Растровое устройство для анализа структуры объекта

 

РАСТРОВОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АНАЛИЗА СТРУКТУРЫ ОБЪЕКТА

Изобретение относится к лучевому оптическому приборостроению. Целью изобретения является повышение точности определения химического состава твердых объектов путем обеспечения возможности послойного анализа непосредственно в приборе. Устройство содержит последовательно расположенные по оптической оси усточник ионов, системы формирования и сканирования пучка и столик объектов. В Рлок-схему дополнительно введены блок памяти, программатор , регулятор мощности пучка и аналого-цифровой преобразователь. Выходы программатора соединены с блоком регистрации, блоком памяти, генератором разверток и регулятором мощности пучка. Устройство обеспечивает три режима работы: анализ с помощью масс-спектрометра, испарение , когда снимается слой материала , и подготовка к анализу, когда с поверхности снимается осажденный после испарения слой. Это позволяет определять послойное распределение химических элементов и получать трехмерную информацию. 3 ил. (О (Л

„,80„„1737558

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (1) Н 01 1 37/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 1 ll q Щ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

° ПРИ ГКНТ СССР

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1. (21) 4753 73 5/21 (гг) 28.07.89 (46) 30.05.92. Бюл. Г 20 (71) Научно-производственное объединение "Орион" Научно-исследовательского института электронной и ионной оптики (72) Е.П.Бочаров (53) 621.385.833(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 1019520, кл. Н 01 1 37/28, 1982 °

Берниус, Моррисон. Вторично-ионная микроскопия с анализом по мас.— се.- Приборы для научных исследований, 1987, Р" 10, с.6. (57) РАСТРОВОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АНАЛИЗА .СТРУКТУРИ ОБЪЕКТА (57) Изобретение относится к лучевому оптическому приборостроению.

Целью изобретения является повышение точности определения химического состава твердых объектов путем обеспечения возможности послойного

° Изобретение относится к лучевому оптическому приборостроению и может быть использовано в микроэлектронике, кристаллографии и управлении технологическими процессами на уровне микроструктур.

Целью изобретения явпяется повы"шение точности определения.химического состава твердых объектов путем обеспечения возможности послойного анализа непосредственно в yctройстве.

2 анализа непосредственно в приборе.

Устройство содержит последовательно расположенные по оптической оси источник ионов, системы формирования и сканирования пучка и столик объектов. В блок-схему дополнительно введены блок памяти, программатор, регулятор мощности пучка и аналого" цифровой преобразователь.

Выходы программатора соединены с блоком регистрации, блоком памяти, генератором разверток и регулятором мощности пучка . Устройство обеспечивает три режима работы, анализ с помощью масс-спектрометра, испарение, когда снимается слой материала, и подготовка к анализу, когда с поверхности снимается осажденный после испарения слой. Это позволяет определять послойное распределение химических элементов и получать трехмерную информацию. 3 ил.

На фиг. 1 показана блок-схема предла гаемого устройст ва, на фиг . 2.схема программатора, на Фиг.3 - временная диаграмма изменения мощности пучка а зависимости от режимов работы устройства (Р - уровень мощности t — время) .

Растровое устройство для анализа структуры объекта содержит (фиг.1) последовательно расположенные по оптической оси источник 1 ионов, систему 2 формирования пучка, систему

3 сканирования пучка, которая позволяет выводить пучок в заданную координату объекта и затем сканировать его no объекту в двух взаимно последовательных направлениях, и столик 4 объектов для размещения исследуемого объекта, а также последовательно соединенные масс-спектрометр детектор 6, предусилитель 7, видеоусилитель 8 и электронно-лучевую трубку (ЭЛТ) 9, которая соединена с блоком 1О регистрации. Выходы генератора 11 развертки соединены с выводами системы 3 сканирования пучка и входами масс-спектрометра 5 и ЗЛТ

9, Аналого»цифровой преобразователь (АЦП) 12 соединен по входу с выходом предусилителя 7, а по выходу— с первым входом блока 13 памяти, вто- 20 рой вход которого соединен с выходом генератора 11 разверток, а третий вход - с первым выходом программатора 14, Второй, третий и четвертый выходы программатора соединены сост - 25 ветственно с вторым входом блока 10 регистрации, входом генератора 11 разверток и входом регулятора 15 мощности пучка, выход которого соединен с выводами источника i ионов. 30

Блок 10 регистрации может быть выполнен, например, в виде накопителя на магнитном ь.гасителе. Блок 13 памяти выполнен на матрице электронных элементов с дешифраторами адреса и усилителями.

Программатор 14 (фиг.2). содержит кнопку 16 пуска, генератор 17 переменной частоты с выведенной на переднюю панель настройкой, десятичные счетчики с дешифраторами 18-21, задатчи40 ки 22-25 числа импульсов на переключателях, также выведенных на переднюю панель, схемы 26-29 совпадений, Формирователь 30 строб-имгульса для задания режима анализа, кнопки 31 и

32 для передачи синхроимпульсов от генератора 17 переменной частоты, схемы 2И 33 и 34 для пропускания синхроимпульсов, схемы 2ИЛИ 35 и 36 и схему 37 Формирования напряжения, управляющего регулятором 15. мощности пучка .

Устройство работает следующим об" разом, Программатор 14 задает начало координат исследуемого объема объекта, размеры исследуемого объема в трех взаимно перпендикулярных направлениях

58 число анализируемых слоев объема и толщину испаряемого слоя. Через регулятор 15 мощности пучка îí задает режимы мощности в следующей последовательности: "Малая мощность", "Большая мощность" и Мощность промежуточного уровня".

Данные режимы мощности пучка обеспечивают три вида работы устройства: режим спектроанализатора, когда сканируются настройка масс-спектрометра 5 при неподвижном пучке и развертка ЭЛТ 9 на строке, режим испарения, когда снимается слой материала после его анализа, режим подготовки к анализу, когда устраняется с поверхности анализируемого слоя осажденный слой, образующийся после режима испарейия.

Оператор устанавливает органами управления програмМатора исходные данные: начальные координаты по осям X u

Y исследуемого участка объекта кнопками 31 и 32 соответственно в режиме работы видеоконтроля, т.е. при изображении объекта на ЭЛТ, расстояние между анализируемыми точками по оси X - частотой генераратора 17 число анализируемых точек в стро" ке - переключателями схемы 26 совпадения, число анализируемых строк-переключателями схемы 27 совпадения, количество проходов пучком по анализируемому участку в режиме испарения для снятия одного слоя - переключателями схемы 28 совпадения, количество анализируемых слоевпереключателями схемы 29 совпадения.

При нажатии на кнопку 16 пуска схема 29 совпадения формирует на выходе формирователя 30 строб-импульс, который открывает схемы 2И 33 и 34 и<. первым входам, при этом на второй вход схемы 33 поступают синхроимпульсы с выхода генератора 17, которые через схему 2ИЛИ 35 поступают на формирование строчной-развертки, причем напряжение на выходе АЦП нарастает в результате поступления этих импульсов и суммируется с напряжением на выходе РЦП, которое образуется в результате поступления импульсов при нажатии кнопки 31, т.е. когда выставлялось начало координат по оси Х.

Синхроимпульсы генератора 17 одновременно поступают на вход десятичного счетчика 1Р, и, когда выходы, на которых в данный момент присутствуют поделенные импульсы, совпадают с выбранными контактами переключателей, по единицам, десяткам и сотням, схема 26 совпадения формирует импульс, который обнуляет счетчик 1Н, поступает как синхроимпульс на счетчик

19 и для Формирования кадровой развертки на схему 2И 34.

Аналогично работают узлы программатора 19-23-27, 20-24-28 и 21-.25-29.

По завершении полного цикла работы выходной импульс со схемы 29 совпадения поступает на второй вход формирователя 30 строб-импульса и выключает строб, разрешающий работу программатора. Толщина испаряемого слоя материала объекта за один проход по площади участка определяется мощностью пучка в режиме испарения. Число проходов и число снятия слоев определяет третью координату z, т.е. глубину анализируемого участка. Представленная на фиг.3 диаграмма построена для случая, когда число проходов для снятия одного слоя равно 2, а число исслеДуемых слоев в объеме объекта, включая поверхностный, равно 4.

Уровень мощности Р< соответствует режиму анализа, уровень мощности Р режиму подготовки поверхности для анализр, а уровень мощности Р> режиму испарения. .Соответственно в интервалах времени 0-"q й4- ;, йд-й9, С12 -" 19 происходит анализ, в интервалах

"2 3 5 6 т 9 И Н тие слоев материала, а в интервалах 1 -Й4, 7 t6, и-11 - снятие. осажденного слоя (режим подготовки) .

После установки исходных данных и включения начала работы процесс анализа объекта происходит автоматически в следующем порядке.

С программатора 14 через генератор 11 развертки задаются напряжения на систему 3 сканирования пучка, которые устанавливают пучок в начальные координаты X u Y исследуемого участка объекта, расположенного на столике 4„

Одновременно с программатора 14 на первую адресную шину блока . 13 памяти поступают двоичный код номе"

По окончании анализа слоя программатор 14 через генератор 11 развертки возвращает пучок в исходную точку, устанавливает через регулятор 15 щ мощности пучка режим испарения и включает генератор 11 развертки в режим непрерывного сканирования пучка по осям X и 7, проходя поверхность участка заданное число раз (в данном случае 2 прохода), и снимая слой заданной толщины. В начале третьего прохода программатор 14 через регу- . лятор 15 мощности пучка устанавливает мощность режима подготовки. и щ сканирует поверхность еще один раз.

По окончании этого прохода программатор 14 через генератор 11 разверт- . ки и систему 3 сканирования пучка выводит пучок в исходную точку нового слоя, при этом в блок 13 памяти по первой адресной шине с программатора 14 поступает код нового слоя, Данный процесс повторяется до тех пока не закончится

7 Уг,гЯ 6 ра слоя и напряжения отклонения выбранной точки объек а. Затем по команде с программатора 14 генератор р

11 развертки подает ступенчатое напряжение разверток на масс-спектрометр 5 и ЭЛТ 9, а также двоичный код шагов отклоняющего напряженияна вторую адресную шину. блока 13 па10

Продетектированный и усиленный в предусилителе. 7 сигнал через видеоусилитель 8 поступает на ЭЛТ 9, формируя на экране кривую распределения химических элементов в данной точке объекта. Одновременно видеосигнал, преобразованный в двоичный код а АЦП 12, поступает на шину данных блока 13 памяти, на вторую адрес20 ную шину которого в это время поступает код адреса ступени развертывающего напряжения, осуществляя таким образом запись информации о наличии химических элементов в струк25 туре вещества исследуемой точки объекта . По окончании этого процесса программатор 14 дает команду для перехода в следующую исследуемую точку и весь процесс повторяется, Проходя все точки поверхности данного слоя объекта, которые были заложены в программаторе 14, осуществляется картирование данного слоя и производится запись данных анализа в блоке 13 памяти.

7 1737558

8 анализ йоследнего слоя исследуемого также управлять технологическими объема объекта. процессами обработки посредством объ

По окончании цикла регистрации емного контроля состава технологичеданных может быть произведена об- «» сред работка данных, которые были записа- o p " y a a и 3 о б р е т е н и я . ны в блоке l3 памяти, например рас- . Растровое устройст во для анализа пределение химических элементов в ин- структуры объекта, содержащее послетересующей точке исследуемого объ- довательно расположенные по оптичеема или распределение какого"либо щ ской оси источник ионов, системы химического элемента по площади оп- формирования и сканирования пучка и ределенного слоя или всех слоев ис- столик объектов, а также последоваследуемого объема - картирование тельно соединенные масс-спектрометр, химических элементов послойно. детектор, предусилитель, видеоусили- .

Результаты обработки могут быть ) g тель и электронно"лучевую трубку, соевыведены для визуального анализа диненную с блоком регистрации, и на экран ЭЛТ 9, а также в блок 10 генератор разверток, выходы которого регистрации для документирования соединены с выводами системы сканиили последующей обработки, Так как рования пучка и входами масс-спектроданные записаны в цифровой форме, 20 метра и электронно-лучевой трубки, дальнейшую обработку данных удобно о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с проводить на ЭВИ. целью повышения точности определения

Таким образом, предлагаемое уст- . химического состава твердых объектов .ройство обеспечивает возможность оп- путем обеспечения возможности послойределения распределения химических 2$ ного анализа непосредственно в устл элементов не только на поверхности и в ройстве, оно снабжено блоком памяти, приповерхностном слое твердого объек- программатором, регулятором мощности

ta но также позволяет производить по- пучка и аналого-цифровым преобразоваслойный анализ материалов, т.е. полу- телем, вход которого соединен с вычать трехмерную информацию. Это поз- р ходом предусилителя, а выход - с перволяет производить детальное изме" вым входом блока памяти, выход ко" рение химического состава простых торого соединен.с.первым входом бло" материалов и сложных композиций для . ка регистрации, второй вход " с вырешения исследовательских и техноло" ходом генератора развертпк, третий гических задач во многих областях вход - с первым выходом программатора, электронной техники, особенно в мик- второй, третий и четвертый выходы короэлектронике. Предлагаемое устрой- торого соединены соответственно с ство позволяет не только определять вторым входом блока регистрации, вхо. физическую причину брака изделия дом генератора разверток и входом электронной техники, но и обнаружи- регулятора мощности пучка, выход ковать скрытый брак, не выявляемый торого соединен с выводами источнисуществующими методами контроля, а ка ионов, t

1737558

1737558

7 8 9 10 и 12 19

Фиг.З

Составитель В. Га врюшин

Техред A,Êðàâ÷óê Корректор It. Пилипенко

Редактор A.Ëåæíèíà

° °

Заказ 1898 Тираж Подписное

ВНИИПЙ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушекая наб., д. 4/5

ЮЮФВЮ

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ултород, ул. Гагарина, 101

Растровое устройство для анализа структуры объекта Растровое устройство для анализа структуры объекта Растровое устройство для анализа структуры объекта Растровое устройство для анализа структуры объекта Растровое устройство для анализа структуры объекта Растровое устройство для анализа структуры объекта 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к исследованию поверхности методом туннельной микроскопии

Изобретение относится к структурным исследованиям поверхности с использованием туннельного эффекта

Изобретение относится к устройствам для микроанализа образца, Целью изобретения является расширение диапазона изменении и точности микроанализа образца зи счет изменения в ходе эксперимента выхода вторичного излучения в двух или более противоположно-симметричных направлениях относительно точки возбуждения

Изобретение относится к электронной микроскопии и может быть использовано при документировании результатов исследований

Изобретение относится к микрозондовой технике и предназначено для стробирования электронного пучка в электронно-оптических системах при исследовании динамических процессов

Изобретение относится к растровой электронной микроскопии полупроводниковых объектов и может быть использовано для визуализации и измерения распределения времени жизни неравновесных носителей заряда по поверхности этих объектов

Изобретение относится к туннельной микроскопии и может быть использовано для микроанализа поверхности твердых тел

Изобретение относится к растровой электронной микроскопии, в частности к методам оптимизации параметров детекторов потенциального контраста

Изобретение относится к электронным вакуумным приборам, в частности к эмиссионным микроскопам и видеоусилителям, и раскрывает способ визуализации и увеличения изображений исследуемых объектов

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а более конкретно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности в многоигольчатом комплексном режиме работы

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах в условиях сверхвысокого вакуума и в широком диапазоне температур

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, изменение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в режиме сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) или атомно-силового микроскопа (АСМ)
Наверх