Способ создания пористости в кристаллическом материале
1. Способ создания пористости в кристаллическом материале, включающий облучение поверхности материала атомами гелия и отжиг, отличающийся тем, что, с целью управления характером пористости, в кристаллическом материале при температуре равной 0,01 - 0,3 температуры плавления, создают напряженное состояние, поверхность материала облучают атомами гелия энергией 50 - 1000 эв и электронами энергией (1 - 50) 
106 эВ или нейтронами энергией 102 - 5 103 эВ, далее облучают нейтронами энергией 105 - 1014 эВ или ионами энергией 104 - 108 эВ при температуре от гелиевой до 0,3 температуры плавления и проводят отжиг при температуре 0,3 - 0,6 температуры плавления и давления 1 - 105 бар.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что напряженное состояние получают созданием градиента температур.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что напряженное состояние получают созданием изгибающих напряжений, равных (0,1 - 1) предела упругости. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что напряженное состояние получают созданием растягивающих напряжений, равных (0,1 - 1) предела упругости. 5. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что атомами гелия облучают поверхность с большей температурой. 6. Способ по пп. 1 и 3, отличающийся тем, что атомами гелия облучают поверхность, находящуюся в сжатом состоянии. 7. Способ по пп.1 и 4, отличающийся тем, что атомами гелия облучают обе поверхности. 8. Способ по п.1, отличающийся тем, что операции облучения нейтронами или ионами и отжига повторяют.
