Интегральный полупроводниковый преобразователь давления
Использование:измерение нестационарных давлений. Цель - расширение диапазона измерения. Сущность изобретения: упругий элемент выполнен в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тензорезисторами X, соединенными в измерительные мосты. В пластине выполнено п каналов подвода давления путем образования со стороны, противоположнойрасположению тензорезисторов , п углублений на различном расстоянии от поверхности расположения тензорезисторов. Преобразователь давления снабжен дополнительными тензорезисторами , соединенными в соответствующие дополнительные измерительные мосты, количество которых составляет п-1, примем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений. 1 ил.
СОКО СГ ВЕ ВСКИХ
СОЦИАЛИ,1 ИНЕСКИХ
РЕСПУВЛИК (s»s 6 01 (9/04
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕН Т СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2 1) 4902449/10 (22) 19.01.91 (46) 30.07.93. Бюл. ¹ 28 (71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт гео.физических исследований геологоразведочных скважин (72) А.А,Шакиров, P.Â.Êèòìàíîâ и Г.В.Цыганов (56) Авторское свидетельство СССР
¹ 1527525, кл. G 01 1 9/04, 1988.
Авторское свидетельство СССР № 1582035, кл. G 01 (9/04, 1987. (54) ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ (57) Использование;измерение нестационарных давлений. Цель — расширение диаИзобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления в нестационарных условиях измеряемой среды.
Целью изобретения является расширение диапазона измерения.
Интегральный полупроводниковый преобразователь давления содержит упругий элемент в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тензореэисторами, соединенными в измерительный мост. В пластине выполнено и каналов подвода давления путем образования со стороны, противоположной расположению тензорезисторов, и углублений на различном расстоянии от поверхности расположения тензорезисторов. Преобразователь давления снабжен дополнительными тензорезисторами, соединенными в соответствующие дополнительные измеритель„„50ÄÄ 1830470 А1 пазона измерения. Сущность изобретения: упругий элемент выполнен в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тенэореэисторами Х, соединенными в измерительные мосты. В пластине выполнено и каналов подвода давления путем образования со стороны, противоположной расположению тензорезисторов; и углублений на различном расстоянии от поверхности расположения тензорезисторов. Преобразователь давления снабжен дополнительными тензореэисторами, соединенными в соответствующие дополнительные измерительные мосты, количество которых составляет п-1, причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений. 1 ил.
I ные мосты, количество которых составляет и-1. причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений, На чертеже изображен интегральный полупроводниковый преобразователь давления.
Устройство содержит упругий элемент
1, тензореэисторы 2, углубления 3.
Тензорезисторы и углубления создаются на полупроводниковой пластине методом микроэлектронной технологии.
Работа преобразователя осуществляется следующим образом. При подаче измеряемого давления Р на упругий элемент 1 последний воспринимает это давление и передает гензореэисторам 2, которые преобразуют его в электрический сигнал. Так как имеется три канала подвода давления по! 00 Сд О ф с (.;)
1830470
Составитель Г. Дмитрюкова
Редактор M. Кузнецова Техред M,Màðãåíòàë Корректор П. Гереши
Заказ 2519 Тираж Подписное, 8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 сути. как бы давление измеряется тремя датчиками с различной чувствительностью. Наибольшая чувствительность у датчика; углубление которого находится ближе к поверхности упругого элемента со сформированными тенэорезисторами. Наименьшая чувствительность у датчика, углубление которого находится дальше от поверхности упругого элемента со сформированными тензорезисторами, Тензореэисторы, сформированные на границах углублений, объединены в отдельные мосты (полумосты). При и =2 имеется три отдельных измерительных моста (полумоста).
Толщина упругого элемента наибольшей чувствительности рассчитана на измерение предельного значения давления.
Повышение точности и диапазона измерения в конечном итоге позволит повысить достоверность определения подсчетных параметров.
Формула изсбретения
Интегральный полупроводниковый преобразователь давления, содержащий упругий элемент в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тензорезисторами, соединенными в измерительный мост, в которой выполнено и каналов пбдвода давления путем образования со стороны, противоположнаи распо10 ложению тензорезисторов, и углублений на различном расстоянии от поверхности расположения тензорезисторов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения диапазона измерения, он снабжен дополнительными
15 тензорезисторами, соединенными в соответствующие дополнительные измерительные мосты, количество которых составляет п-1, причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений.
