Патент ссср 208366
Союз Советских
Социалистических
Республик — I
Зависимое от авт. свидетельства №
36
36. 00
Заявлено 12. Л1,1965 (№ 1016817/26-25) 06f
03k
8-091.81 (088.8) Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 29.XII.1967. Бюллетень № 3
Дата опубликования описания 25.111.1968
Автор изобретения
В. Г. Фильков
Заявитель
НЕЙРИСТОР с присоединением заявки №
Известны нейристоры, представляющие собой распределенную многослойную структуру, состоящую из нескольких полупроводниковых слоев и двух шин питания.
Описываемый нейристор отличается тем, что полупроводниковые слои представляют собой два распределенных транзистора (один р-п-р, а другой n-p-n типа) и один распрвделенный туннельный диод. По коллекторам транзисторов проложены шины питания, а диод расположен между эмиттерами транзисторов. Базы транзисторов по всей длине соединены с источником смещения через распределенные сопротивления.
Нейристор возбуждается и передает возбуждение посредством двуполярных электрических импульсов. Возбуждение и формирование импульсов по амплитуде происходит вследствие туннельного эффекта в распреде. ленном туннельном диоде. Длительность формируемых импульсов определяется зарядом н разрядом емкостей переходов эмиттер — база двух распределенных транзисторов.
Схема описываемого нейристора предусматривает возможность триггерного и рефракторного соединения с другими нейристорами.
Триггерное соединение двух нейристоров осуществляется соединением эмиттеров .р-и-р транзисторов обеих линий при помощи распределенного сопротивления, а также соединением эмиттеров и-р-п транзисторов при помощи такого же сопротивления.
Рефракторное соединение двух нейристоров осуществляется перекрестным включением pai,пределенных сопротивлений между эмиттером р-п-р транзистора первой линии и эмиттером и-р-и транзистора второй линии, а также между эмиттером и-р-п транзистора первой линии и эмиттером р-и-р транзистора второй линии.
Предмет изобретения
Нейристор, представляющий собой распределенную структуру, состоящую из нескольких полупроводниковых слоев и двух шин питания, отличающийся тем, что, с целью формироьания импульса по амплитуде и по длительности, а также возможности триггерного и рефракторного соединения с другими нейристорами, он выполнен в виде двух распределенных транзисторов (один р-п-р, а другой п-р-п типа), по коллекторам которых проложены шины питания, а между эмиттерами раоположен распределенный туHíåëьный диод; базы транзисторов по всей длинс соединены с источником смещения через распределенные сопротивления.
