Устройство для жидкостной эпитаксии
Авторы патента:
Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом сдвига, включающее подвижной контейнер с емкостью для раствора цилиндрической или прямоугольной формы, установленной на подложкодержателе, имеющем ячейку для подложки, отличающееся тем, что, с целью улучшения однородности толщины получаемых слоев, в нижней части емкости выполнен вырез, имеющий в сечении форму сегмента.
Похожие патенты:
Устройство для жидкостной эпитаксии // 824694
Изобретение относится к устройству для получения монокристаллических оксидных пленок путем жидкофазной эпитаксии и более конкретно, к устройству для получения путем жидкофазной эпитаксии монокристаллических оксидных пленок, таких как монокристаллические пленки магнитного граната, пригодные для применения в устройствах на магнитостатических волнах, ниобата лития, пригодные для применения в оптических устройствах
Изобретение относится к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных структур, используемых для производства полупроводниковых приборов
Устройство для электрожидкостной эпитаксии // 1059031
Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1306175
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур, и может быть использовано при производстве светоизлучающих приборов
Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1638218
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев
Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии
Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1650798
Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых структур, в частности для создания сверхрешеток
Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1707090
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов
