Способ изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 01.V11.1964. (№ 908497/26-9) 11л. 21с, 54О.;, с присоединением заявки №
ГосУдаРственный Приоритет
МПК Н Olс изобретения. E. Бондаренко, Заявитель Организация Государственного комитета по электронной технике СССР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОСТОЙКИХ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ
Предмет изобретения
Под пи сная группа Л 9l
Известны способы изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений, выполненных на плоской подогретой ситалловой подложке, термическим испарением металлосилицидного сплава в вакууме.
Цель изобретения — уменьшить разброс номиналов и повысить стабильность сопротивлений. Достигается это тем, что по предло>кенному способу напыление токопроводягцего слоя проводят в вакууме на плоскую ситалловую подложку, подогретую до температуры 340 — Зб0"С. Перед напылением испаритель с нанесенным на него испаряемым сплавом подвергают трехкратному отжигу в вакууме при температуре около 1750 С. После напыления подложки выдер>кивают в вакууме при температуре 340--3б0 С в течение 30,чин, затем производят окисление свободного кремния, содержагцегося в пленке, подвергая их воздействию атмосферы.
Способ позволяет существенно повысить стабильность параметров сопротивлений в процессе пх изготовления, снизить завал частотной характеристики в 2 раза (5 — 7%) по сравнению с известными способами, улучшить воспроизводимость номиналов сопротпглений (не хуже+ 10%).
Способ изготовления термостойкпх тонкопленочных сопротивлений для микросхем, вы10 полненных на плоской нагретой ситалловой подло>кке термическим испарением металлосилицидного сплава в вакууме, отгичагогцийся тем, что, с целью уменьшения разброса номиíàлов и повышения стабильности сопротпвле15 ний, перед напылением на пспарптель наносят слой пспаряемого сплава п производят трехкратный отжиг пспарптеля в вакууме прп температуре около 1750=С, а напыленные сопротивления выдерживают в вакууме при
2о температуре 340 — ЗбО=С в течение 30 тгин, после чего производят окисление свободного кремния, содержащегося в пленке, подвергая пх воздействию атмосферы.
