Позитивный фоторезист

 

Область использования: в микроэлектронике . Сущность изобретения: позитивный фоторезист содержит, мас.%: крезолоформальдегидная смола новолачноготипа марки СФ-142Б 18,1-21,75; 1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира 2,4-диоксибензофенона, 3,7- 5,3: 1.2-нафтохинодиаэид-{2}-5-сульфоэфир 2.2 , 4,4 -тетраоксибензофенона 3.8-5,4 или смесь 1,2-нафтохинондиаэид-(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона 1,3-1,57 и 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира 2,2 , 4,4 - тетраоксибензофенона 3,14-5.2, 1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира метиленбис-{2,4-диоксибензофенона) 3.8-5,4; кремний органический блок-сбполилер 0.015-0,03; ксилол 3,45-4,97; МЦА - остальное или диглим 5,52-7,10; ксилол 3,45-4,97; МЦА - остальное. Повышается термостойкость рельефа, снижается микрошероховатость пленки резиста. сужаются проявленные линии. 2 табл. ё

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (ч)5 G 03 F 7/023

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКН Г СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ ". ;.9ИИЯ

" %6НИ

0Н ф-сн, сн (21) 4889838/04 (22) 02.11.90 (46) 30.06.93. Бюл, N 24 (71) Московское научно-производственное объединение "НИОПИК" (72) P.Ä.Ýðëèõ, Н.А.Сахарова, Б,С.Челушкин, Э.А.Кабанова, Д.Б.Аскеров, Т.Н.Чикирисова, Н,В.Шумилкина, А.М.Комагоров, T.T.Ìàðèí÷åHêo, Т.В.Чальцева, О,А.Сердюк, А.И.Дударчик, В,Ш.Абрамович, Н.В.Ладутько и Е.B,Êðóïåíü (73) Московское научно-производственное объединение "НИОПИК" (56) Авторское свидетельство СССР

N. 1217128, кл, G 03 С 1/68. 1984,. (54) ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ (57) Область использования: в микроэлектронике, Сущность изобретения; позитивный фоторезист содержит, мас. :

Изобретение относится к позитивным светочувствительным материалам — фоторе. зистам, применяемым в производстве иэделий микроэлектроники, может быть использовано в микрофотолитографических процессах в технологии больших и сверхбольших интегоальных схем и других прецизионных изделии!

Целью изобретения является повышение термостойкости проявляемого рельефа, уменьшение микрошероховатости, увеличение оптического поглощения пленки фоторезиста.

Эта цель достигается тем, что согласно изобретению в составе фоторезиста, в качестве пленкообразующего компонента ис„„5U„„1825426 А3 крезолоформальдегидная смола новолачного типа марки СФ-142 Б 18,1-21.75; 1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира

2,4-диоксибензофенона, 3,7--5.3; 1.2-нафтохинодиаэид-(2)-5-сульфоэфир 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона 3.8-5,4 или смесь

1,2-нафтохинондиаэид-(2)-5-сульфоэфир

2,4-диоксибензофенона 1,3-1,57 и 1,2-наф1 тохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира 2,2, 4,4тетраоксибенэофенона 3,14-5,2, 1.2-нафтохинондиаэид-(2)-5-сульфоэфира метиленбис (2,4-диоксибензофенона) 3.8-5,4; кремний органический . блок-сбполимер

0.015-0,03; ксилол 3,45-4,97: МЦА — остальное или диглим 5,52-7,10; ксилол 3,45 — 4,97;

МЦА — остальное. Повышается термостойкость рельефа, снижается микрошероховатость пленки реэиста, сужаются проявленные линии. 2 табл. пользуют крезолоформальдегидную смолу новолачнбго типа формулы 1 со средневесовой молекулярной массОй

Mw-7000-17000, полидисперсностью а-716, температурой каплепадения (150-160)

С, и 6-12 — марка СФ-142Б (ТУ 6-05-231277-88); в качестве светочувствительного компонента используют смесь следующих сульфоэфиров:

1825426

1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сул ьфоэфир 2,4-диоксибензофенона формулы !!

ОХ )о О соa и где X=H или 0

D — нафтохинондиаэидная группа (НХ0группа) с массовой долей HXD-групп 58—

68о и

1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфозф ир 2,2, 4,4-тетраоксибензофенона формулы

III

ОХ ОХ ооО соОох ц1, 20 где X=H или О-HXD-группа, с массовой долей HXD-групп 55 — 65 или смесь: 1,2-нафтох и но н див зид-(2)-5-суа ьфоэфира-2,4-диок сибенэофенона /И/. 1.2-нафтохинондиаэид(2)-5-сульфоэфира 2.2, 4,4 -тетраоксибензофенона /1И/ и

1,2-нафтохинондиазид-(2)5-сульфоэф и р-метилен-бис-(2,4-диоксибензофенона) 30 форму IV 013 ОХ

СН2. хо ОХ Р

СО.. СО 35 ф ф где X=H или D (HXD-группа), с массовой долей HXD-групп 40 — 55 ; и дополнительно используют кремнийорганический блокосо- 40 полимер лапрола с полиалкилсилоксаном общей формулы V

СН3

l 1

<Снз)з 1 QSi-O Si Oj $ (СН) (СН2)3 СН, V, -г

О

1 сн

l.

I (H2) 3 и

55 где Я=СНз. C2Hs

Х2-8

V=10 — 120

m-4-50 . n=4-50

50 со средневесовой молекулярной массой

Mw=100000 †2000, в качестве органического растворителя используют смесь метилового эфира ацетатэтиленгликоля (MLIA) и ксилола или смесь метилового эфира ацетатэтиленгликоля, диметилового эфира диэтиленгликоля (диглим) и ксилола, при следующем соотношении компонентов, мас. (,;

Плен кообразующий компонент- крезолоформальдегидная смола новолачного типа (I) 18,1-21 75

Светочувствительный компонент

Смесь

1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира 3,7-5.3

2,4-диоксибензофенона II и 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сул ьфоэфир

2,2, 4,4;тетраоксибензофенона (И I) 3,8-5.4 или смесь

1,2-нафтохинондиазид(2)5-сульфеэфир 2,4-диоксибензофенона(И) 1,3-1,57

1.2-нафтохинондиаэид-(2)-5-сульфоэфира

2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона (1И) и 1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира 3,14-5;2

Метилен-бис(2,4-диоксибенэофенона) (IY) . 3;8-5,4

Кремнийорганический блоксополимер °

Ксилол

МЦА или. диглим

Ксилол

МЦА

0,015-0,03

3,45-4,97

Остальное

5,52 — 7.19

3,45-4,97

Остальное

Существенным отличи емданного изобретения является использование в качестве светочувствительного компонента— смесей сульфоэфиров.

1,2-H афтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир метилен-бис(2,4-диоксибензофенона) получают взаимодействием 1,2-нафтохинондиаэид(2)-5-сульфохлорида с продуктом конденсации 2-х молей 2,4-диоксибензофенона с 1 молем формальдегида. Массовая доля HXD-групп в полученном продукте—

40-557 . 1,2-Нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир-2,4-диоксибензофенона получают взаимодействием 2,4-диоксибенэофенона с

1825426

1,2-нафтохи нондиаэид-(2)-5-сульфохлорид. ом. Массовая доля HXD-групп в полученном продукте - 58-68 1,2-Нафтохинондиазид(2)-5-сульфоэфир 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона получен конденсацией 1,2-нафтохинондиаэид(2)-5-сульфохлорида с 2,2 . 4,4

-тетраоксибенэофеноном в пиридине.

Массовая доля MXD-групп — 55 — 65

Для обеспечения термостойкости пленки фотореэиста на уровне не ниже 140 С в качестве пленкообразующего компонента используются крезоформальдегидная смола марки СФ-142Б, изготовленная из дикреэола технического (ГОСТ 11313-75) с использованием щавелевой кислоты в качестве катализатора со средневесовой малек у л я р н о и м а с с о и Mw=7000-17000, определенной методом ГПХ и температурой каплепадения не менее 150 С.

Использование в качестве добавки пенорегулятора кремнийорганического КЭП2А позволяет обеспечить величину микрошероховатости пленки фотореэиста до и после проявления на уровне не более

10 нм.

Предлагаемый фоторезист позволяет . формировать пленки на пластинах диаметром 76-150 мм с разнотолщинностью не о более +75 А (среднее арифметическое отклонение толщины пленки, измеренное в 5 точках пластины).

Фотореэист может быть использован на оаэличного типа подложках — пластинах монокристаллического кремния с технологическими слоями термического или пиролитического окисла кремния, нитрида кремния, легированного фосфором или бором, поликремния, алюминия и т.д.

Для улучшения адгезии фоторезиста к поверхности подложки пластины перед нанесением фоторезиста обрабатывают промотерами адгезии на основе кремнийорганических соединений, например, гексаметилдисилазаном.

Обработку пластин проводят окунанием, нанесением на центрифуге, выдержкой в парах.

Фотореэист наносят на подложку методом центрифугирования при частоте вращения ротора центрифуги 2000-7000 мин 1.

Сушку сформированной пленки проводят в термошкафу при 90-110 С в течение 30-60 мин или в ИК-сушке установки "Лада-125" . при 100-115 С в течение 15 мин или на горячей плите установки "Лада 150" при

100-110 С в течение 30-60 с.

Толщина сформированной пленки составляет 1,5-1,8 мкм, дефектность пленки (плотность проколов по методу электрогрэфии) не более 0,1 деф.см.

Пленку фоторезиста экспонируют УФисточником с длиною волны Я=360-440 нм на установках контактного (например, ЭМ576) или проекционного (например, ЭМ584) экспонирования.

Скрытое изображение проявляют щелоче боратн ым п роя вителем с кон центра цией щелочного агента 0,22 — 0,32 моль/дм или з силикатфосфатным проявителем с концентрацией щелочного агента 0,15-0.25 моль/дм или проявителем на основе гидроокиси калия (натрия) с концентрацией щелочного агента 0,09-0,15 моль/дм или з безметальным проявителем на основе гидроокиси тетраметиламмония с содержанием щелочного агента 0,16-0,25 моль/дм з при 20-25 С в течение 20-60 с.

Проявление проводят методом окунания, pBcflblABHMA или полива.

Светочувствительность пленки фоторезиста не превышает 80 мДж/см, разреша2 ющая способность (минимальная ширина воспроизводимого элемента) 0,8 — 1.0 мкм для пленки толщиной 1,2 — 1,5 мкм и 1,2-2,0 мкм для пленки толщиной 1.5-2,3 мкм.

Термообработку проявленного рельефа проводят в термошкафу при 120-140 C в течение 20 — 40 мин или методом ИК-сушки на установке "Лада-125" при 100-130 С в течение 8 — 15 минут или на горячей плите установки "Лада 150" при 100-130 С в течение 60 с.

Травление технологических слоев проводят жидкостным или плазмохимическим способами и стандартных травителях и режимах на установке "Лада 21" и "Лада 23".

Плазмостойкость пленки фотореэиста при плазмохимических процессах травления алюминия (отношение скорости стравления пленки фоторезиста к скорости стравливания алюминия) не хуже, чем 1:2, что позволяет при толщине пленки фотореэиста 2,0-2,3 мкм проводить травление слоя алюминия на глубину до 2 мкм.

Пример ы 1-20. Приготовление композиции фоторезиста.

В колбу при перемешивании загружают смесь метилцеллозольвацетата и ксилола, и светочувствительные продукты при 18-23 о

С и размешивают до полного растворения. добавляют диатомит или активированный уголь (масса которого составляет 3-107; от массы светочувствительного продукта). размешивают 1,0-1,5 ч и фильтруют на лвбора1825426 торном друк-фильтре при давлении азота не более 0,2 кгс/см .

Фильтрат собирают в круглодонную колбу с механической мешалкой, добавляют измельченную .крезолоформальдегидную смолу и КЭП-2А, размешивают 3-4 ч до полного растворения кусочков смолы. Полученный фоторезист отфильтровывают через слой диатомита на лабораторном друкфильтре под давлением азота не более 0,5 кгс/см, а затем последовательно через мембраны с диаметром пор 0,5 и 0,25 мкм.

Количественный состав композиции фоторезиста (1 — 20) приведен в табл. 1. Примеры

14-20 показывают ухудшение фотолитографических показателей (внешний вид пленки, дефектность, коэффициент оптического пропускания пленки фоторезиста, мини мально воспроизводимый размер элемента) 20 при использовании в композициях количе-. ственного содержания компонентов, выходящих за пределы значений, указанных в формуле изобретения.

Фоторезист перед использованием 25 фильтруют через фильтр типа "Владипор"

МФЦ с размером пор 0 25 мкм и менее.

Фоторезист, приготовленный указанным способом, наносят методом центрифугирования при частоте вращения 3500 мин 30

-1 на свежеокисленные кремниевые пластины, предварительно выдержанные в парах гексаметилдисилазана в течение 15.-20 мин.

Пленку фоторезиста сушат в термошкафу при 97 С в течение 40 мин, Пленку экспо- 35 нируют на установке совмещения экспонирования ЭМ-576 через тестшаблон с чередующимися темными и светлыми линиями размером 1 и 2 мкм, контролируя дозу с экспонирования--двтчиком ДАУ-81. 40

Изображение проявляют в щелоче-боратном проявителе с концентрацией щелочного агента

0,24 моль/дмз втечение 3(ЖОс.Термообработку проявленного рельефа проводят в термошкафу при температуре от 1220 до 170 С втечение "5

20 мин. После проведения термообработки при заданной температуре контролируют с помощью микроскопа внешний вид проявленного рельефа. Температура, и ри которой происходит полное затекание рельефа, характеризует тер- 50 мостойкость пленки фотореэиста.

Фотолитографические характеристики пленок заявляемого фоторезиста представлены в табл. 2.

Из экспериментальных данных табл. 2 следует:

1. Для образцов фотореэиста (примеры по формуле изобретения) термостойкость пленки фоторезиста (минимальная температура эатекания 2 мкм промежутков С) составляет 145-160 С, по сравнению с 120123 С для прототипа, что обеспечивает проведение процессов плаэмохимического травления слоев без изменения проявленного рельефа за счет локального разогрева.

2. Уровень микрошероховатости исходной пленки фотореэиста и пленки после проявления составляет 10 нм, посравнению с 30-100 нм для прототипе.

3. Фоторезист может быть использован в фотолитографических процессах сильноотражающих подложках с развитым топологическим рельефом, т.к, на проявленном иэображении не наблюдаются локальные сужения линий, обусловленные отражением света при экспонировании.

Примеры 14-20 показывают, как это видно иэ табл. 2, ухудшение фотолитографических характеристик при использовании количественного содержания и качественного состава компонентов, выходящих за пределы значений, указанных в формуле изобретения. Использование в композициях светочувствительных продуктов с массовой долей НХО-групп выше максимальных значений. указанных в формуле, вызывает образование сыпи в пленке фоторезиста: использование светочувствительных продуктов с массовой долей НХО-групп ниже минимального значения, а также пленкообраэующего с М ниже минимального значения,ухудшает разрешение пленки фоторезиста и его термостойкость.

Использование в качестве пленкообразующей смолы с Miv=t8500 и более привбдит к неудаляемым повторной фильтрацией фоторезиста гелвобразным включениям.

Ф о р м ул аи з о б р е т е н и я .

Позитивный фоторезист, включающий пленкообраэующий компонент, светочувствительный компонент и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости проявляемогоо рельефа, уменьшения микрошероховатости пленки фоторезиста, увеличения оптического поглощения пленки фотореэиств для уменьшения эффекта обратного отражения подложек s пленку фоторезиста, вызывающее локальные сужения проявленных линий, он в качестве пленкообразующего компонента содержит крезолоформальдегидную смолу новолачного типа марки СФ-142Б полученную из каменноугольного дикрезола формулы I

1825426

О!=! см сн со средневесовой мол. мас. Mw=7000-17000 и полидисперсностью o=-7-18, температурой каплепадения 150-160 С, п-6-12, в качестве светочувствительного компонен та, содержит или смесь 1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сульфоэфира 2,4-диокси бенэофенона: формулы II

0Х воОсоО

20 где X — водород или 0 — нафтохинондиазидная группа (HXD-группа). с массовой долей

НXD-групп 58-68$. и 1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфозфира

2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона формулы !! !

OX ОХ

Do Q со р ох где Х вЂ” водород, или 0-HXD-группа с массовой долей HXD-групп 55-65$, юли смесь 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-суль- 35 фоэфира 2,4-диоксибензофенона формулы

II, 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфиг ра 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона формулы

I I I и 1.2-нафтохинондиазид, - (2)-5-сульфоэфира метилен-бис(2,4-диоксибензофено- 40 на) формулы IV

ХО где Х вЂ” водород или О-HXD-группа, с массовой долей HXD-групп 40-55, дополнительно содержит кремнийорганический блокосополимер лапрола с полиалкилсилоксаном формулы V

55 сн

I l 3 с з)зй-of si-О)+ ; >j, ЗЬ (СН2) с)<

О

I сн

I где R-СНз, СрНв, сн> х=г-в

V=10 — 120; о щ 4-50; (снРЬ п=4 — 50, Крезолформальдегидная смола новолачного типа марки СФ-142Б— смесь: 1,2-нафтохинондиазид-(2)5-сульфоэфира

2,4-диоксибензофе нона формулы И—

1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона

18. 1-21,75

3,7-5Я;

3.8-5.4; формулы !!!— или смесь: 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сул ьфоэфир

2,4-диоксибензофенона формулы II 1,3 — 1.57:

1.г-нафтохинондиаэид-(2)-5-сульфоэфир 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона формулы !!!— 3,14-5,2;

1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир метилен-бис (2,4-диоксибензофенона) формулы !Ч вЂ” - 3,8-5,4; кремнийорганйческий блоксополимер лапрола с полиалкилсилоксаном формулы Ч 0,015-0,03: ксилол 3,45-4.97;

МЦА— Остальное; или диглим 5,52-7,10; ксилол 3.45-4,97:

МЦА— Остальное со средневесовой мол. м. Mw=100000200000, в качестве органического растворителя она содержит смесь метилового эфира ацетатэтиленгликоля (МЦА) и ксилола или смесь метилового эфира ацетатэтиленгликоля, диметилового эфира диэтиленгликоля (диглим) и ксилала при следующем соотношении компонентов, мас. (,:

12 в

СО сч л а

Ф а в

an о с о о

Л 1 СЧ

an м

О CO о -е о м ф о а о

° СО

an

ЪО М

С! о о в о ! л ф

Р л

1 ъО! ч

Cl л

Ф а юъ

С3

О а ° а в

С3

I ОЪ

1

1 в

aA о! !

1 CD

Г

Cl о а о л в а

« .м о Ф

О с

° CD

--3

Cl

--3 сч

° с! с!

» а

an м

Cl о о о

Р ° л л в о

CO .4й 3

o an а

ОЪ а о в о а

o o л о о с3 м

С3 м

ca3 ° О

Cl

О

ОЪ

an в о

О а

1

I ъО !

Р

a O aO о л Ф В о сч в о о м ъО!

«Ъ

«О

1 сО о о

СО а м м о л а

С3

° с а, а в

I а с !

1 о о о Ф

О сч м о м о м о о в о о м

О сп ъО л а ъО о

ОЪ

an .т" а а в

О с

С3

° Ъ

«О

СВ о л

Р В о ««о в и в ! ч м о Ф

С3 -СС аА

3! м

° ъО е

Ю)

° О Ю о

5 О

С3

Ф съ а

an в сч ° ап» о в. О аА о о в

» ° о -Ф а а

CD ° в оа

° сч

Ф °

«О о

» OO ° в м

Cl о о

Р л л ф о

° Ф

an а 3

1 с3О3

С 1-3. сч м

° 1

3 У с

3 1 и и р

I:) В

C е с а

z !

СВ с

Ц

Ь В. (3

1, 1

I.

В

I (« ссс

3С 2 о х

1 1

-1 o

I 1

f31 1

1 °

МВ

3l

ci

I I!

1

О

I и

М

З

3

2

f, C3 а О о» »в л л

1825426 о а

Ф м с\» o3 ° м а, О м v o ((Ц

31

1 В и м м о в о в

» о -т О и

° ь о î о о а аА о л а! ч л о в 3

° - а

Ю 1 О

» а о

М О,ВФ, и, a» в м

° - сч 40 м

1825426

I е б- а

vne

O 4(Z у az

4 е (о

v а в с

ЭZO (zco

ВО У

СЭ

4Ч

СЭ

1 ас 9 z (ао в (т. о v о an

О ОЪ сА

an -э сч

Ю (О

1 ЪО

СЭ,о

СО

4 Ъ 44Э

СЭ о

СО

ЪО

Ю

Ю

О О .О

an

СО СО Л (1

4O g e

3Z8 с иъ сч

СЭ

Ю в в у

z в с с

Ю сЧ (О Ъ

Ч;4 ЪО

СЭ о

° 4

an съ а о

lA

Ю

Ю

О ОЪ

О

Е -т 4Ч

Ю

ЪО л м (ч

СЭ

lA

4»Ъ а сч

Ю

4 Ъ (ч

an O е д 1 (ЪаО

zeIк(-v

Ю

Ю о о е

ОЭ ОЪ ОЪ

1 в а е о (n v

СЭ

4 4 с»

CI а

ОЪ

-Ф О

Ю

° »Ъ

lA е

Сс о

ОЭ

О Ф

СЭ

4 (СЭ

СЭ о о

О ОЪ о сч

lA Ф СЧ

Ю

»О л

М ° Ъ

СЭ

an

ОЭ

ЧЭ сч

Ю

ОЭ

ЪО -Э ееп в ае

* o (z(-v

СЭ о о е оЭ Оъ

1 (о в зр ф

3 ос а е

I в а е

1,"*

Зов

Z i- (о

44

СЭ

СЭ

-О

Ю е л м чэ

С4

4 Ъ е

lA р е

ca e т с х с

СЭ

4Ч

an м

1 х в о

o e (- а

И 4( о m у а

С4

4 4

CI

Cl о о

О ОЪ о -т а -т сч

СЭ

О

ОЪ

Ю е об (Э »4

C I

У !!!, ze(х (- и

СЭ оЭ

О О

Ю о о м

Ю

Л I o

О4

Ю и (О

О м

Ю

СЭ

СЭ

СЭ

ЪОЭ

О\

° Ю

О\ С4 оЭ е оЭ

an -э

СЭ л

00 и \

4(С(СЭ

Ю о î сч о (4 сч

С4

lA с 4

СЭ

СЭ

СЭ

О й

СЭ а

О -Ф

1 °

g O!

C 4

1 л р

1 о

49

ЭР

I5

У

4Z

Ъ.

- СЭ

В (ЧZ и о i y

C 1

В а и3

% о ос а 8

3 3

v v

У 2

j 9!

° j

Р 44

4ег с ас ЭС у а р

ЭС С г>- 3 г 3 г„М "Ф

1 1

1 I

I 1

1 и гд i 3

I e I e

1 94 1 Ф (9

,:«1i!

3! g! R!

9! а! 2 Ъ

1 1 Е

1 1! I e

1 1 3

1 1 !! л

1 I 9! (Ъ-, ! (".

1 ° б 1 (»

1 13!! з

° г е

I 1 1° u! 3

I 1

I 1 ф! Я г

1 I С

1 е

1 г ° гу

1ь

1, го!

1 (Ч 1

I

1 1 !

1 1

I 1

ОЪ 1

1

1 I

I Ю 1

I 1 ! 1

1 1

1 1 бл!

1 I

1 1 ! г

1 1

1 ЪО

1 1

1 — 1 г

i an!

1 9 ! 1

1!

11

1 1

1 "Ъ!

1 I

) — 1

1 1

94 — 9 !

1 1

1 1

1

1

I г

ЛО

44 и

lA е о

I сч Ч в

Z 1-т

О ф е

2« Ю!

v 2*

6 C O Z

1 " -9 !

8 с

44 Л и

Эо 1 ° ° oc

° 1- I 2

R z

g99j2 г 1 1

1 а

49 Л( с и О

I Л е е z с И

5 9»CZ ф ф(ч"

v i в

3 ai ес ч 9 о м

СЧ. CI

lA а м о со

CI С

ОЪ (О

-т л е

lA (ч

Ю

О\

lA

I 4О

44\

О (Ч М

ОЪ ИЪ

CO

-т а а

ОЭ

СЭ СЭ

ОЪ

4 Ъ

--О 1 »О

СО

Ю OO

ОЪ О

4О л an

° с

ОЪ ч\

Ф 1 чЭ

4(Ъ

4 Ъ 4 \

co an м.

-.к ОЭ а

an иъ е о

ОЪ м л an

Ц\ л о

СЭ

ЪО

I чЭ

ze(v

ОВ8С( а в

vnea овсое уazn(1 1

«ескв веуус ав z c

1 к *3

ЕОi ЭВ

У Z З I- И и аО u n

У в (- О е

z (- v z а

С г

Е I

У и

Э4 I с

I

I

I

1 (4

I

I

I

1

1

1

I

I

I (1

1

1

1

I !

I

I

1 ! !

1

I

I

1

1

I

1 !

I

I !

1

I

1

I ( (I

1

I (!

I

I

1

1

1

1

1

1

1

I

1

1 !

1

С 1

1

u i

ЭС 1

1825426

Таблица 2

Фотолитографические показатели заявляемого фотореэиста

Фотолитог а ические покаэатели

Пример

Микродефект ность деф! см

30 — 100

120

2,0

П ототип

0,1

145

1,0

0,07

155

1,0

0,072 о,о70

0,9

155

0,069

150

1,0

156

0,9

0,071

150

1.0

0.068

1.0 5

155

0,073

1,0

0l070

155

1,0

0,069

1,0

150

0.056

1,0

0.071

155

1,0

150

0.068

1.0

160

0,070

135

2,0

0.15

23

1,5

0.21

160

35

2,0

135

0,10

28

1,5

0,25

165

25

2,0

135

О,О6

25

0.35

170

135

0,06

Термостой- Микрошерохокость пленки, ватость пленОс ки. нм

Коэффициент оптического поглощения, Минимально воспроизводимый размер элемента, мкм