Реверсивный составной транзистор

Авторы патента:

H01L29 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ, Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ !

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое о — авт, свидетельства М

Заявлено 16Х11.1964 (№ 911657/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 08.1,1966. Ьюллетсиь ¹ 2

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Дата опубликования огшсания 16.11.!96G

Автор изобретения

М. H. Фесенко

Заявитель

РЕВЕРСИВНЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР

Известные реверсивные составные транз;1сторы, состоящие из силового и управляющих транзисторов, характеризуются малым коэффициентом использования и не позволяют получить симметричную схему составного транзистора.

В предлагаемом транзисторе повышение коэффициента использования достигается шунтированием переходов силового транзистора управляющими транзисторами, эмиттеры которых подключены к базовому электроду силового транзистора, а эмиттерные переходы зашунтированы сопротивлениями или диодами.

Возможность же получеш1я симметричной схемы составного транзистора достигается использованием второго (вспомогательного) силового транзистора и обратным включением управляющего транзистора, шунтирующего коллекторный переход силового.

На чертеже приведена схема соединения описываемого транзистора.

Управляющие транзисторы 1 и 2 включены параллельно эмиттерному и коллекторному переходам силового транзистора 3. Эмиттеры управляющих транзисторов соединены с базовым электродом силового транзистора, а их эмиттерные переходы зашунтированы сопротивлениями 4 (или диодами).

При подаче сигнала управлен«1я указанной на чертеже полярности проводящее направление силового транзистора — от коллектора к эмиттеру, Ilpll изменении полярности — от эмиттера к коллектору.

Для получения реверсивного составного транзистора с одинаковыми коэффициентами усиления в обоих напраьлениях неооходимо управляющие транзисторы выбирать так, чтобы получить следующее равенство: (1 — и„) ° (1 — а ) = (! — а„) (1 — a,l), где и„— коэффициент усиления по току для прямого направления; и„— то же, для обратного направлеш1я; и, и аз — коэффициенты усиления по току управляющих транзисторов 1 и 2.

С целью получе1шя симметричного реверсивного составного транзистора, управляющий транзистор 2, шуитирующий коллекториый переход силового, включен в обратном направлении. а параллельно силовому в обратном направлешш включен второй силовой транзистор 5.

Предмет изобретения

1. Реверснвиый составной транзистор. состоящий 113 с«лоноl о 11 3 Hpé«ляlоьцих тр 1113«сторов, отличаlolöøêë тем, что, с целью повышения коэффициента использования транзистора, управляющие транзисторы включены параллельно эмиттерному ll коллекторному

30 переходам силового транзистора, эмиттсры

177990

Составитель Ю. Козлов

Редактор Л. А. Ильина Техред Т. П. Курилко Корректоры: Е. Д. Курдюмова и О. И. Попова

Заказ 20$/2 Тираж 1475 Формат бум. 60><90 / Объем 013 из, . л. П

ЦНИИПИ К в в изд. л, .одписное

ПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр, Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д. 2 управляющих транзисторов соединены с базовым электродом силового транзистора, а эмиттерные переходы этих транзисторов зашунтированы сопротивлениями или диодами.

2. Транзистор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения симметричного реверсивного составного транзистора, управляющий транзистор, шунтирующпй коллекторный переход силового транзистора, включен в обратном направлении, а параллельно этому силовому

5 транзистору в обратном направлении включен второй силовой транзистор.

Реверсивный составной транзистор Реверсивный составной транзистор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом

Варактор // 2102819
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к варакторам (варикапам) полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к приборам с барьером Шоттки (БШ) на фосфиде индия (InP)

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных схем (ИС) большой степени интеграции
Наверх