5, четвертый потенциальный зонд 4, второй буферный усилитель 9, 25

Формула изобретения

У тройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материало», содержащее первый, второй токовые, третий и че- яертый потенциальные зонды, которые имею онтакт с исследуемым ïîлуп роводник ;-;ым материалом, источник тока, выход которого соединен с первым токовым зондом, а общий вывод — с общей шиной, первый и второй резисторы. соединенные последовательно, операционный усилитель, выход которого соединен с вторым токовым зондом, входы которого: неинвер ;рующий соединен с общей шиной, а инвертирующий — с выходом первого резистора, первый и второй буферные усилители, входы которых соответственно соединены с третьил1 и четвертым потенциальными зондами, дифференциальный усилитель, входы которого соединены с выходами первого и второго буферных усилителей, выход которого соединен с вольтметром, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности, вход первого резистора и выход второго резистора соответственно соединены с выходами первого и второго буферных усилителей.