Активная среда твердотельного лазера

 

Использование: изобретение относится к созданию монокристаллических лазерных сред, генерирующих в ближней ИК-области спектра. Сущность изобретения: матрица активной среды выполнена из монокристалла , обеспечивающего генерацию на длине волны 1,051 мкм.

Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерным монокристаллическим средам, активированным ионами необхдима, и генерирующих в ближней ИК области спектра. Целью изобретения является расширение диапазона длин волн генерации на коротковолновую область спектра. Поставленная цель достигается тем, что матрица активной среды твердотельного лазера выполнена из монокристалла Введение в структуру алюмината лантана щелочноземельного элемента - бериллия обеспечивает смещение длины волны генерации в коротковолновую область спектра. В частности на переходе 4F3/2 - 4I11/2 до 1,051 мкм. Спектр люминисценции монокристалла LaBeAl11O19:Nd3+ занимает широкую область 0,85-1,45 мкм и сдвинут на 2-5 нм в коротковолновую область относительно LaMgAl11O19:Nd3+ Спектр поглощения нового материала состоит из большого количества линий, что обеспечивает эффективное поглощение излучения ламп накачки. Квантовый выход люминисценции 1, время жизни верхнего лазерного уровня 4F3/2 - 100 мк сек. Монокристалл LaBeAl11O19:Nd3+ выращен методом Чохральского из раствор-расплава. Шихту состава, мол. Вео 18,18; La203 6,39; Nd203 2,70; Аl2O3 72,72 помещали в иридиевый тигель и расплавляли. Рост производили в инертной атмосфере аргона при температуре 1870oС, скорость вытягивания 0,5-1 мм/час. Введение в структуру алюмината лантана ионов бериллия вместо магния приводит к уменьшению спайности кристалла за счет изменения межатомных расстояний и изменения кристаллического поля решетки, что облегчает обработку кристалла по сравнению с ГАЛМ. Из выращенного монокристалла изготовлялся лазерный элемент размером 3хЗх16 мм. Образец помещался в в резонатор, образованный "глухим" (пропускание на длине волны 1,05 мкм<0,1) и полупрозрачным (пропускание 1%) зеркалами. Длина резонатора составляла 8 см. Накачка осуществлялась лампой типа ИФК-20-3. Оптимизация параметров резонатора не проводилась. Порог генерации составил 4 Дж пум энергии накачки 15Дж, выходная энергия 1,5 мДж. Длина волны генерации лазера на предложенной среде-на переходе 4F3/2 - 4I11/2 по сравнению с прототипом сместилась, по крайней мере до 1,051 мкм. что расширяет возможности его применения в ближней ИК-области спектра. Кроме того, менее совершенная спайность кристаллов на LaBeAl11O19:Nd3+ облегчает его обработку при изготовлении лазерных элементов.

Формула изобретения

Активная среда твердотельного лазера, состоящая из матрицы на основе монокристалла алюмината лантана щелочноземельного элемента, активированного неодимом, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона длин волн генерации на коротковолновую область спектра, матрица выполнена из монокристалла LaBeAl11O19:Nd3+.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 14-2002

Извещение опубликовано: 20.05.2002        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано в твердотельных лазерах

Изобретение относится к области квантовой электроники, в частности к твердотельным активным материалам и пассивным модуляторам добротности резонаторов лазеров

Изобретение относится к квантовой электронике и, в частности, к твердотельным лазерам

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к способам получения НЗ-центров окраски

Изобретение относится к материалам твердотельных лазеров

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при разработке новых лазерных материалов
Изобретение относится к области квантовой электроники, к методам получения кристаллических лазерных сред

Изобретение относится к лазерным веществам на основе органических красителей и полимеров и может найти применение в лазерной технике для изготовления активных элементов лазеров на красителях

Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к конструкции активного элемента лазера, и может быть использовано при создании лазеров на красителях в твердой матрице

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к материалам для лазерной техники и предназначено для применения в твердотельных лазерах с длиной волны стимулированного излучения в интервале от 1,9 мкм до 2,0 мкм

Изобретение относится к области оптоэлектроники и интегральной оптики, в частности к способу получения направленного когерентного излучения света устройствами микронного размера

Изобретение относится к области лазерной техники и промышленно применимо в перестраиваемых лазерах для целей волоконно-оптической связи и спектроскопии

Изобретение относится к оптической схеме для ослабления оптического шума

Изобретение относится к области лазерной техники и более конкретно - к лазерным медицинским инструментам для стоматологических, дерматологических, оторинологических применений, в том числе с использованием эндоскопов
Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники

Изобретение относится к материалам для лазерной техники, а именно к монокристаллическим материалам, предназначенным для получения активных элементов твердотельных лазеров
Наверх