Способ получения рисунка на поверхности

Авторы патента:

G03F7 - Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей (использующие фоторезистные структуры для специальных процессов см. соответствующие подклассы, например B44C,H01L, а также рубрики, например H01L 21/00,H05K)

1. Способ получения рисунка на поверхности, включающий нанесение функционального рентгеночувствительного слоя на подложку, экспонирование рентгеновским излучением через рентгеношаблон, проявление скрытого позитивного и/или негативного изображения, отличающийся тем, что в качестве функционального рентгеночувствительного слоя наносят вакуумно-термическим методом слой фталоцианинов металлов.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения позитивного изображения проводят экспонирование слоя фталоцианинов металлов рентгеновским излучением дозой 3 - 5 кДж/см³.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения негативного изображения проводят экспонирование слоя фталоцианинов металлов рентгеновским излучением дозой 30 - 40 кДж/см³.

Изобретение относится к способам нанесения изображений на поверхности, в частности с размерами изображений до десятков метров

Фотополимеризующаяся композиция // 2071610

Способ изготовления масок // 2064689

Носитель информации и устройство для его изготовления // 2060608

Устройство для совмещения и экспонирования // 2059984

Изобретение относится к производству интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, а именно к технологии ренгенолитографии, может быть использовано в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования

Азидозамещенные 2-ариламино-3-циклоалкиламино-1,4- нафтохиноны в качестве фоторезистов для вакуумного осаждения // 2059613

Изобретение относится к новым химическим соединениям, конкретно к 2-(4-азидоариламино)-3-циклоалкиламино-1,4-нафтохинонам общей формулы: где Х N3, CH2C6H4N3, Y N, N, NO Азидосодержащие 2-ариламино-3-циклоалкиламино-1,4-нафтохиноны указанной общей формулы могут применяться для получения фоторезистивной пленки путем вакуумного осаждения

Фотополимеризующаяся композиция для изготовления защитных масок печатных плат // 2056645

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления печатных плат

Способ маркировки изделий (варианты) // 2055451

Сухой пленочный фоторезист // 2054706

Изобретение относится к составам сухих пленочных фоторезистов (СПФ), которые используются для изготовления печатных плат фотохимическим способом

Устройство для изготовления трехмерных изделий из фотоотверждающихся материалов // 2048293

Изобретение относится к машиностроению и приборостроению и может быть использовано для изготовления трехмерных изделий сложной конфигурации из фотоотверждающихся материалов

Позитивный фоторезист // 2100835

Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике

Динатриевая соль 2,2-бис-(3-сульфоксипропилокси)- фенилэтанона как фотоинициатор радикальной полимеризации // 2109732

Изобретение относится к синтезу и использованию нового бифильнорастворимого фотоинициатора радикальной полимеризации фотополимеризующихся композиций (ФПК) 2,2-бис- (3-сульфоксипропилокси)- фенилэтанона нижеприведенной формулы

Фотополимеризующаяся композиция для изготовления эластичных фотополимерных печатных форм // 2114454

Изобретение относится к химико-фотографическим фоторезистивным формным материалам, в частности к фотополимеризующимся композициям (ФПК) для изготовления эластичных печатных форм для флексографической печати в полиграфии

Полиорганосиланы и двухслойная позитивная маска для фотолитографии на основе полиорганосилана // 2118964

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Полиорганосиланы и двухслойная позитивная маска для фотолитографии на основе полиорганосилана // 2118964

Состав разбавителя для смывания ненужного фоторезиста на пластине в процессе изготовления полупроводниковых устройств (варианты) и способ смывания ненужного фоторезиста (варианты) // 2126567

Фотополимеризующаяся композиция // 2127444

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха

Фотополимеризующаяся композиция // 2127444

Способ изготовления элементов световода // 2129722

Способ получения рельефа на поверхности // 2129960

Изобретение относится к технологии формирования на поверхности материалов рельефных элементов и может найти применение, например, в области полиграфии при изготовлении печатных форм (клише) для высокой печати, а также в других областях техники, где необходимо получение рисунка заданной глубины с субмикронным разрешением структур формируемых рельефных элементов в функциональных (обрабатываемых посредством механического воздействия) слоях изделий