Раствор для удаления фотополимерного покрытия с сеток трафаретных печатных форм

 

Изобретение относится к составам для удаления фотополимерных слоев с поверхности трафаретных сеток. Цель изобретения - увеличение кратности использования трафаретных сеток. Раствор состоит из следующих компонентов, мас.%: гипохлорит натрия 30,0 - 60,0; полиоксиэтиленалкиловый эфир или нафталмнсульфонат натрии 0,05 - 0,2; вода - остальное. Кратность использования трафаретных сеток повышается до 4 раз. 2 табл.

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)л G 03 F 7/42

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(21) 4780044/04 (22). 08.01.90 (46) 30,10,92. Бюл, К 40 (71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт химической промышII8H ности (72) С. П. Руднева, И. А. Рубан, Е. Н, Чуднова и В. Н. Полищук (56) Авторское свидетельство СССР

N. 540246, кл. G 03 С 1/68, 1977 — прототип.

Изобретение относится к составам для удаления фотополимерных покрытий на основе сшитого сополимера полиамида с диметакриловым эфиром этиленгликоля с ситовых тканей (полиамидных и полиэфирных), являющихся основой трафаретных печатных форм.

Наиболее близким к предложенному по технической сущности является раствор для удаления фотополимерного покрытия с металлических подложек. Раствор включает окисляющий агент — перекись водорода, щелочь и воду при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Щелочь 0,4 — 4,0

Перекись водорода 2,0 — 10,0

Вода Остальное

При снятии фотополимерного покрытия с полиамидных и полиэфирных сеток данный раствор приводит к снижения прочностных характеристик этих сеток, что исключает возможность их повторного использования.

Ы1« 1772779 А 1 (54) РАСТВОР ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ФОТОПОЛИМЕРНОГО ПОКРЫТИЯ С СЕТОК ТРАФАРЕТНЫХ ПЕЧАТНЬИ ФОРМ (57) Изобретение относится к составам для удаления фотополимерных слоев с поверхности трафаретных сеток. Цель изобретения — увеличение кратности использования трафаретных сеток. Раствор состоит из следующих компонентов, мас. $: гипохлорит натрия 30,0 — 60,0; полиоксиэтиленалкиловый эфир или,-яфталинсульфонат на,I.-ii

0,05 — 0,2; вода — остальное. Кратность использования трафаретных сеток повышается до 4 раз, 2 табл.

Целью данного изобретения является повышение кратности использования полиамидных и полиэфирных сеток трафаретных печатных форм.

Поставленная цель достигается тем, что раствор для удаления фотополимерного покрытия с полиамидных и полиэфирных сеток, трафаретных печатных форм, содержащий окисляющий агент и воду, в ь„ качестве окисляющего агента содержит гипохлорит натрия и дополнительно полиоксиэтиленалкиловый эфир формулы О

R СбН40(С2Н2О)п

R = -C6H19 п =10 — 12 мол, м. = 748 +30 и или смесь бутилнафталинсульфоната натрия, щелочи и триполифосфата натрия при следующем соотношении компонентов, мас. %:

Гипохлорит натрия 30,0-60,0

Полиоксиэтиленалкилоаый эфир 0,05 — 0,2

1772779

17,2 15 или смесь

Бутилнафталинсульфонат натрия 0,05 — 0,2

Щелоч ь 0,01 - 0,025

Триполифосфат

Ц натрия 0,05 — 0,2

Вода Остальное до 100

Пример 1, Для изготовления трафаретной печатной формы используют фотополимеризующуюся композицию по ТУ 10

6-15-767-83 следующего состава, мас.%:

Состав

Полиамид спирторастворимый

О СТ 6-05-438-83

Каолин сухого обога щения ТУ 21-25-194-86 5,6

>Келезо треххлористое

6-водное ГОСТ 4 147-74 1,1

Спирт этиловый 20

ГО СТ 18300-76 76,1

Состав !!

Диметакриловый эфир этиленгликоля (ДМЭГ)

TY 6-01-843-78 100 25

Соотношение составов: . i! = 1: 1.

Этот состав наносят на полиамидную или полиэфирную ситовую ткань {ТУ 17

РСФСР 62-10791-84 или зарубежного производства) с помощью аоветы. 30

Покрытие на сетке сушат в горизонтальном г«вложении при температуре 30 — 40"C в теч; —:íèå 10 — 15 мин. Полученное фотополимерное покрытие облучают {избирательно «ерез фотоформу) в течение 15 — 20 мин 35

УФ-с етсм, а затем смывают незаполимеризованные участки спиртом. Заполимеризованное фотополимерное покрытие на ситовой основе является трафаретной печатной формой. 40

Раствор для удаления фотополимерного покрытия с трафаретной печатной формы готовят следующим образом: в колбе с притергой пробкой смешива«от 30 r гипохлорита i«àòðèÿ (ГОСТ 11086-76), 0,2 r r«u- 45 лиокс>лэтиленалкилового эфира (У

38,103625-87) и 69,8 г воды в течение 10 ми;-« при комнатной темпеоатуре.

Трафаретн ло печатную форму погр >жа«от в приготовленный раствор:; «ь>г«еожив; ":К . ют в нем в течение 20 : при;:-;лнатной темперагуре, после чего покрытие легко снимается с сетки.

Чистоту я *еек сетки после удаления фотополимерного покрытия определя«от визу- 55 ально с помощью большого проектора БП (У 3-3-142-70), Чистоту ячеек сетки характеризуют отношением количества ячеек, иэ которых по. крытие уда ено полностью, к общему количеству ячеек на единице площади сетки, Величину выражают в процентах.

Механическую прочность сеток определяют путем испытания образцов сеток на разрыв по ГОСТ 3813-72.

Кратность использования трафаретных сеток характеризуют по показателям чистоты ячеек и прочности на разрыв ситовых тканей после каждого снятия фотополимерного покрытия предлагаемым раствором.

За показатель кратности принимают количество снятий фотополимерного покрытия с ситовой ткани, которое не вызывает снижения прочности ткани более, чем в два раза от первоначальной прочности, при обеспечении чистоты ячеек не менее 99%, П р и M е р 4. Трафаретную печатную форму изготавливают, как в примере 1.

Раствор для удаления фотополимер 10

ro покрытия с трафаретной пе «атной формы готовят следующим образом; в колбе с притертой .;робкой смешивают 54,79 r воды, 0,1 г бутилнафталинсульфоната натрия (ГОСТ

6867-77), 0,01 г едкого натра (ГОСТ 4328-77) и 0;1 r триполифосфата натрия (ГОСТ 1349386), в течение 10 — 15 мин при комнатной температуре, затем добавля«от 45 r гипохлорита натрия (ГОСТ 11086-76) и перемешивают еще в течение 5 — 10 мин, В дальнейшем поступают, как в пример8 1.

Пример 11, (прототип). Раствоп г о прототиг«у готовят следу«ощи образо>л, в колбе с притертой пробкой рас>воря от 2,5

r гидроокиси на.грия (ГОСТ 4328-77) в 89,5 г воды, затем добавляют 8,0 г >«ерекиси водорода (ГОСТ 10929-76Е).

Б дальнейшем поступают, как указано в примере 1, Конкретные составы B««=. D табл. 1, а свойства — в табл. 2, Как видно из табл, 2, .рзтность использования ситовых тканей при снятии фотополимерного покрытия на основе cu! .rrîro г;ополимера сополиамида с диметакриловь, эфиром этиленгликоля предлагаемым ра«твором составляет 1 — 4 паза в то время как раствор по прототипу, разрушая пэверхнссть фотополимерного слоя, не обеспечивает дости>«(ения требуемой чистоты ячее; се.ки при обоаботке в течение длительного времени, значительно снижает прачност ситовой ткани, что исключает возможность повторного ее использования.

Формула изобретения

Раствор для удаления фотополимерного покрытия с сеток трафаретных печатных форм, вкл«очающий окисллющий агент и RQ ду, о т л и ч а ю >ц и и . "я тем. что, с целью п>>выыеиия кпатнос »л .: «сльзован«ля Гра1772779

30 — 60

0,05 — 0,2

0,05 — 0,2

0,01 — 0,025

0,05 — 0,2

Остальное до 100, 10

Таблица1

Примеры конкретного выполнения

Ингредиент

Пример Прото- тип

2 3 4 5 6 7 В 9 10

Гипохлсрит натрия (ГОСТ 11086-76) бг

25 65

45

45 60

30

ПолиоксиэT4iëoãгалкиговыд эфир (ТУ 38.103625-87) 0,25 0,04

0,05 0,1

0,2

БутилнафталинсульОгогяат (ГОСТ 6867-77) 0,25 0,04 о,о5

От1

0,2

Натрия гидроокись (ГОСТ 4328-77) 2,5

0,03 а,о25

0,01

Калия гидооокись ,(ГОСТ 24363-80) 0,005

О,О2

Трипсггггфсс гьат натрия (Гог, 13493-86) 0,1 о,о4

0,25

0,2

0,05

Пеi -.:;, сь аодсаода (ГОСТ 10929-768) 8,0

89,5

54,95 39,9 54,79 69,73 39.725 74,25 34,96 74,68 34,705

69,8

Вода

Та б л и ц а 2

Физггко-механические показатели по принеран

Показатель

Принер (4

I. Карактеристнки сетки: до регенерации чистота ячеек, iO0 IOO !ОО 100 100 100 !00

100 100 !00

lOÎ разрыанал нагрузка кГс

12 О 12 О !2 О 12 О 12 О 12 О 12 О 12 О 12 0

12,0

12,0

После i-го снлтяя покрнтнл

100 100 100 чистота; чеек,ь

100 !ОО 100 !ОО 100 100 100

93 100 83 97 97 89 88

4,5 разрывная нагрузка, кГс

8,0 9,0

8,9

6,5

После 2-го снятия покрытия!

ОО IOO IOO 39 !00. 100 .100 . 100 99 чистота ячеек, 95 разрыанал нагрузка, кГс

4,2

9,0 9,2 7.7 9,0 8,5 8,0 7,0

68

3,9

После 3-го снятия покрытия чистота ячеек,2!

00 99 100 99 100 99 100

8,0 7,8 6,7 8,1 7,3 7,0 5,2 разрывная нагрузка, кГс

После 4-го снятия покрытия

4,8 чистота ячеек,2

99 97 99 99 97 97

7,8 5,8 5,5 5,9 5,8 5,4 разрыанал нагрузка, кГс фаретных полиэфирных или полиамидных сеток, в качестве окислителя он содержит гипохлорит натрия и дополнительно полиоксиэтиленалкиловый эфир формулы

R C8H40(C2H40)n

Где R — СВН1п;

t3 = 10- 12, мол. м, = 748 +30; или смесь бутилнафталинсульфоната натрия, щелочи и триполифосфата натрия при следуГощем соотношении компонентов, мас.%:

Гипохлорит натрия

Полиоксизтиленалкиловый эфир или смесь:

Бутилнафталинсульфонат натрия

Щелочь

Триполифосфат натрия

Вода t772779

8 нррдрлккннэ 146л Ф йокаээсклк косм 5-ер килтил лркрнрил

wcteta лчеек, Ф

99 рларилнал нагрузка, кГк

59

Э Ю Ю

21. Kpatsocts Hcnehaaoaa ннл catNI ° рлэ к. 3 3 3 3 3

ggZ.paar кнлррккн à pact асра рр снлткл paar ъе, члс

20-23 8-1О 68 8-30 10 21 6-8 6042 3 5 6048 3 5 100 ем мъ i ee »е

Составитель И.Рубан

Техред Ы.Моргентал

Корректор О.Кравцова

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 3845 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям ори ГКНТ СССР

113035, Москва. Ж-35. Рвуаская наб.. 4/5

Раствор для удаления фотополимерного покрытия с сеток трафаретных печатных форм Раствор для удаления фотополимерного покрытия с сеток трафаретных печатных форм Раствор для удаления фотополимерного покрытия с сеток трафаретных печатных форм Раствор для удаления фотополимерного покрытия с сеток трафаретных печатных форм 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок
Изобретение относится к составам композиций для регенерации сеткотрафаретных печатных экранов, полученных с помощью фоторезистов, и может быть использовано в полиграфической, электронной и радиотехнической промышленности

Изобретение относится к способу обработки жидкости, который включает удаление компонента смолы из жидкости, используемой для отслаивания компонента органической смолы с поверхности подложки

Изобретение относится к технологии полупроводниковых устройств. В способе формирования электронного устройства удаляют фоторезист с по меньшей мере одной поверхности проводящего слоя с использованием смеси реактивов, которая содержит первый материал самоорганизующегося монослоя и реактив для удаления фоторезиста, таким образом осаждают самоорганизующийся монослой на по меньшей мере одну поверхность указанного проводящего слоя и осаждают полупроводниковый материал на самоорганизующийся монослой, нанесенный на проводящий слой, без озонной очистки проводящего слоя. Техническим результатом изобретения является упрощение способа формирования электронного устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к способу изготовления электрических устройств, содержащему стадии: 1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего из по меньшей мере одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки, 2) нанесение позитивного или негативного слоя резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя, 3) подвергание слоя резиста селективному воздействию электромагнитного излучения или корпускулярного излучения, 4) проявление селективно подвергнутого излучению слоя резиста для образования рисунка в резисте, 5) сухое травление изоляционного диэлектрического слоя с использованием рисунка в резисте в качестве маски для образования проводных канавок и/или сквозных отверстий, сообщающихся с поверхностью подложки, 6) выбор по меньшей мере одного полярного органического растворителя (А) из группы, состоящей из: диэтилентриамина, N-метилимидазола, 3-амино-1-пропанола, 5-амино-1-пентанола и диметилсульфоксида, проявляющего в присутствии от 0,06 до 4 мас. % растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°C для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение, 7) обеспечение по меньшей мере одной композиции для удаления резиста, не содержащей N-алкилпирролидона и гидроксиламина и производных гидроксиламина и обладающей динамической сдвиговой вязкостью при 50°C от 1 до 10 мПа·с, измеренной методом ротационной вискозиметрии, и содержащей, исходя из полного веса композиции, (A) от 40 до 99,95 мас. % по меньшей мере одного полярного органического растворителя, выбранного в соответствии со стадией (6) процесса, (B) от 0,05 до<0,5 мас. %, исходя из полного веса композиции, по меньшей мере одного гидроксида четвертичного аммония, и (C) <5 мас. %, исходя из полного веса композиции, воды, 8) удаление рисунка в резисте и травильных шламов с помощью влажного процесса, используя по меньшей мере одну композицию для удаления резиста (7), полученную в соответствии со стадией (7) процесса, и 9) заполнение проводных канавок (5) и сквозных отверстий (5) по меньшей мере одним материалом, обладающим низким электрическим сопротивлением. Также изобретение относится к применению данной композиции. Настоящая композиция способна удалить положительные и негативные фоторезисты и PER одинаковым, наиболее выгодным образом без повреждения поверхностного слоя пластин, рельефных структур пластин и клеевого материала, соединяющего тонкие кремниевые пластины с подложками. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 табл., 4 пр.

Изобретение относится к композиции для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащей: (a) амин, (b) органический растворитель А, и (c) сорастворитель, где содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас. % композиции; амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония и присутствует в количестве от 1 до 4 мас. % композиции; органический растворитель А выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO2), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), γ-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина, изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиланилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, N,N-диметилформамида и их комбинации; сорастворитель выбран из группы, состоящей из изопропиловых спиртов, изобутиловых спиртов, втор-бутиловых спиртов, изопентиловых спиртов, трет-пентиловых спиртов, этиленгликоля (EG), пропиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1,3-пропандиола, 1,2,3-пропантриола, 1-амино-2-пропанола, 2-метиламино-этанола (NMEA), N-этилдиизопропиламина и их комбинации; и количество органического растворителя А и сорастворителя составляет 84, 90-99 мас. %. Также настоящее изобретение относится к способу удаления фоторезиста после ионной имплантации. Техническим результатом настоящего изобретения является получение не содержащей воду композиции для удаления фоторезиста после ионной имплантации. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл., , 5 пр.
Наверх