Способ получения металлических аморфных материалов

 

Изобретение относится к способам получения металлических аморфных материалов и может быть использовано в металлургии для создания новых аморфных сплавов. Целью изобретения является расширение класса аморфных материалов. Способ включает облучение кристаллического материала, находящегося на границе фазового у - а перехода электронным пучком с энергиями электронов 2,5-21 МэВ и дозой 10 -1021 электрон/см2. 1 ил,

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з С 22 Е 3/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (21) 4699459/02 (22) 22.03.89 (46) 30.11.91, Бюл. М 44 (71) МГУ им. М.В.Ломоносова (72) Л.В.Никитин (53) 621,785.79(088.8) (56) Патент США М 4564395, кл. С 22 F 3/00, 1986.

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ АМОРФНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к способам получения аморфных металлических материалов и может быть использовано в металлургии для создания новых аморфных сплавов.

Целью изобретения является расширение класса аморфных материалов, получаемых с помощью облучения электронным пучком.

Il р и м е р. На чертеже приведены зависимости экваториального эффекта Керре(ЭЭК) от энергии квантов падающего света йв для исходного (кривая 1) и аморфного (кривые 2,3) состояния аустенитной хромомарганцевой стали Х12Г14Н4Ю2М облученной электронным пучком с энергией 7 МэВ и дозой 10 электрон/см при комнатной

19 температуре. Здесь же приведены зависимости ЭЭК от hm (кривые 4,5) для кристаллического а-состояния той же стали, полученного после аналогичной обработки электронами при высокой температуре

Т 750 С. Кривые 1,2,4 измерены при угле падения света p = 700, а кривые 3,5- р= 80 .

„„Я „„1694687 А1 (57) Изобретение относится к способам получения металлических аморфных материалов и может быть использовано в металлургии для создания новых аморфных сплавов. Целью изобретения является расширение класса аморфных материалов, Способ включает облучение кристаллического материала, находящегося на границе фазового y — а перехода электронным пучком с энергиями электронов 2,5-21 МэВ и дозой 10 — 10 электрон/см . 1 ил, Зависимости ЭЭК от ферромагнитной фазы, образующейся после электронной обработки при комнатной температуре, практически не зависят от hcu, что характерно для аморфных магнитных структур с отсут- ствием дальнего структурного порядка. Характерный для кристаллической а-фазы сплава магнитооптический резонанс в районе энергий квантов падающего света h со2 эВ появляется только при более высокой температуре облучения (Т 750 С). Исходный кристаллический сплав находился в немагнитном у-состоянии, поэтому экваториальный эффект Керре на нем был равен нулю(см. кривую 1). Только после обработки электронами сплав переходил в зависимости от температуры облучения в ферромагнитные аморфные или кристаллическое а-состояния.

Таким образом. предлагаемый способ получения металлических аморфных материалов позволяет расширить класс получа-. емых аморфных материалов за счет аморфизации кристаллических сплавов, имеющих полиморфные превращения, в ча1694687

Составитель Г. Дудик

Редактор Т. Пилипенко Техред М.Моргентал Корректор В. Гирняк

Заказ 4132 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 стности уже существующих кристаллических конструкционных материалов.

Формула изобретения

Способ получения металлических аморфных материалов, включающий облучение кристаллического материала электронным пучком, отличающийся тем, что, с целью расширения класса полученных аморфных материалов, в качестве кристаллического материала используют сплав состава, соответствующего границе фазового перехода, 5 а облучение ведут электронным пучком с энергиями электронов 2,5 — 21 МэВ и дозой

10 -10 электрон/см,