Магнитный носитель информации

 

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах. Магнитный носитель информации содержит подложку и нанесенные на нее чередующиеся диэлектрические и магнитоактивные слои, обладающие перпендикулярной магнитной анизотропией. В качестве приподложечного и промежуточного слоев введены слои GeO, а в качестве отражающего слоя - магнитный слой DyFeCo. Техническим результатом при осуществлении изобретения является увеличение полярного магнитооптического эффекта Керра и увеличение магнитооптической добротности в области длин волн = 0,78-0,82 нм при считывании со стороны подложки. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области информатики и вычислительной техники и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах.

Известен магнитный носитель информации для магнитооптических запоминающих устройств, представляющий собой аморфную пленку DyFeCo с перпендикулярной магнитной анизотропией, полученную методом электронно-лучевого испарения на предварительно нанесенный на диэлектрическую подложку диэлектрический слой ZnS, с защитным слоем SiO2[1]. Достоинством такого носителя является сравнительно большое значение полярного магнитооптического эффекта Керра при считывании со стороны подложки (k= 0,65 при = 820 нм) по сравнению с k= 0,35 без диэлектрического слоя.

Однако носитель обладает следующими недостатками: небольшой показатель преломления (n=2.2) ZnS не позволяет получить большую величину k; недостаточно большое значение магнитооптической добротности Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому носителю является магнитный носитель информации, представляющий собой 4-х слойную интерференционную структуру, в которую входит аморфная пленка DyFeCo, получаемая методом распыления, заключенная между диэлектрическими слоями AlN и покрытая сверху отражающим слоем AlTi [2]. Достоинством такого носителя является более высокое значение магнитооптического полярного эффекта Керра (k= 1,1 при = 780 нм) и возможность получения оптимальной величины эффективного показателя преломления за счет выбора соответствующих толщин магнитных и диэлектрических слоев.

Однако носитель обладает недостаточно высоким эффективным показателем преломления (n 2), определяющим, в конечном счете, максимальные значения k. Техническим результатом при осуществлении изобретения является увеличение полярного магнитооптического эффекта Керра и увеличение магнитооптической добротности в области длин волн = 0,78-0,82 нм при считывании со стороны подложки.

Известно [3], что диэлектрический слой толщиной /4, нанесенный на магнитную пленку, в результате интерференции отраженных от границ раздела лучей увеличивает угол вращения Керра системы в n2, где n - показатель преломления диэлектрического слоя. Эксперименты продемонтрировали увеличение k в 1,6 раз, если пленка TbFe является магнитным слоем, а диэлектрическим слоем служит пленка SiO (n 1,9) [4] и увеличение в 1,75 раз, если в качестве диэлектрического слоя используется пленка ZnS (n = 2,2) [1]. Следовательно, представляется целесообразным использование диэлектрических слоев с большими показателями преломления.

Известно [5] , что применение отражающего покрытия является необходимым для максимального использования интенсивности падающего света при сравнительно малых толщинах магнитного слоя. С другой стороны, если толщины приподложечного и промежуточного диэлектрических слоев равны /4 и /2 соответственно, то отраженный от отражающего слоя свет возвращается в фазе с компонентой, отраженной непосредственно от магнитного слоя, и происходит сложение амплитуд выходных лучей, то есть имеет место интерференционное усиление. Несмотря на то, что аморфный магнитный слой имеет коэффициент отражения (R 50%) ниже, чем для слоя Al или Cu, его можно использовать в качестве отражающего слоя. При этом величина магнитооптического (МО) вращения Керра системы в целом будет определяться не только МО активностью промежуточного магнитного слоя, но и активностью отражающего слоя (магнитного зеркала).

Технический результат осуществляется благодаря тому, что в магнитный носитель информации в качестве диэлектрического приподложечного и промежуточного слоя вводится моноокись германия (GeO, n 2,8), а в качестве отражающего покрытия вводится магнитный слой DyFeCo с перпендикулярной магнитной анизотропией.

В вакууме 3 10-4 Па на диэлектрическую (стеклянную) подложку толщиной 0,2 мм, температура которой в процессе напыления поддерживается равной 20 - 30oC, методом термического испарения последовательно осаждали диэлектрические (GeO) и магнитные (DyFeCo) слои. Полученную структуру (фиг. 1) покрывали защитным слоем GeO. Приподложечный слой GeO выбирали толщиной в интервале 60 - 102 нм. Толщина первого магнитного слоя составляла 10 нм. Толщина второго диэлектрического слоя была выбрана равной 34 нм. Второй магнитный слой, который является и отражающим, выбирали больше окин-слоя и он составлял 70 нм. Толщина слоя была равной 150 нм. Контроль толщин и скорости осаждения осуществлялся с помощью кварцевого измерителя. Состав магнитных слоев выбирали таким образом, чтобы слои обладали перпендикулярной анизотропией, а именно, 20 ат.% Dy и 80 ат.% FeCo, где Fe и Co выбраны в соотношении 2:1. Такое соотношение компонент в магнитном слое обеспечивает оптимальную величину коэрцитивной силы (Hс 3 кЭ) и максимальное значение полученного магнитооптического эффекта Керра для одного слоя. Наиболее важные характеристики полученных образцов приведены в таблице.

Сравнительный анализ приведенных в таблице данных позволяет выявить, что оптимальными свойствами обладает носитель с приподложечным и промежуточным слоями толщиной 81 нм и 34 нм, соответственно. При этом значение k= 1,5 град и магнитоооптическая добротность превосходят аналогичные параметры для известного носителя.

Таким образом, введение диэлектрических слоев из GeO в качестве приподложечного и промежуточного, и введение магнитного слоя DyFeCo в качестве отражающего позволяет увеличить значения полярного магнитооптического эффекта Керра и увеличить магнитооптическую добротность.

Литература 1. Tanaka F., Nagano Y., Imamura N. Dynamic read/write characteristics of magnetooptical TbFeCo and DyFeCo disk. IEEE Trans.Magn., v. MAG-20, N5, p. 1033-1035, 1984.

2. Tabata M. Magnetooptical storage media using DyFeCo film for magnetic field modulation direct owerwriting. Jpn. J. Appl. Phys., v 33, N 10, p. 5811-5816, 1994.

3. Соколов А.В. Оптические свойства металлов M., 1961, с 464.

4. Niihara T., Ohta N., Kaneko K., Sugita Y., Horigame Sh. Kerr enhancement by SiO and AlN films sputtered on plastic substrates. Ieee Trans. Magn., v. MAG-22, N 5, p. 1215-1217, 1986.

5. Nakamura K., Asaka T., Agari S., Ota Y., Jtoh A. Enhancement of Kerr rotation wit hamorphous Si film. IEEE Trans. Magn., v. MAG-21, N5, p. 1654-1656, 1985.

Формула изобретения

Магнитный носитель информации, содержащий подложку и нанесенную на нее слоистую структуру из чередующихся диэлектрических, магнитного и отражающего слоев, обладающую перпендикулярной магнитной анизотропией, отличающийся тем, что диэлектрические приподложечный и промежуточный слои выполнены из GaO, а отражающий - из магнитного материала DyFeCo, нанесенного сверху.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано при изготовлении перепрограммируемых элементов памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при конструировании микросборок на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при конструировании накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH4OH) или гидразин-гидрата (N2H4·H2O) в течение 5,0-15,0 часов. Технический результат - уменьшение разброса наночастиц магнетита и маггемита по размерам, получение нанокомпозиции равномерной структуры. Полученная структура может использоваться в качестве запоминающей среды для сверхплотной магнитной записи информации. 2 ил. 1 пр.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении возможности устранить энергетический барьер между двумя стабильными состояниями во время переключения. Магнитоэлектрический запоминающий элемент содержит магнитный элемент, имеющий два направления стабильного равновесия своей намагниченности, причем эти направления не являются противоположными между собой; пьезоэлектрическую или электрострикционную подложку, механически связанную с упомянутым магнитным элементом; и, по меньшей мере, первый и второй электроды, выполненные с возможностью приложения электрического поля к пьезоэлектрической или электрострикционной подложке таким образом, чтобы упомянутая подложка действовала на упомянутый магнитный элемент неизотропным механическим напряжением, вызывающим переключение состояния намагниченности упомянутого магнитного элемента за счет магнитострикционной связи. 5 н. и 14 з.п. ф-лы, 23 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для использования в качестве активного элемента в таких устройствах волноводного тракта, как управляемые магнитным полем полосовые фильтры, фазовращатели и амплитудные модуляторы. Технический результат состоит в повышении активности пленочной магнитной структуры, то есть ее способности изменять свою высокочастотную эффективную магнитную проницаемость под воздействием внешнего управляющего магнитного поля. Структура содержит тонкопленочные металлические ферромагнитные слои, каждый из которых отделен от соседнего слоя немагнитным диэлектрическим слоем разбиением. Все тонкопленочные металлические ферромагнитные слои разбиты на множество электрически изолированных участков, размеры которых меньше одной восьмой части от длины электромагнитной волны в слое немагнитного диэлектрика. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Наверх