Интегральная схема в герметичном корпусе

 

со!оз сОВетских социдлистических

РЕСПУЬЛИК (ы)з Н 01 1 21/52

ГосудАРстВенный комитет по изоВРетениям и откРытиям

ПРИ ГКНТ СССР

17

ОПИСАНИЕ ИЗОБР =ТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4730560/21 (22) 14.08.89 (46) 23,12.91. Бюл. М 47 (72) Н.А.Бобровников, В.Т.Рябиков, И.А,Тучинский и А.Г.Шеревеня (53) 621.382(088.8) (56) Блинов Г.А. Гибридные интегральные функциональные устройства. — M.: Высшая школа, 1987, с. 85-87.

Патент Великобритании 5& 2157494, кл.11

01 L 21/52, 1985. (54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА В ГЕРМЕТИЧНОМ КОРПУСЕ

„„SU „„1700639Al (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, Цель изобретения — уменьшение массы и габаритов. Интегральная схема содержит полупроводниковый кристалл 1 с контактными площадями 2, помещенный на основании.3 корпуса, ленточные выводы 4 из алюминия, введенные внутрь корпуса через стеклоприпой 5 и снабженные эластичной подкладкой

7, и крышку 6. Конструкция позволяет уменьшить массу и габариты в 1,2 — 5 раз.

1 ил.

1700639

Составитель Е. Панов

Редактор Н. Лазоренко Техред M.Mîðãåíòàë Корректор Н, Король

Г

Заказ 4472 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101

Изобретение относится к микроэлектрони :е и может быть использовано при изготовлении интегральных схем с ограничениями по массе и габаритам, Целью изобретения является уменьшение массы и f.àáàðèòoâ.

HB чертеже показана интегральная схема.

Интегральная схема состоит иэ кри,сталла 1 с контактными площадками 2, раз мещенного в гнезде основания 3 корпуса, ленточных выводов 4, герметично введен::ных в корпус через стеклоприпой 5 и соеди1неннь1х с контактными площадками 2, и

:крышки 6, соединенной с основанием 3 слоем стеклоприпоя 5, причем ленточные выводы 4 выполнены из алюминиевой фольги толщиной 15-35 мкм, а нижняя поверхность выводов 4 в месте входа в корпус соединена со стеклоприпоем 5 через полимерную прокладку 7, частично размещенную в стеклоприпое 5. Выводы иэ алюминиевой фольги, проходящие через стеклоприпой, не нарушают герметичности корпуса, несмотря на существенное различие в их коэффициентах термического расширения (КТР). Это происходит благодаря тому, что толщина выводов не превышает 35 мкм, в этом случае предел текучести алюминия меньше напряжений, соэн;:;.,:ающих в контактных слоях при перепадах температур, т,е. меньше величин напряжений, вызванных разностью КТР материалов стеклоприпоя и выводов.

Кроме это о, такая толщина выводов позволяет присоединять их к кристаллу ультразвуке:»oA сваркой без модификации контактных площадок, Экспериментально

1 Qтаип1ВЛ - ;НО. Чте ПРИ "1"ОЛЩИНЕ ВЫВОДОВ СВЫ ше 35 мкм невозможно получить ненапряженные герметичные спаи с легкоплавким стеклом. Толщину меньше 15 мкм получить сложно„увеличивается трудоемкость изготовления.

Кроме того, с целью повышения надежности интегральной схемы под выводы дополнительно введена полимерная прокладка, одним концом запрессованная в стеклоприпое, Герметичность изделия она не нарушает, так как не проходит через весь стеклоприпой, Введение полимерной прокладки под выводами повышает стойкость

5 их к перегибам в 3-10 раз, Пример. Основание и крышка корпуса выполнены из кристаллиэирующегося стекле ПГБ — 30, 175А.027.002 ТУ, Стеклоприпой

С67-1 (KTP 67 иЗ 107K ТХ0.027.030 ТУ

10 или С67-2 (KTP 66 и 3 10 К ) TX0.027,036 ТУ, Выводы из алюминиевой фольги АД1-М вЂ” 02

ГОСТ 628-73 (КТР 238 + 3 10 К ). Эластичная полимерная прокладка иэ лакофольгового диэлектрика Ф ДИАП-50.

15 Экспериментальные образцы изделий данной конструкции выдерживают без потери работоспособности и герметичности более 800 циклов изменения температуры от

-60 до +125 С, воздействия относительной

20 влажности 98 g, при температуре 40ОС в течение 10 сут, механические нагрузки в виде линейного ускорения 20000О, синусоидальной вибрации в диапазоне частот 10-5000

Гц амплитудой 40 ударов с длительностью

25 действия ускорения 1 — 5 мс и пиковым ударным ускорением 150 .

По сравнению с известными интегральнымии схемами и редла гаемая конструкция обеспечивает уменьшение габаритных раз30 меров в 1,2 — 5 раз.

Формула изобретения

Интегральная схема в герметичном корпусе, содержащая кристалл с контактными

35 площадками, размещенный в гнезде основания корпуса, ленточные выводы, герметично введенные в корпус через стеклоприпой, соединенные с контактными площадками, и крышку, соединенную с ос40 нованием слоем стеклоприпоя, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью уменьшения массы и габаритов, ленточные выводы выполнены из алюминиевой фольги толщиной

5 — 35 мкм, а нижняя поверхность выводов

45 в месте входа в корпус соединена со стеклоприпоем через полимерную прокладку, частично размещенную в стеклоприпое.

Интегральная схема в герметичном корпусе Интегральная схема в герметичном корпусе 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки на воздухе без применения защитных сред
Изобретение относится к области изготовления мощных полупроводниковых приборов и БИС путем безфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формиргазе и др
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем
Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки

Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния
Наверх