Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии

 

Использованием комплексе оборудования по производству изделий радиоэлектронной аппаратуры, в частности в системах для производства полупроводниковых. структур, металлических и диэлектрических покрытий, магнитных слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии и электронно-лучевого .испарения. Сущность изобретения: установка содержит размещенные вдоль транспортной магистрали рабочие камеры. Каждая камера отделена от транспортной магистрали запорным узлом . Для улучшения качества наносимых слоев, удаления органических соединений из полости рабочих камер запорный узел выполнен в виде полого штока с кольцеобразным металлическим клапаном на конце и установлен соосно загрузочному окну рабочей камеры с возможностью осевого перемещения . Вал манипулятора подложек в рабочей камере размещен внутри полого штока по его оси и с возможностью перемещения . 2 ил. (Л С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s С 30 В 23/08

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)

М

„л" ааа „ Ю ук

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4913102/26 (22) 20.02,91 (46) 15.03.93.. Бюл. N 10 (71) Физико-технический институт со специальным конструкторским бюро с опытным производством Уральского отделения

AH СССР (72) В.А.Вотяков, П.Г.Мерзляков, Л,ГКовнер, И,И,Семенов и А,В.Широбоков (56) Магистрально-модульный комплекс для молекулярно-лучевой эп итаксии н ЦНА".

Проспект, 1989, M., ЦНИИ "Электроника", (54) УСТАНОВКА ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ (57) Использование:в комплексе оборудования по производству изделий радиоэлектронной аппаратуры, в частности в системах для производства полупроводниковых

Изобретение относится к технологии радиоэлектронной аппаратуры, в частности к системам для производства полупроводниковых структур, металлических и диэлек.трических покрытий, магнитных слоев методами молекулярно-лучевой эпитаксии и электронно-лучевого испарения, Цель изобретения — повышение чистоты и качества слоев.

На фиг,1 изображена установка, вид в плане, на фиг.2 — сечение А-А на фиг.1.

Установка состоит из загрузочной камеры 1, соединенной транспортной магистралью 2 через шиберный затвор 3, по которой производится транспортировка каретки 4 с подложкодержателями 5. К транспортной магистрали 2 примыкают рабочие. Ж 1801992 А1 структур, металлических и диэлектрических покрытий, магнитных слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии и электронно-лучевого, испарения. Сущность изобретения: установка содержит размещенные вдоль транспортной магистрали рабочие камеры. Каждая камера отделена от транспортной магистрали запорным узлом. Для улучшения качества наносимых слоев, удаления органических соединений из полости рабочих камер запорный узел выполнен в виде полого штока с кольцеобразным металлическим клапаном на конце и установлен соосно загрузочному окну рабочей камеры с возможностью осевого перемещения. Вал манипулятора подложек в рабочей камере размещен внутри полого штока по его оси и с возможностью перемещения. 2 ил. юй камеры 6, снабженные автономными сред-. Q0 ствами откачки. а соосно загрузочному окну С) каждой из камер 6 присоединен корпус 7 транспортной магистрали 2 с металлическим седлом 8 запорного устройства. В корпусе 7 соосно с ним установлены привод 9 и полый шток 10, имеющий возмо>кность осевого перемещения, на конце которого имеется кольцеобразный металлический клапан 11, Внутри штока 10 размещен аал 1 а

12 манипулятора подложкодержателя 5, который имеет возможность, как совместного, так и относительнога перемещения. Вал 12 манипулятора подложкодержателя снабжен приводам 13. В нижней части транспортной магистрали 2 размещен привод 14 манипулятора-доставщика 15, с помощью которого осуществляется захват и передача

1801992 подложкодержателя на вал 12 манипулятора подложкодежателя.

Работа линии установки осуществляется следующим образом:

Каретку 4 с подложкоде ржателями 5 устанавливают в загрузочную камеру 1. Производят откачку камеры 1. После чего открывают. шиберный затвор 3, располо-. женный между загрузочной камерой 1 и транспортной магистралью 2. Каретку перемещают в транспортную магистраль 2 и останавливают напротив выбранной позиции рабочей камеры 6, шиберный затвор закрывают. Привод 9 выбранной. рабочей камеры отводит полый шток 10 от седла 8, открывая загрузочное окно камеры, после чего с помощью привода 14 манипулятор-доставщик

15 захватывает и передает подложкодержатель 5 на вал 12 и отводится в исходное положение. Далее с помощью привода 9 шток 10 и вал 12 перемещают вправо до кон акта клапана 11 с седлом 8, при этом производят герметизацию полости рабочей камеры 6 от транспортной магистрали, а подложкодержатель 5 оказывается в рабочей камере 6. После этого подложкодержатель 5, в зависимости от технологического процесса, может быть перемещен в рабочей камере 6 с помощью привода 13, без разгерметизации рабочей камеры 6. Далее каретку

4 с подложкодержателями 5 перемещают к следующей по технологическому процессу рабочей камере 6, Выгрузку подложкодержателя 5 осуществляют в обратном порядке.. Таким образом, выполнение запорного узла в виде полого штока с кольцеобразным металлическим клапаном на конце, в совокупности с размещением его соосно загрузочному окну, а также установкой в его полости вала манипулятора подложкодержателя устраняет наличие органических уплотнительных элементов, Это позволяет улучшить качество наносимых слоев за счет

"0 уменьшения количества некойтролируемых, в том числе органических примесей, появление которых возможно при повышении температуры зоыы уплотнения в период проведения высокотемпературных рабочих процессов в рабочих камерах, Формула изобретения

Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащая загрузочную камеру, соединенную с ней транспортную маги20 страль, вдоль которой последовательно размещены рабочие камеры, имеющие загрузочные окна, каждая рабочая камера отделена от транспортной магистрали запорным узлом, установленным с возможностью возвратно-поступательного перемещения, и снабжена манипулятором подложки, имеющим вал, соединенный с автономным приводом, отличающаяся тем, что, с целью повышения чистоты и ка30 чества слоев, запорный узел. выполнен в виде полого штока, расположенного соосно с загрузочным окном рабочей камеры и имеющего на конце кольцеобразный металлический клапан, а вал манипулятора

35 размещен по оси полого штока, 1801992

Составитель В.Вотяков

Техред М.Моргентал Корректор М.Демчик

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 830 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение при создании приборов оптоэлектроники и нелинейной оптики, в частности для полупроводниковых лазеров и преобразователей частоты

Изобретение относится к тонкопленочной технологии, может быть использовано в микроэлектронике и обеспечивает повышение надежности работы источника и улучшение качества выращиваемых пленок за счет более эффективного охлаждения и уменьшения поверхности нагрева

Изобретение относится к техноло ии полупроводниковых материалов, в частно сти к технологии выращивания многокомпонентных тонкопленочных структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии в соер вы соком вакууме

Изобретение относится к получению тонких пленок методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Изобретение относится к технике нанесения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и обеспечивает повышение производительности и качества выращиваемых структур

Изобретение относится к технологии получения интегральных микросхем и обеспечивает упрощение устройства и регулирование угла наклона

Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к оборудованию для производства элементов полупроводниковой техники и, в частности, предназначено для создания полупроводниковых соединений азота с металлами группы A3
Изобретение относится к отжигу алмаза, а именно к отжигу монокристаллического CVD-алмаза

Изобретение относится к усовершенствованному тиглю из нитрида бора и способу его получения

Изобретение относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений
Наверх