Логическ.ая схема

 

Союз Советскив

Социалистическив

Республик t

Кл. 42izT;14-- — --21а>, 36/18

Зависимое от авт. свидетельства ¹ 164474;.

Заявлено 10.1.1966 (№ 1048819/26-24) с присоединением заявки №

МПК б 06i

Н 031

УДК 681.142-523.8(088.8) Приоритет

Опубликовано 31.V.1967. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 4.И11.1967

Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Автор изобретения

Е. М. Скороходов

Заявитель

ЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА

Если на клемму n подать инверсное зна20 чение сигнала B — n, т. е. В вЂ, то а вольтамперных характеристиках у переходов база †эмитт транзистора Т вЂ” (n — 1) и база— коллектор транзистора Тп рабочие точки смещаются в области, близкие к проводящим. В момент совпадения сигналов А — (п — 1) и  — n рабочая точка на вольтамперной характеристике у перехода база — эмиттер транзистора

T — (n — I) смещается на проводящий участок.

В результате резко уменьшается сопротивле30 ние в области перехода коллектор — эмиттер

Известна логическая схема «И» — «ИЛИ» по основному авт, св. № 164474, содержащая и последовательно включенных транзисторов и сопротивления нагрузки, подключенные между источником коллекторного питания и точками соединения коллекторов предыдущих транзисторов с эмиттерами последующих.

Особенностью предложенной логической схемы является то, что в ней между точками соединения эмиттеров предыдущих транзисторов с коллекторами последующих и «землей» подсоединены ключи.

Это позволяет использовать любые из

«и + 1» клемм коммутации для совместного выполнения операций ввода и сьема информационных сигналов, т. е, увеличить число реализуемых переключательных функций.

На чертеже изображена схема логического элемента релейного действия.

Логический элемент содержит и последовательно включенных транзисторов Т вЂ” 1 ... Тп, нагрузочные сопротивления R — 1 ... Я (п+1), устройства формирования коммутируемых сигналов à — 1 ... à — (и+1). На клеммы управления 1 ... и поступают сигналы А — 1 ...

А — n. Коммутируемые сигналы  — 1

 — (и+1) подаются на клеммы 1 ... (и+1) .

Будем считать единичными сигналами те, что соответствуют потенциалу коллекторного полюса источника питания, а инверсными— потенциалу эмиттерного полюса источника питания.

В этом случае при наличии единичных значений коммутируемых сигналов и инверсных значений сигналов упр авления транзисторы находятся в режиме, когда рабо.ие точки на вольтамперных характеристиках у переходов коллектор — база и эмпттер — база всех транзисторов смещаются в глубокие области непроводящих участков, Это происходит под влиянием коллекторного полюса источника питания через сопротивление нагрузки. Внутренние сопротивления на указанных переходах оказываются большими, поэтому на клеммах коммутации выходное напряжение и сопротивление выхода становятся соизмеримыми с параметрами клемм 1 известных схем.

197285

Z — 1= — 1i/А — 1  — 2х/... i/А — 1...А — К...A — (n — 1) B — n.

А — 1...А — К ...А — (и — 1) - А — и .  — (и —, 1) Zn = A — 1... А — К... А — (и — 1)  — 1,/... Q..,/A — (и — 1)  — (и — 1) \/ — и /А — и  — (и 4- 1) Z — (и+ 1) = А — l... А — К, А — и  — l g ..... 1/ А — и  — и 1/  — (и + 1) Предмет изобретения

Составитель В. Ростовцева

Редактор И. С. Грузова Техред А. А, Камышиикова Корректоры: Л. В. Наделяева и Г. Е. Опарина

Заказ 2395/19 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 у транзистора T — (n — 1), и на клемме (n — 1) реализуется функция

2 — (n — 1) =А — (n — 1)  — и.

При совпадении сигналов А — n и  — n рабочая точка на вольтамперной характеристике у перехода база — коллектор транзистора

Ти смещается в область проводящего участка. Это вызывает резкое уменьшение сопротивления в области перехода эмиттер — колЛогическая схема по основному авт. св. ¹ 164474, отлича ощаяся тем, что, с целью лектор указанного транзистора, и на клемме (и+1) будет реализована функция

Z — (и+1) =А — n °  — и.

Таким образом, кроме известной дизъюнктивной (коныонктивной) переключательной функции Zz. дополнительно может быть реализовано и высказываний функций сложного вида. В общем виде они выражаются следую10 щим образом: расширения логических возможностей схемы, в ней между точками соединения эмиттеров предыдущих транзисторов с коллекторами последующих и «землей» подсоединены ключи.