Способ изготовления системы дискретных

Авторы патента:

Э. И. Адирович, В. М. Рубинов, Ю. М. Юабов, П. К. Ощепков, Л. М. Дун, Н. И. Сиприкова , М. К. Рождественска

H01L31/18 - способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00)

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ч

Заявлено 19.IX.1964 (№ 921330/26-25) 2I o., 11о> с присоединением заявки №

Приоритет

МПК Н 01 l

Н Oll

УДК 539.234;621.315.592 (088.8) Комитет ло делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

Опубликовано 18.XI I.1965, Еполлетень ¹ 1

Дата опубликования описания 5.II.1966

Авторы изобретения Э. И. Адирович, В. М. Рубинов, Ю. М. Юабов, П. К. Ощепков, Л. М. Дун, Н. И. Сиприкова и M. К. Рождественская

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ ДИСКРЕТНЫХ

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

С ВЪ|СОКОЙ РАЗРЕШАЮЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ

Предмет изобретения

Известен способ изготовления системы дискретных фоточувствительных пленочных элементов на стеклометаллической пластине, напылением полупроводника в вакууме через маску, отверстия которой совпадают с электродами пластины.

Предлагаемый способ позволяет изготовить дискретные системы фоточувствительных пленочных элементов с высокой разрешающей способностью, не прибегая к технике масок.

Для этого на одну из поверхностей стеклометаллической пластины катоднhlì распылением наносят слой платины, затем пластину со стороны платины травят в коваровом травптеле.

Процесс травления длится 10 вЂ” 20 лик в зависимости от размеров электродов и требуемой глубины ячеек. Слой платины па стекле не стравливается.

Фоточувствительная пленка с аномально большим фотонанря?кением (афи-пленка) наносится на поверхность подготовленной стеклометаллической пластины испарением в вакууме, причем ось молекулярного пучка составляет с нормалью к поверхности острый угол. При этом участки фотослоя, ле?кащие на поверхности пластины, закорачиваются платиновым слоем, а на боковых поверхностях каждой ячейки образуется дискретный фоточувствительный элемент.

Прн пспользовгншп в качестве фоточувствительного слоя полупрогоднпковой пленки с аномально большим фотоняпряженнем при освещешш полученной системы генерируется эле1 .Тр1п".LcKoc напр я?кение ме?кд ка?Кдым Выводом элементарной ячейки н общим платиновым электродом.

Способ может найти применение в схемах микроэлектроники прн разработке преобразователей распределенных радиационных потоков в электрический потенцпальшш рельеф н устройств электрографпп.

Способ изготовления системы дискретных фоточувстьнтелгп ы.; пленочных элементов с высокой разрешающей способностью на стеклометаллической пластине с анпзотропной элсктропроводностью, or iuva>ou ui тем, что, с целью упрощения ее изготовления, на поверхность стеклометяллпческои пластины ня пыляют слой пlBTllltbI, затем пластину со стороны платины травят в коьаровом травнтеле, после чего наносят испарением в вакууме фоточувствительную пленку молекулярным пучк о и, н а и 1? я в л е н н г л и lI o Q $ l l o 3 1 5 1 е 11 b lll p 9 0 поверхности напь1ле1 ия.

Редактор И. Г. Карпас

Составитель О. Б. Федюкина

Текред T. П. Курилко Корректоры: Е. Д. Курдюмова и В. П. Федулова

Заказ 11/12 Тираж 1475 Формат бум, 60 90 18 Объем 0,07 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д. 2

Способ защиты рабочей поверхности солнечныхбатарей // 167263

Патент 156626 // 156626

Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления // 150951

Способ изготовления селеновых фотоэлементов // 124559

Индикатор инфракрасных лучей // 65683

Способ восстановления светочувствительности селеновых фотоэлементов // 62132

Способ изготовления медно-закисных фотоэлементов // 34659

Способ изготовления фото элементов // 29209

Способ изготовления кремниевых солнечных элементов // 2114491

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовления солнечных элементов (СЭ)

Способ стабилизации чувствительности импульсного генератора и устройство для его реализации // 2119213

Изобретение относится к приборам, состоящим из нескольких полупроводниковых компонентов, чувствительных к различным видам фотонного излучения, от оптического до гамма-излучения, преобразующих энергию этих излучений в электрическую энергию

Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент // 2122259

Изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, а также солнечному элементу, изготовленному этим способом

Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя // 2127009

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)

Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя из монокристаллического кремния // 2127471

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей (ФП)

Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя // 2127472

Способ изготовления полупроводникового лавинного фотодиода // 2127473

Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор // 2129744

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, а также касается получающегося в результате изделия для преобразования света в электричество

Солнечный фотоэлектрический модуль с концентратором и способ его изготовления // 2130669

Изобретение относится к гелиоэнергетике, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям с концентраторами солнечного излучения для получения тепла и электричества

Способ изготовления солнечного фотоэлектрического модуля // 2130670