Способ изготовления дифракционных решеток
Использование: изготовление дифракционных решеток и дифракционных ответвителей . Сущность изобретений: способ включает нанесение на полинованную подложку слоя металла, формирование в нем штрихов и бомбардировку поверхности слоя пучком ионов инертного газа, которую осуществляют после формирования штрихов под углом 0-10° к поверхности слоя, в процессе ионной бомбардировки подложке сообщают вращательное движение со скоростью, не менее 2 об/мин, к слою металла прикладывают отрицательный относительно ионного пучка потенциал, а энергию потока ионов инертного газа выбирают в диапазона 0,8-1 кэВ. 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
is>>s G 02 В 5/18
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ CCCP) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ диапазона 0,8 1 кэВ. 1 ил, 4
00 () (Я
j00
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4844113/10 (22) 02.07.90 (46) 15,12.92. Бюл, N. 46 (71) Научно-производственное объединение
"Астрофизика (72) Л,M. Женевская, B.Н. Егоров, И.Л. Чистый, Ю,А. Локтионов, В.П. Алещенко и А.В. Егоров (э6) Авторское свидетельство СССР
М 915055, кл, G 02 В 5/18, 1977, Авторское "видетельство СССР
М 899714, кл. С 23 С 15/00, 11,07,79. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ РЕШЕТОК (57) Использование: изготовление дифракционных решеток и дифракционных ответИзобретение относится к оптическому приборостроению, в частности к изготовлению дифракционных решеток и дифракционных ответвителей.
Известен способ изготовления дифракционных решеток, включающий нанесение на полированную подложку из стекла слоя металла термическим испарением в вакууме и формирование штрихов, при этом поверхностный слой подложки перед термическим испарением на нее металла бомбардируют ионами того же металла, Известен также способ, заключающийся в том, что на подложку из стекла; керамики наносят слой металла. формируют штрихи, после чего проводят ионную бомбардировку слоя металла нормально к поверхности рабочих граней штрихов.
Наиболее близким техническим реше-. нием является способ изготовления дифракционных решеток, включающий нанесение на полированную подложку слоя металла, формирование штрихов в нем и бомбарди5U 1781658 А1
2 вителей. Сущность изобретения: способ включает нанесение на полйрованную подложку слоя металла, формирование в нем штрихов и бомбардировку поверхности слоя пучком ионов ийертного газа, которую осуществляют после формирования штрихов под углом 0 — 10 к поверхности слоя, в процессе ионной бомбардировки подложке сообщают вращательное движение со скоростью, не менее 2 o6/мин, к слою металла прикладывают отрицательный относительно ионного пучка потенциал, а энергию потока ионов инертного газа выбирают в ровку поверхности слоя пучком ионов после нанесения слоя "й йосл е" формирования штрихов под углом 70 — 90 относительно нормали к поверхнбсти слоя ионами элементов с массой не менее массы атомов слоя и энергией не ниже 1 кэВ, при этом ионную бомбардировку после формирования штрихов производят в продольном по отношению к штрйхам направлении.
Недостатком известных способов является низкое качество оптической поверхности изготовляемых решеток, Целью изобретения является повышение качества оптической поверхности изготовляемых решеток.
Поставленная цель достигается тем. что в способе изготовления дифракционных решеток, включающем нанесение на полированную подложку слоя металла,формирование в нем штрихов и бомбардировку поверхности слоя пучком ионов инертного газа. которую осуществляют после формирования штрихов под углом 0-10 к (1781658
Составитель Л.Женевская
Редактор С,Купрякова Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор Л,Лукач
Заказ 4273 Тираж . - ..:Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул.Гагарина, 101 поверхности слоя, в процессе ионной бомбардировки подложке сообщают вращательное движение со скоростью, по крайней мере 2 — 3 об/мин, к слою металла прикладывают отрицательный относительно ионного пучка потенциал, а энергию потока ионов инертного газа выбирают в диапазоне 0,8 — 1 кэВ.
Сущность заявленного,способа поясняется чертежом, где 1 — подложка из стекла, керамики либо ситалла, 2 — слой металла, на который нанесейы штрихи, 3 — основание, на котором укреплена подложка, 4 — скользящий контакт, 5 — токопроводящая перемычка, 6 — ионный пучок, состоящий из параллельных потоков ионов инертного газа, 7 — источник ионов.
Подложке 1 сообщают вращательное движение со скоростью и, по крайней мере, 2 — 3 об/мин в горизонтальной плоскости вокруг своей оси. Основание 3, на котором установлена подложка 1, выполнено либо цельнометаллическим, либо с металлическим токопроводящим ободком, чтобы во время вращения через посредство скользящего контакта 4 передавать отрицательный потенциал, поступающий от клеммы "-".
Через токопроводящую перемычку 5 отрицательный заряд сообщается слою металла 2. От источника ионов 7 параллельный поток ионов инертного газа в виде пучка 6 поступает к металлическому слою 2 под углом 0 — 10 к поверхности подложки 1. Ионы инертного газа, например, аргона, сбивают в процессе бомбардировки "гребешки" высотой до 0,1 мкм, заусенцы высотой < 0,1 мкм, образовавшиеся в результате пластической деформации металла на твердой, например, ситалловой, подложке во время нарезания штрихов, Наличие же силовых линий электрического поля, более густо расположенных в районе "гребешков" позволяет сделать их более заманчивой мишенью
5 для потока положительно заряженных ионов. Благодаря тому, что слою металла сообщен отрицательный потенциал, ионную бомбардировку производят с уровнем энергии (0,8-1 кэВ), меньшим, чем в извест10 ном техническом решении (1 — 40 кэВ), При этом положительно сказывается искусственно создаваемый эффект неравномерности ионной бомбардировки: в области расположения заусенцев и гребешков сило15 вые линии электрического поля сгущены, а значит более привлекают к себе положительно заряженные ионы. Причем, чем ярче выражена неровность, чем острее заусенец, тем более густы на его "вершине" линии
20 электричеекого поля, тем охотнее к ним направляются ионы.
Формула изобретения
Способ изготовления дифракционных решеток. включающий нанесение на пол25 ированную подложку слоя металла, формирование в нем штрихов и бомбардировку поверхности слоя пучком ионов инертного газа, которую осуществляют после формирования штрихов под углом 0 — 10 к поверх30 ностислоя,отличающийся тем,что,с целью повышения качества оптической поверхности изготавливаемых решеток, в процессе ионной бомбардировки подложке сообщают вращательное движение со ско35 ростью не менее 2 06/мин, к слою металла прикладывают отрицательный относительно ионного пучка потенциал, а энергию по-. тока ионов инертного газа выбирают в диапазоне 0.8-1 кэВ.
