Способ неразрушающего контроля намагниченности насыщения магнитных пленок

 

Изобретение относится к технике измерения магнитных параметров и может быть использовано для неразрушающего локального экспресс-контроля намагниченности насыщения пленок с осью легкого намагничивания , расположенной в плоскости пленки Цель изобретения - повышение точности измерений - достигается тем, что переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составляющей оптического сигнала проводят при использовании тангенциального магнитооптического эффекта. 2 ил

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 G 01 R 33/05

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4720560/21 (22) 17.07.89 (46) 15.11.91. Бюл. М 42 (72) А.Т. Михалевич, M.Ì, Червинский, С.Б.

Убизский,Ю,Е. Скицкий и А.О. Матковский (53) 621.317.44 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1443603, кл. G 01 R 33/05, 1984. (54) СПОСОБ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ НАСЫЩЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК

Изобретение относится к технике измерения магнитных параметров материалов и может быть использовано для неразрушающего локального экспресс-контроля намагниченности насыщения пленок с осью легкого намагничивания (ОЛН), расположенной в плоскости пленки, Целью изобретения является повышение точности измерений.

Поставленная цель достигается тем, что в способе, заключающемся в намагничивании пленки постоянным магнитным полем в нормальном к ее плоскости направлении, дополнительном воздействии переменным магнитным полем с амплитудой, меньшей намагниченности насыщения материала пленки, и определении намагниченнОсти насыщения в момент равенства нулю регистрируемой переменной составляющей сигнала, пропорционального магнитооптическому эффекту, дополнительное переменное маг. Ж 1691796 А1 (57) Изобретение относится к технике измерения магнитных параметров и может быть использовано для неразрушающего локального экспресс-контроля намагниченности насыщения пленок с осью легкого намагничивания, расположенной в плоскости пленки, Цель изобретения — повышение точности измерений — достигается тем, что переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составляющей оптического сигнала проводят при использовании тангенциального магнитооптического эффекта. 2 ил, нитное поле прикладывают В плоскости пленки с амплитудой, в 2-3 раза превышающей коэрцитивную силу материала пленки, и регистрируют переменную составляющую тангенциального магнитооптического эффекта — экваториального или меридионального эффекта Керра при использовании отраженного света или эффекта Фогта при использовании прошедшего света, Величина амплитуды модулирующего поля, в 2-3 раза превышающая коэрцитивность материала, определяется необходимостью перемагничивания пленки в ее плоскости для повышения чувствительности регистрации.

На фиг. 1 представлена зависимость экваториального эффекта Керра в пленке с

ОЛН, расположенной в ее плоскости от величины внешнего магнитного поля; на фиг, 2 — блок-схема устройства. реализующего способ.

1691796

ФЪю

Nuz2

Составитель Н.Романов

Редактор Н,Каменская Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор Э,Лончякова

Заказ 3926 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Контролируют эпитаксиальную пленку феррограната иттрия, выращенную на подложке гадолиний-галлиевого граната с ориентацией (111).

Образец освещают лучом лазера 1. Намагничивают образец постоянным магнитным полем Й. При этом вектор намагниченности ленки выходит из ее плоскости и разворачивается по направлению внешнего поля, Ьдновременное воздействие слабого переменного поля Й в плоскости пленки приводит к колебанию составляющей вектора намагниченности в плоскости пленки, что регистрируется при помощи экваториаль ного эффекта Керра с помощью фотоприемника 2. Когда постоянное магнитное поле развернет вектор намагниченности нормально к пленке, составляющая намагниченности в плоскости образца 3 исчезнет, и эффект Керра будет равен нулю. Поле насыщения определяют в момент равенства нулю эффекта Керра, Формула изобретения

Способ неразрушающего контроля намагниченности насыщения магнитных пленок, включающий намагничивание пленки

5 постоянным магнитным полем, перпендикулярным плоскости пленки, изменение величины этого поля, воздействие на пленку переменным магнитным полем с амплитудой, меньшей намагниченности насыщения

10 пленки, освещение пленки лучом поляризованного света, регистрацию оптического сигнала и определение величины намагниченности насыщения пленки в момент равенства нулю регистрирующей переменной

15 составляющей оптического сигнала, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения, переменное магнитное поле направлено в плоскости пленки, а регистрацию переменной составляющей

20 оптического сигнала проводят при использовании тангенциального магнитооптического эффекта.

Способ неразрушающего контроля намагниченности насыщения магнитных пленок Способ неразрушающего контроля намагниченности насыщения магнитных пленок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике измерений параметров магнитных материалов и может быть использовано для измерения параметров магнитных ферритовьгх пленок

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для неразрушающего контроля параметров магнитных пленок

Изобретение относится к магнитным измерениям

Изобретение относится к магнитометрам и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля и вектора магнитной индукции в науке, промышленности, медицине

Изобретение относится к электроизмерительной технике и, прежде всего, к магнитометрии

Изобретение относится к области электротехники, в частности к магниторезистивным считывающим элементам, и может быть использовано в компьютерной технике для считывания информации с магнитных носителей с высокой информационной плотностью, а также в сенсорной технике и автоматике

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения напряженностей магнитных полей, например, в геофизических исследованиях

Изобретение относится к электроизмерительной технике

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано для определения полей рассеяния микроскопических объектов, в частности магнитных головок

Изобретение относится к способам измерений параметров тонких магнитных пленок (ТМП) и может найти применение при научных исследованиях и технологическом контроле образцов ТМП, например, гранатовых эпитаксиальных структур

Изобретение относится к технике магнитных измерений и может быть использовано для изготовления сенсоров

Изобретение относится к технике контроля намагниченности насыщения ферритов на СВЧ
Наверх