Силовой полупроводниковый узел

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при конструировании силовых транзисторов. Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия. Конструкция силового полупроводникового прибора содержит ступенчатую эмиттерную токоотводящую шину 4, прижимаемую усилием тарельчатых пружин 13 через изолятор 12 посредством прижимной шайбы 10, болтами 11с регулировкой усилия прижима к эмиттерным областям структуры силового транзистора 2 через молибденовую маску 3. Шина 4 имеет боковое отверстие 7 для базового вывода 6. На верхнюю ступень эмиттерной шины 4 припаяна коллектором структуры управляющего низковольтного транзистора 5. На изоляторе 9 припаяны диодные структуры 8. Новым в конструкции силового полупроводникового прибора является выполнение токоотводящей эмиттерной шины силового транзистора в форме ступеньки, на верхнюю ступень которой напаян низковольтный быстродействующий транзистор, что позволяет разместить все элементы прибора в едином корпусе. 1 ил. сл С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 1 23/04

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4796446/21 (22) 28.02;90 (46) 23.03.92. Бюл. М 11 (71) Научно-производственное объединение

"Транзистор" (72) А.А.Варданян и К,В.Манасян (53) 621.3,396 (088.8) (56) Чен Д.П., Джексон Г. Повышение устойчивости-силовых транзисторов к вторичному пробою при обратном смещении путем отключения по эмиттеру, — ТИИЭР, 1980, т.

68, М 10, с. 212-213. (54) СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ

УЗЕЛ (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при конструировании силовых транзисторов. Цель изобретения — повышение надежности и быстродействия. Конструкция силового полупроводникового.. Ж 1721667 А1 прибора содержит ступенчатую эмиттерную токоотводящую шину 4, прижимаемую усилием тарельчатых пружин 13 через изолятор 12 посредством прижимной шайбы 10, болтами 11 с регулировкой усилия прижима к эмиттерным областям структуры силового транзистора 2 через молибденовую маску 3.

Шина 4 имеет боковое отверстие 7 для базового вывода 6. На верхнюю ступень эмиттерной шины 4 припаяна .коллектором структуры управляющего низковольтного транзистора 5. На изоляторе 9 припаяны диодные структуры 8. Новым в конструкции силового полупроводникового прибора является выполнение токоотводящей эмиттерной шины силового транзистора в форме ступеньки, на верхнюю ступень которой напая н низковол ьтн ый быстродействующий транзистор, что позволяет разместить все элементы прибора в едином корпусе. 1 ил.

1721667

Формула изобретения

Составитель С, Манякин

Редактор И. Дербак Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор И. Муска

Заказ 957 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат *Патент", r. Ужгород, ул, Гагарина, 101

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при конструировании силовых транзисторов.

Цель изобретения — повышение надежности и быстродействия, На чертеже представлена конструкция силового полупроводникового узла.

Узел содержит основание 1 с установленными на нем силовой транзисторной структурой 2, эмиттер которой соединен через молибденовую кольцевую шайбу 3 с медным электродом 4, на выступе которой закреплена низковольтная быстродействующая транзисторная структура 5, при этом соединяющая шина 6 базы силовой транзи-. сторной структуры расположена в отверстии 7, выполненном в боковой части медного электрода 4, диодную цепь 8, закрепленную через изолятор 9 на внешней поверхности кольцевого упора 10, установленного с помощью болтов 11 через изолирующую шайбу 12 и пружину 13 на основании 1, при этом пружина 13 расположена между кольцевым упором 10 и изолирующей шайбой 12, установленной в проточке электрода 4.

Используя в качестве обьекта серийно выпускаемые силовые транзисторные и диодные структуры типа ТК и ДЧ, установленн ы е в ко н ст ру к ц и и предлагаемого ., полупроводникового узла, где медный электрод 4 силовой транзисторной структуры 2 одновременно выполняет роль коллекторного токоотвода для структуры низковольтного быстродействующего транзистора 5, получают условие равенства прямого коллекторного и обратного базового токов(!» =

=! Б.обр) силовой транзисторной структуры 2 при его отключении по эмиттеру, и, как следствие, достигая максимальное быстродействие и надежность;

Силовой полупроводниковый узел, содержащий основание с установленными на

5 нем силовой транзисторной структурой, низковольтной быстродействующей транзисторной структурой, диодной цепью и соединяющие токопроводящие шины, причем анод диодной цепи соединен с эмиттером

10 низковольтной быстродействующей транзисторной структуры, катод — с базой силовой транзисторной структуры, а эмиттер силовой транзисторной структуры соединен с коллектором низковольтной быстродейст15 вующей транзисторной структуры, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности и быстродействия, введены молибдвнавая кольцевая шайба, одной стороной соединенная с эмиттером силовой

20 транзисторной структуры, а другой — с одной из токопроводящих шин, выполненной в виде медного электрода в форме перевернутого стакана с внешней кольцевой проточкой в верхней части, на выступе которой

25 закреплена низковольтная быстродействующая транзисторная структура, изолирующая шайба с пружиной, изолятор и кольцевой упор, установленный с помощью болтов на основании, при этом изолирую30 щая шайба установлена в проточке электрода, а пружина расположена между изолирующей шайбой и кольцевым упором, при этом соединяющая шина базы силовой полупроводниковой структуры располо>ке35 на в отверстии, выполненном в боковой части медного электрода, ее диодная цепь закреплена через изолятор на внешней поверхности кольцевого упора, а диаметр выступа электрода выбран равным диаметру

40 низковольтной быстродействующей транзисторной структуры,