Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур



 

Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. Исключает неконтролируемый сдвиг пластины и повышает за счет этого надежность устройства. Устройство содержит корпус с размещенной в нем подложкой. В корпусе выполнено углубление для фиксатора. Над подложкой размещены контейнер с емкостями для расплава. Между подложкой и емкостями установлена пластина, имеющая отверстие для подачи расплава к подложке и дополнительное отверстие для свободного размещения фиксатора. Контейнер имеет выступ, контактирующий с торцом пластины . 4 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (S1)S С 30 В 19/06

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И СКРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР! (21) 4607199/26 (22) 22. 11. 88 (46) 30.03.91. Бкп. N 12 (71) Физико-энергетический институт

АН ЛатвССР (72) В. О. Барисс и В. В, Силамикелис (53) 62 Г. 315. 592 (088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР

9 822588, кл. С - 30 В 19/06, 1979. (54) УСТРОЙСТВО. ДИ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР (57) Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур меИзобретение относится к технологическому оборудованию для получения полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофаэной эпитаксии.

Цель изобретения — исключение неконтролируемого сдвига пластины и повышение за счет этого надежности устройств а.

На фиг. i изображено устройство, разрез; иа фиг. 2 и 3 — относительное положение элементов устройства в процессе выращивания структур; на фиг. 4 — узел на фиг, 1.

Устройство содержит контейнер 1 с емкостями 2 для расплавов. Емкости

2 снабжены поршнями 3. В корпусе 4 в углублении 5 размещена подложка 6, а в углублении,7 с,наклонным дном— фиксатор 8. Между контейнером 1 и подложкой 6 установлена пластина 9, имеющая отверстие 10 для подачи рас"

„„SU„„1638219 A 1

2 тодом жидкофазной элит аксии. Исключает неконтролируемый сдвиг пластины и повышает эа счет этого надежность устройства. Устройство содержит корпус с, размещенной в нем подложкой.

В корпусе выполнено углубление для фиксатора. Над подложкой размещены контейнер с емкостями. для расппава.

Между подложкой и емкостями установлена ппастина, имеющая отверстие для подачи расплава к подложке и дополнительное отверстие для свободного размещения фиксатора. Контейнер имеет выступ, контактирукщий с торцом пластины. 4 ил. ппава 11 к подложке 6 и дополнитель- С, ное сквозное отверстие 12 для свободного размещения в нем фиксатора 8.

Контейнер 1 имеет выступ 13, контактирующий .с торцом пластины 9, и отверстие 14 для фиксатора 8. Корпус

4 имеет, выступ 15, ограничивающий перемещение ппастины 9, и емкость 16 для отработанного расплава. Корпус 4 М снабжен крьппкой 17 со скошенным краем. Перемещение контейнера l осущест- Cg) вляют штоком 18.

Устройство работает следующим образом.

Подложку 6 помещают в углубление

5 и накрывают ее пластиной 9, совмещая при этом отверстие 12 и углубле; ние 7. В них помещают фиксатор 8. На пластину 9 устанавливают контейнер 1, в емкости 2 которого помещают исходный материал для растворов-расппавов, а сверху размещают поршни 3. Устрой1638219 а

10

1Э ство закрывают крьппкой 17, помещают в реактор и выдерживают при заданной температуре для получения растворарасппава 11. Затем температуру понижают и приступают к выращиванию эпи5 таксиапьных слоев. Для этого штоком

18 контейнер 1 перемещают. Крышка 17 контактирует с поршнем 3 первой емкости 2. Раствор-расплав 11 через от- 0 верстие 10 поступает в камеру 19 роста, размещенную над подложкой 6. Избыток расплава 11 поступает в емкость

16. После выращивания первого слоя контейнер 1 перемещают до взаимодей1 ствия крышки 17 с поршнем 3 следующей емкости 2. Происходит замещение первого расплава вторым. Положение элементов устройства в этот момент показано на фиг. 2. После выращивания следующего слоя дальнейшим перемещением контейнера 1 совмещают отверстие

14, выполненное в нем, с отверстием

12 в пластине 9. Отверстие 14 выполнено так, что совмещение этого отверстия25 с отверстием 12 происходит одновременно при контакте выступа 13 контейнера 1 с торцом пластины 9. При дальнейшем перемещении контейнер l перемещает пластину 9, которая краями отверстия 10 удаляет раствор-расплав 11 с подложки 6. Фиксатор 8 выходит из углубления 7 и частично размещается в отверстии 14, а пластина 9 продвигается до выступа 15 корпуса 4. Положение элементов устройства показано на фиг. 3.

При необходимости использовать подложки различных размеров в корпусе 4 делают дополнительное углубление 20, в которое размещают сменную пластину

21 с углублением 5, соответствуницим размеру подложки 6. Сменную ппастину

21 фиксируют дополнительным фиксатором 22, который служит опорой фиксатора 8 (фиг. 4), Формула из о бр ет ения

Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии, содержащее контейнер с емкостями пдя расплавов,. снабженными поршнями, установленную под ним пластину с отверстием для подачи расплава к подложке, которая размещена в корпусе, имеющем углубление для установки фиксатора, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с.целью исключения неконтролируемого сдвиra пластины и повышения за счет этого надежности устройства, дно углубления для фиксатора выполнено наклонным, в пластине выполнено дополнительное сквозное отверстие для свободного размещения фиксатора и контейнер имеет выступ, контактирующий с торцом пластины.

) 638219

22 Ф н

Составитель Н.Давыдова

Техред Л.Сердюкоав Корректор Н.Ревская

Редактор А. Маковская

Заказ 904 Тираж 25б Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур, и может быть использовано при производстве светоизлучающих приборов

Изобретение относится к устройству для получения монокристаллических оксидных пленок путем жидкофазной эпитаксии и более конкретно, к устройству для получения путем жидкофазной эпитаксии монокристаллических оксидных пленок, таких как монокристаллические пленки магнитного граната, пригодные для применения в устройствах на магнитостатических волнах, ниобата лития, пригодные для применения в оптических устройствах

Изобретение относится к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных структур, используемых для производства полупроводниковых приборов

Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых структур, в частности для создания сверхрешеток

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов. Контейнер 3 с емкостями расположен под многосекционным держателем 14 подложек. Крышка 2 снабжена выступами для удаления излишков расплава. Устройство содержит дополнительные емкости 7 для части используемых расплавов, установленные над контейнером 3, каждая из которых снабжена крышкой 8 с грузом и отверстием с возможностью слива расплава в располагающийся ниже основной контейнер 3. Технический результат изобретения состоит в обеспечении подавления нежелательного взаимодействия примесей в разных ростовых расплавах между собой через газовую фазу, что приводит к повышению технических или электрофизических характеристик получаемых структур. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<х<0,33) методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле при температуре 500÷513°С на подложку Cd1-yZnyTe (0,02<y<0,06) с кристаллографической ориентацией поверхности (111)В±0,5°, расположенную горизонтально над слоем жидкой фазы высотой от 1 до 2 мм, в условиях принудительного охлаждения системы подложка/раствор на 6÷11°С, в зависимости от требуемой толщины эпитаксиального слоя, и предварительное растворение поверхностного слоя подложки в перегретом не более чем на 2° относительно температуры ликвидуса растворе на основе теллура, из которого проводится выращивание эпитаксиального слоя, при этом охлаждение системы проводят со скоростью снижения температуры 0,2÷0,5 град/мин, начиная с момента контакта подложки с перегретым раствором. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe диаметром до 50 мм без отклонения формы поверхности от формы поверхности подложки с высотой микрорельефа на поверхности эпитаксиального слоя не более 60 нм и разнотолщинностью эпитаксиального слоя по его площади не более 1 мкм при номинальном значении толщины в интервале от 10 до 20 мкм. 1 табл.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2013-03-28T11:24:00
Наверх