Поглотитель электромагнитных волн

 

СОК)3 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 Q 17/00

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4824026/09 (22) 07.05.90 (46) 07.01,93, Бюл, N 1 (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (72) Б.Г.Быстров, В.В.Добровенский, В.А,Клещевников, И.К,Куприянов и Д,И. Мировицкий (56) Зарубежная радиоэлектроника, 1972; N.

7, с, 114.

Патент ЕПВ. N 0238291, кл. Н 01 Q

17/00, 1987.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для создания покрытий, поглощающих электромагнитные волны миллиметрового СВЧ-диапазона, Широко известны поглотители электромагнитных волн, в которых поглощающие элементы выполнены из ферритных материалов, а в качестве связующего используются краска, грунтовка, полимерные слои смолы или пластмасса (1), Основным недостатком таких поглотителей является наличие высокого коэффициента отражения из-за отсутствия затухания волн миллиметрового диапазона, Наиболее близок к предлагаемому поглотитель электромагнитных волн (2). содержащий композиционный поверхностный слой, состоящий из смеси волокон с удельным сопротивлением более 10 ом см и полимера. Поглощающий слой выполнен из композиционного материала, содержащего волокна карбида кремния, имеющие удельное сопротивление от 10 до 10 ом см, путем пропитки полимером промежутков между волокнами, после того как из них

„, Ы2„, 1786567 Al (54) ПОГЛОТИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН (57) Использование; в качестве поглотителя электромагнитных волн СВЧ-диапазона.

Сущность изобретения: поглотитель выполнен в виде двух диэлектрических слоев и расположенного между ними слоя электропроводящего материала. Диэлектрическая проницаемость, толщина и удельное сопротивление слоев приводятся. были выполнены такие изделия либо структуры с однонаправленными волокнами.

Недостатком известного поглотителя является сравнительно высокий коэффициент отражения (более 10%), поскольку не обеспечивается эффективное поглощение Б радиоволн заданного частотного диапазона в связи с трудностями получения прочных волокон карбида кремния большой длины с определенным удельным сопротивлением, Цель изобретения — снижение коэффициента отражения радиоволн до величины, О" не превышающей 57, по мощности в диапа- Ql зоне от 30 до 100 ГГц, 0

Поставленная цель достигается тем, что 4 в поглотителе электромагнитных волн, выполненном в виде трех слоев: внешнего и нижнего из диэлектрических материалов и расположенного между ними среднего слоя и электропроводящего материала, внешний и нижний слои выполнены из диэлектрического материала с диэлектрической проницаемостью 1,2 — 1,4 толщиной 0,5-1,0 мм и 0,2 0,05 мм соответственно, а средний слой --из электропроводящего материала с удельным сопротивлением 0,1-15 Ом см и толщиной,...., 1786567

Составитель В.Добровенский

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор Н.Кешеля

Редактор, Т.Федотов

Заказ 252 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Толщины внешнего и нижних слоев позволяет осуществлять эффективное интерференционное гашение падающей электромагнитной волны при минимальном ее отражении от наружной поверхности. 5

Средний слой может быть, например, изготовлен из углеграфитовой тканр, пропитанный полимерным связующим, и является эффективным поглотителем электромагнитl ного излучения с большими потерями. 10

На чертеже представлено поперечное сечение поглотителя электромагнитных волн.

Поглотитель содержит внешний радиопрозрачный слой 1, радиопоглощающий 15 средний слой 2 и радиопрозрачный нижний слой 3.

8 таком поглотителе интерференционное гашение падающей электромагнитной волны происходит вблизи наружной поверх- 20 ности радиопоглощающего среднего слоя 2.

При этом к плоскости интерференционного гашения должны прийти прямая и отраженная волны с максимумами амплитуд и в противофазе. Это условие выполняется, если 25 плоскость интерференционного гашения располагается на расстоянии четверти длины от отражающей поверхности, на которой расположен поглотитель.

Наличие внутреннего (согласующего) 30 слоя определенной толщины позволяет расположить наружную. поверхность среднего (поглощающего) слоя на расстоянии от отражающей поверхности, несколько большем

4р/4 (4p — средняя длина волны в выбранном диапазоне).

Максимум амплитуды падающей волны в плоскости интерференционного гашения обеспечивается толщиной внешнего слоя 1 поглотителя. Таким образом, вблизи наружной поверхности среднего слоя 2 поглотителя в процессе интерференции взаимодействуют в противофазе падающая и ослабленная, изза затухания в слое 2, отраженная волнычто г позволяет достичь минимального коэффициента отражения.

Высокая радиопрозрачность диэлектрических слоев 1,3 может быть достигнута путем нанесения на поверхность среднего радиопоглощающего слоя 2 вспененного полимера, например эпоксидно-диановой смолы с отвердителем.

Формула изобретения

Поглотитель электромагнитных волн, выполненный в виде трех слоев: внешнего и нижнего из диэлектрических материалов и расположенного между ними среднего слоя из электропроводящего материала, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью снижения значения коэффициента отражения, внешний и нижний слои выполнены из диэлектрического материала с диэлектрической проницаемостью 1,2 — 1,4, толщиной 0,5-1,0 мм и 0,2+0,05 мм соответственно, а средний слой — из электропроводящего материала с удельным сопротивлением 0,1 — 15 Ом см и толщиной 0,5 мм.