Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы

 

Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий, в частности к устройствам для химического осаждения пленок из газовой фазы при пониженном давлении, и может быть использовано для создания слоев нитрида кремния, используемых в качестве конденсаторного и подзатворного диэлектрика для СБИС и УБИС. Сущность изобретения заключается в том, что кассету 2 с кремниевыми подложками 3 загружают в реактор 1 через полую камеру 9 шлюзовой камеры 8, образованной корпусом 10. При этом по трубопроводам 12, охватывающим по контуру загрузочное отверстие 4, подают инертный газ - азот, который при помощи вытяжного отверстия, выполненного в боковой поверхности корпуса параллельно оси реактора, образует завесу, препятствующую попаданию атмосферного воздуха с парами воды и кислорода в реактор 1. Конструктивные особенности устройства обеспечивают снижение дефектности и повышение электрической прочности покрытия. 1 з.п. ф-лы,1 табл. 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к устройствам для химического осаждения пленок из газовой фазы при пониженном давлении и может быть использовано для создания пленок, используемых в качестве конденсаторного и подзатворного диэлектрика для СБИС и УБИС. Целью изобретения является повышение качества осаждаемых пленок за счет снижения их дефектности и повышения электрической прочности. На фиг.1 изображен вид устройства в момент начала загрузки; на фиг.2 то же, момент ее окончания; на фиг.3 вид затвора со стороны загрузочного отверстия. Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы включает горизонтальный цилиндрический реактор 1 для размещения кассет 2 с кремниевыми подложками 3, снабженный загрузочным отверстием с герметизирующей дверцей 4 с одной стороны и соединенный с вакуумной системой 5 с другой стороны, трубопроводы 6 для введения реагентов в реактор и нагреватель 7. Устройство со стороны загрузочного отверстия снабжено шлюзовой камерой 8 в виде полой камеры 9, образованной корпусом 10, длина которого составляет 1,5-5, а высота 2 3 диаметра реактора, и соединенный с реактором, внутри камеры вдоль оси 11 реактора расположены трубопроводы 12 для подачи инертного газа, охватывающие по контуру загрузочное отверстие, а в боковой поверхности корпуса вдоль оси реактора расположено вытяжное отверстие 13 (фиг.3). При загрузке кассет 2 кремниевыми подложками 3 в реактор 1 они проходят через шлюзовую камеру 8 в виде полой камеры 9, образованной корпусом 10, длина которого составляет 1,5-5, а высота 2-3 диаметра реактора, и соединенный с реактором 1. При этом поток инертного газа, истекающий из трубопроводов 12 охватывающих по контуру загрузочного отверстие внутри полой камеры в направленный в сторону вытяжного отверстия 13 в боковой поверхности корпуса 10 вытесняет по мере движения кассет 2 с подложками 3 на промежутке равном длине корпуса 10 атмосферный воздух с парами воды и кислорода из промежутка между подложками 3, причем длина корпуса 10, равная 1,5 5 диаметров реактора позволяет удалить данные загрязнения практически полностью. При этом исключается контакт кремниевых подложек с парами воды и кислорода внутри нагретого реактора и, следовательно, неконтролируемое окисление подложек. После размещения кассет 2 с подложками 3 в реакторе 1 герметизирующая дверца 4 плотно закрывает загрузочное отверстие и начинается вакуумирование реактора 1 при помощи вакуумной системы 5, а затем по трубопроводам 6 в реактор 1 вводятся реагенты и проводится процесс осаждения пленок нитрида кремния на подложки 3, затем проводится прекращение подачи реагентов по трубопроводам 6, вакуумирование реактора 1 при помощи вакуумной системы 5, продувка реактора 1 инертным газом со стороны загрузочного отверстия, прекращение откачки реактора 1, напуск инертного газа в реактор, стабилизация давления в реакторе, покрытие дверцы, герметизирующей загрузочное отверстие и выгрузка кассет 2 с подложками 3 в направлении, противоположном загрузке. При этом инертный газ, истекающий из трубопроводов 12, охватывающих по контуру загрузочное отверстие 4 внутри полой камеры 9, образованной корпусом 10, образует завесу, направленную к вытяжному отверстию 13, расположенному вдоль поверхности коpпуса 10. В результате исключается попадание следов реакционных газов в зону дыхания оператора. Таким образом, в предлагаемом техническом решении повышение качества осаждаемых пленок, а именно: нитрида кремния, за счет снижения их дефектности и повышения электрической прочности, обусловлено следующим: Так как со стороны загрузочного отверстия устройство снабжено шлюзовой камерой в виде полой камеры, образованной корпусом, длина которого составляет 1,5-5, а высота 2-3 диаметра реактора, соединенный с реактором, причем внутри камеры вдоль оси реактора расположены трубопроводы для подачи инертного газа, охватывающие по контуру загрузочное отверстие, а в боковой поверхности корпуса, вдоль оси реактора расположено вытяжное отверстие сечения, не исключается прямой контакт реакционного пространства с атмосферой. Кроме того, при загрузке кассет с кремниевыми подложками в реактор, данные кассеты неминуемо проходят через шлюзовую камеру, наполненную инертным газом длиной 1,5-5 диаметров реактора, что обеспечивает надежное вытеснение паров воды и кислорода из промежутка между пластинами и следовательно, исключает образование неконтролируемой прослойки двуокиси кремния в момент загрузки-выгрузки. При длине корпуса 1,5 диаметров реактора снижается эффективность работы шлюзовой камеры за счет увеличения проникновения паров воды и кислорода в реактор, возрастания неконтролируемого слоя двуокиси кремния и снижения качества осаждаемых пленок нитрида кремния. При длине корпуса более 5 диаметров реактора не наблюдается дальнейшего улучшения качества осаждаемых пленок нитрида кремния при увеличении габаритов установки. При высоте корпуса менее 2 диаметров реактора затруднена загрузка в реактор при помощи автоматизированных систем и обслуживание шлюзовой камеры. При высоте корпуса более 3 диаметров реакторов снижается эффективность затвора из-за облегчения попадания паров воды и кислорода в реакционное пространство и, следовательно, снижается качество нитрида кремния. То, что шлюзовая камера выполнена высотой 2-3 диаметра реактора, позволяет осуществлять загрузку-выгрузку и с применением специальных загрузочных устройств. Подача инертного газа осуществляется по трубопроводам, расположенным вдоль оси реактора, охватывающим по контуру загрузочное отверстие, что обуславливает эффективное вытеснение атмосферного воздуха при загрузке кассет с кремниевыми подложками. То, что в боковой поверхности корпуса параллельно оси реактора, образующего затвор, расположено вытяжное отверстие, позволяет создать поток азота, перпендикулярный оси реактора, что повышает эффективность удаления паров воды и кислорода из промежутка между кремниевыми подложками и препятствует проникновению атмосферного воздуха в реакционное пространство. Следует отметить, что к трубопроводам 12 подача инертного газа осуществляется по магистрали, снабженной регулятором расхода газа 0,5-5 м3/ч, фильтром, клапаном, что позволяет управлять подачей инертного газа при помощи микропроцессора в нужный момент. Пример. Подобным образом может осуществляться осаждение пленки нитрида кремния для использования в качестве конденсаторного диэлектрика. Кассета 2 с кремниевыми подложками 3 загружается в реактор 1 через полую камеру 9 шлюзовой камеры 8, образованной корпусом 10. При этом по трубопроводам 12, охватывающим по контуру загрузочное отверстие 4, подается инертный газ азот, который при помощи вытяжного отверстия 13, выполненного в боковой поверхности корпуса параллельно оси реактора, образует завесу, препятствующую попаданию атмосферного воздуха с парами воды и кислорода в реактор 1. После расположения кассет 2 с подложками 3 в требуемой зоне реактора 1, нагретого до 780-825oC при помощи нагревателя 7, закрывается загрузочное отверстие герметизирующей дверцей 4 и проводится вакуумирование реактора 1 при помощи вакуумной системы 5 до достижения давления 0,65-1,33 Па, после чего осуществляется ввод дихлорсилана с аммиаком в отношении и суммарном потоке 15 25 л/ч через трубопроводы 6, при давлении 50 3 Па и проводится осаждение пленки нитрида кремния толщиной 15 нм 0,75 нм. Затем подача реагентов прекращается и осуществляется вакуумирование реактора до давления 0,65 1,33 Па при помощи вакуумной системы 5, продувка реактора азотом в течение 5 10 мин, прекращение откачки и напуск азота в реактор, стабилизацию давления. После чего герметизирующая дверца 4 открывается и выгрузка кассет 2 с подложками 3 осуществляется в обратной последовательности. Однако при этом шлюзовая камера препятствует с одной стороны попаданию следов токсичных реагентов в зону дыхания, а с другой попаданию атмосферного воздуха в реакционный объем. Исключение попадания атмосферного воздуха в реакционный объем способствует также снижению дефектности пленки за счет ослабления побочных реакций между реагентами и примесями. Толщина слоя двуокиси кремния, образующейся в процессе загрузка-выгрузка, и толщина нитрида кремния определяются неразрушающим методом при помощи лазерного эллипсометра. Плотность дефектов определяется при помощи прибора Surfascane 4500 как прирост (шт разница между количеством частиц диаметром более 0,5 мкм после осаждения и на исходных подложках диаметром 100 мм, легированных Р). Ток утечки определяется при помощи прибора Л2-56 при напряженности поля 2 МВ/см в 5-ти точках на пластине и рассчитывался разброс по пластине по размаху. Всего приведено 6 испытаний. В таблице представлены результаты испытаний устройства с затвором в виде полой камеры, образованной корпусом длины 1,5-5 и высотой 2 3 диаметра реактора. Примеры 1 3 в таблице иллюстрируют предлагаемое устройство, а 4 7 устройство, у которого высота и ширина шлюзовой камеры выходили за указанные рамки. В примере 8 приведены результаты реализации устройства-прототипа. Результаты, приведенные в таблице, показывают, что предлагаемое устройство снабжено затвором с соответствующими размерами корпуса, позволяет существенно повысить качество осаждаемых пленок нитрида кремния путем снижения дефектности и повышения электрической прочности. Из таблицы видна нецелесообразность использования устройства при реализации которого высота и ширина корпуса выходили за указанные пределы. В примере, соответствующем результатам испытаний устройства-прототипа неконтролируемого слоя SiO2 7,0 нм, разброс по току утечки 25% прирост дефектов 162 шт/пластину, Епр 7,1 106 В/см. Полученные результаты свидетельствуют, что по сравнению с устройством-прототипом использование предлагаемого устройства позволяет повысить качество пленок за счет снижения их дефектности и повышения электрической прочности. При этом толщина двуокиси кремния соответствует естественной толщине двуокиси кремния, которая присутствует перед загрузкой подложек 1,2 1,5 нм, что примерно в 5-6 раз меньше, чем у прототипа, разброс по Iут уменьшается в 2,5 раза, прирост дефектов уменьшается в 2 3 раза, а электрическая прочность возрастает в 1,3 раза.

Формула изобретения

1. Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы, содержащее реактор с загрузочным отверстием, шлюзовой камерой и нагревателем, трубопроводы для введения реагентов в реактор и вакуумную систему, отличающееся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых пленок за счет снижения их дефектности и повышения электрической прочности, оно снабжено трубопроводами для подачи инертного газа, расположенными в шлюзовой камере и охватывающими по контуру загрузочное отверстие реактора, при этом шлюзовая камера выполнена с вытяжным отверстием. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что длина шлюзовой камеры составляет 1,5 5, а высота 2 3 диаметра реактора.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 29-2000

Извещение опубликовано: 20.10.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к металлургии, а именно к способам получения композиционного твердосплавного слоистого материала нанесением покрытия из тугоплавких соединений титана на заготовки из твердых сплавов методом химического осаждения из парогазовой фазы

Изобретение относится к технологии нанесения пленок и может быть использовано для изготовления тонкоплепочных кремниевых солнечных элементов, фоточувствительных материалов для оптических сенсоров и тонкопленочных транзисторов большеразмерных дисплеев

Изобретение относится к технологии нанесения пленок и может быть использовано для изготовления тонкоплепочных кремниевых солнечных элементов, фоточувствительных материалов для оптических сенсоров и тонкопленочных транзисторов большеразмерных дисплеев

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для защиты поверхности трущихся деталей механизмов

Изобретение относится к режущему инструменту с покрытием, используемому при механической обработке с образованием стружки

Изобретение относится к способу нанесения покрытия на поверхность основы, в частности на поверхность стеклянной подложки и устройству для их осуществления

Изобретение относится к способу нанесения покрытия на поверхность основы, в частности на поверхность стеклянной подложки и устройству для их осуществления
Изобретение относится к производству высокотемпературных материалов и может быть использовано в качестве теплонагруженных узлов ракетно-космической техники, в автомобиле- и тракторостроении для изготовления узлов очистки выхлопных газов, подшипников скольжения, торцевых уплотнений и пр

Изобретение относится к режущему инструменту с алюмоксидным покрытием для механической обработки металлов со снятием стружки
Наверх