Способ измерения толщины тонкого слоя прозрачной жидкости

 

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости. В способе используется явление термокапиллярной конвекции, которая возбуждается лазерным излучением в слое жидкости. За счет конвекции поверхность жидкости деформируется в виде углубления в области падения лазерного луча. Отраженный от углубления луч лазера формирует интерференционную картину. Толщину слоя жидкости определяют по минимальному диаметру интерференционной картины. Способ позволяет повысить точность, расширить диапазон и упростить схему измерения толщины слоев оптической прозрачной жидкости. 2 ил.

Предлагаемое изобретение относится к оптическим способам измерения толщины слоя прозрачной жидкости.

Известен способ [1], в котором на исследуемую гладкую поверхность направляют узкий луч света. При наличии на поверхности прозрачного слоя луч формирует на ней яркую многозональную область, которая считывается удаленным датчиком. Размеры области зависят от толщины слоя. Способ неприменим для измерения толщины прозрачного слоя на матовой (диффузно рассеивающей) твердой поверхности или слоя жидкости неоднородного по толщине из-за отклонения от горизонтальности плоской твердой поверхности, на которой находится слой. Кроме того, для измерения толщины тонких слоев жидкости с точностью порядка нескольких микрометров, необходим датчик с высокой разрешающей способностью.

Предлагаемый способ позволит повысить точность, упростить схему и процесс измерения толщины слоев оптически прозрачных жидкостей и расширить диапазон измерений на слои жидкости на матовой поглощающей излучение поверхности и на слои на твердой плоской поверхности, толщина которых неоднородна из-за негоризонтальности поверхности.

Способ состоит в том, что в слое жидкости лазерным пучком создают область возбуждения в виде фотоиндуцированного термокапиллярного (ТК) конвективного вихря, приводящего к динамической деформации свободной поверхности жидкости в виде углубления. Толщину слоя в точке падения лазерного пучка определяют по минимальному диаметру ТК отклика, который в случае неоднородности толщины слоя жидкости из-за негоризонтальности твердой поверхности имеет характерную форму, зависящую от угла наклона подложки к горизонтальной плоскости, фиг. 1.

Пример. На фиг. 1 показаны две серии фотографий ТК отклика, полученные при облучении пучком He-Ne лазера (мощностью 1 мВт) слоев октана разной толщины на одной и той же эбонитовой подложке. Снимки (слева направо) расположены в порядке возрастания угла наклона плоскости подложки к горизонтальной плоскости, но при постоянной толщине слоя в центре индуцирующего конвекцию лазерного пучка.

Схема эксперимента показана на фиг. 2. Здесь 1 - индуцирующий конвекцию лазерный пучок; 2 - поглощающая излучение подложка, угол наклона подложки к горизонтальной плоскости может изменяться путем ее вращения вокруг оси 3, благодаря чему толщина слоя жидкости 4 в сечении плоскости оси вращения подложки остается равной толщине слоя жидкости при горизонтальном положении подложки и не зависит от угла наклона подложки. ТК отклик фотографируется зеркальным фотоаппаратом 5 (без объектива), прямым проецированием на фотопленку.

Небольшая эллиптичность ТК откликов при = 0o связана с эллиптичной формой пучка лазера, используемого в экспериментах. Верхняя серия фотографий соответствует слою жидкости толщиной 260 мкм (в сечении оси вращения сосуда), нижняя - 200 мкм. ТК отклик характеризуется двумя взаимно перпендикулярными диаметрами. Один из диаметров ТК отклика (на фотографиях горизонтальный) не зависит от угла наклона подложки и определяется толщиной слоя жидкости в центральной точке лазерного пучка. Другой диаметр отклика (на фотографиях вертикальный) растет с увеличением угла . По техническим причинам, на снимках взаимно перпендикулярые прямые, которым принадлежат характерные (максимальный и минимальный) диаметры ТК отклика, повернуты на небольшой угол относительно осей кадра. В случае лазерного пучка круглого сечения независимо от угла наклона подложки толщину слоя в точке падения пучка определяют по минимальному диаметру ТК отклика.

Таким образом, для измерений в неоднородных по толщине слоях жидкости, из-за негоризонтальности твердой поверхности, пригодны калибровочные зависимости диаметра ТК отклика от толщины, полученные для плоскопараллельного слоя жидкости.

Литература 1. US 5541733 A (National Research Council of Canada), G 01 В 11/06, 30.07.1996.

Формула изобретения

Способ измерения толщины тонких слоев прозрачной жидкости, включающий ее облучение лазерным пучком, создание области возбуждения, по которой судят о толщине слоя жидкости, отличающийся тем, что область возбуждения создается в виде фотоиндуцированного термокапиллярного конвективного вихря, приводящего к динамической деформации ее свободной поверхности в виде углубления, а толщину слоя определяют по минимальному диаметру интерференционной картины, наблюдаемой на экране, помещенном в поперечном сечении каустики отраженного от углубления луча лазера.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины и измерения разнотолщинности пленок, в частности в устройствах для нанесения фоторезиста в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для неразрушающего контроля толщины пленок, в частности в устройствах для измерения и контроля толщины пленок фоторезиста, наносимых на вращающуюся полупроводниковую подложку в процессе центрифугирования в операциях фотолитографии

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в черной и цветной металлургии для измерения толщины проката в условиях горячего производства без остановки технологического процесса

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интерференционным способам измерения оптической толщины плоскопараллельных объектов и слоев

Изобретение относится к оптическим способам измерения толщин слоев прозрачных жидкостей и может быть использован для бесконтактного определения толщин слоев прозрачных жидкостей в лакокрасочной, химической и электронной промышленности, а также в физических и химических приборах

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к оптическим интерферометрам, и может быть использовано для непрерывного бесконтактного измерения геометрической толщины прозрачных и непрозрачных объектов, например листовых материалов (металлопроката, полимерных пленок), деталей сложной формы из мягких материалов, не допускающих контактных измерений (например, поршневых вкладышей для двигателей внутреннего сгорания), эталонных пластин и подложек в оптической и полупроводниковой промышленности и т.д

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного автоматического измерения толщины прозрачных материалов, например листового стекла, в непрерывном производственном процессе

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного измерения толщины и показателя преломления прозрачных слоев

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для оперативного экспресс-контроля толщины пленок нефтепродуктов в очистных сооружениях, на внутренних водоемах, акваториях портов и т.п

Изобретение относится к способам определения толщины неметаллических материалов и может быть использовано для определения толщины пленки нефтепродукта, разлитой на водной поверхности

Изобретение относится к дистанционным пассивным способам измерения толщины пленки нефтепродукта, включая и саму нефть, и может быть использовано для устранения неоднозначности при измерении толщины пленки в миллиметровом диапазоне длин волн

Изобретение относится к области технологии тонких пленок, а точнее к области контроля толщины тонких металлических пленок, нанесенных на подложку из диэлектрика или иного материала, и может быть использовано в микроэлектронике и оптике

Изобретение относится к области интерференционной микроскопии и может быть использовано для измерения толщины металлических пленок, в частности, используемых в изделиях микро- и наноэлектроники

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в системах управления технологическими процессами
Наверх