Волноводная пленочная нагрузка

 

Область применения: антенно-волноводная СВЧ-техника. Предлагается миниатюрная пленочная нагрузка длиной Lв/8. Уменьшение продольных размеров достигнуто за счет введения в нагрузку тонкой L0,15L поперечной диэлектрической пластины с высокой диэлектрической проницаемостью 5 на которую нанесен пленочный резистор, надежность теплового и электрического контакта которого с волноводом обеспечивается с помощью металлических слоев, расположенных на краях диэлектрической пластины, соприкасающихся с широкими стенками волновода и обеспечивающих улучшение условий согласования нагрузки по КСВ. Сопротивление R резистивной пленки в общем случае меньше волнового сопротивления Zо волновода: R=(0,80,2)Zо. Для настройки нагрузки в короткозамкнутом шлейфе установлен настроечный штырь, ориентированный вдоль его оси и контактно закрепленный на его торце. Техническим результатом является уменьшение продольных габаритов нагрузки при обеспечении хороших рабочих характеристик. 2 ил.

Предлагаемое техническое решение относится к радиотехнической промышленности и может использоваться в волноводной, антенной и СВЧ-измерительной технике.

Известна согласованная волноводная нагрузка [пат. США, 4020427 от 17.05.76 г. ] , состоящая из двух отрезков волновода, полностью заполненных диэлектриком, один из которых короткозамкнут, а резистивная пленка расположена между ними. Длина каждого отрезка равна в/4, где в- длина волны в волноводе, заполненном диэлектриком. Электрический контакт резистивной пленки с широкими стенками волновода обеспечивается с помощью медной пленки, нанесенной на диэлектрик. Общая длина нагрузки равна L 0,5в. Настройка по КСВ не предусмотрена.

Известна малогабаритная поглощающая нагрузка для большой мощности [пат. Япония, 48-24341 от 20.07.73 г.], состоящая из короткозамкнутого волноводного четвертьволнового шлейфа (L = в/4), полностью заполненного теплопроводным диэлектриком, и пленочного резистора, нанесенного на этот диэлектрик и имеющего электрический контакт с широкими стенками волновода. Подстройка по КСВ не предусмотрена.

Известна волноводная нагрузка [А.С. 1483525 СССР, 09.04.87 г.], состоящая из поглощающего гексоферритового слоя толщиной W и короткозамкнутого волноводного шлейфа длиной d, заполненного диэлектриком с диэлектрической проницаемостью Общая длина нагрузки: L = d+W в/4. Наиболее близкой по своей технической сущности к предлагаемому техническому решению можно назвать оконечную нагрузку [пат. США 3796973 от 29.11.72 г. ] , состоящую из короткозамкнутого волноводного шлейфа длиной заполненного диэлектриком с диэлекрической проницаемостью 1 = 6,6 (брокерит ОВе), на поверхность которого нанесен пленочный резистор. Для обеспечения теплового и электрического контакта с волноводом резистивный слой продлен на поверхность диэлектрика, соприкасающуюся с широкими стенками волновода. Для согласования нагрузки по КСВ используются несколько слоев диэлектриков, расположенных перед резистором и имеющих <1, где 1 - диэлектрическая проницаемость диэлектрика, заполняющего короткозамкнутый шлейф. Учитывая плохой теплоотвод от резистивной пленки через диэлектрик, в нагрузке предусмотрена система жидкостного или воздушного охлаждения шлейфа.

Основными недостатками этого известного технического решения являются: 1. большие продольные размеры (L 1,50) и масса; 2. большой КСВ в волноводах высокого сечения, обусловленный возбуждением высших типов волн в заполненных диэлектриком участках нагрузки; 3. ненадежный электрический контакт пленочного резистора с волноводом во всех условиях эксплуатации; 4. плохой тепловой контакт с волноводом и связанная с этим необходимость использования громоздких систем принудительного охлаждения; 5. отсутствие компактных подстроечных элементов, позволяющих смещать полосу настройки относительно заданного рабочего диапазона частот и связанная с этим необходимость расширять полосу настройки на столько, чтобы при любых ее технологических перемещениях КСВ в заданной рабочей полосе оставался не хуже требуемого; 6. использование для такого существенного расширения полосы согласования нагрузки громоздкой совокупности нескольких диэлектрических вкладышей-трансформаторов с различным , каждый из которых имеет длину В предлагаемой нагрузке эти недостатки удается преодолеть и обеспечить следующие положительные качества: 1. малые продольные габариты (L0,15в) и масса, уменьшенные по сравнению с известным техническим решением примерно в 510 раз за счет введения в нагрузку рядом с резистивной пленкой тонкой диэлектрической пластины (L0,15L) с диэлектрической проницаемостью 5;
2. хороший КСВ нагрузки в заданной рабочей полосе частот, обусловленный использованием продольного настроечного металлического штыря в короткозамкнутом шлейфе, а в волноводах высокого сечения также металлических слоев, охватывающих края диэлектрической пластины, соприкасающиеся с широкими стенками волновода, и выступающих в волновод тем больше, чем больше размер "b" волновода;
3. надежный электрический контакт резистивной пленки с волноводом за счет введения вспомогательных металлических слоев, упомянутых в п.2, нанесенных внахлест с резистивной пленкой и имеющих надежный электрический контакт с волноводом через пайку их к его широким стенкам, или приклейку контактным клеем и др.

4. хороший теплоотвод от резистивной пленки через металлические слои, упомянутые в пп.2, 3, к волноводу, играющему роль радиатора.

Технический результат предлагаемого решения заключается в минимизации продольных размеров нагрузки более чем в 2 раза и обеспечении хорошего согласования по КСВ в заданном диапазоне частот при сохранении этих характеристик в реальных условиях изготовления и эксплуатации.

Возможность реализации этого результата обеспечивается за счет использования для сокращения продольных размеров нагрузки до длины Lв/8, где в- длина волны в волноводе, заполненном воздухом, тонкой диэлектрической пластины (L0,15L) с высокой диэлектрической проницаемостью (5), вплотную прилегающей к резистивной пленке, нанесенной внахлест с металлическими слоями, охватывающими края диэлектрической пластины, соприкасающиеся с широкими стенками волноводного шлейфа, имеющими с этими стенками электрический и тепловой контакт, при этом расстояние между краями металлических слоев на поверхности диэлектрической пластины не превосходит высоты волноводного канала короткозамкнутого шлейфа. Для согласования нагрузки по КСВ используется установленный в торце короткозамкнутого шлейфа настроечный металлический штырь, контактирующий с торцем.

Таким образом, сущность предлагаемого технического решения заключается в том, что предложена волноводная пленочная нагрузка, содержащая короткозамкнутый волноводный шлейф и расположенные в его поперечном сечении пленочный резистор и диэлектрическая пластина, выполненные так, что
- короткозамкнутый волноводный шлейф имеет длину Lв/8, где в- длина волны в волноводе шлейфа;
- на торце короткозамкнутого шлейфа вдоль его продольной оси установлен настроечный металлический штырь, имеющий электрический контакт с торцем;
- пленочный резистор с сопротивлением R=(0,80,2)Zо, где Zо - волновое сопротивление волновода, нанесен на диэлектрическую пластину толщиной L0,15L с диэлектрической проницаемостью 5 внахлест с металлическими слоями, охватывающими края диэлектрической пластины, соприкасающиеся с широкими стенками волноводного шлейфа, причем металлические слои имеют с его стенками электрический и тепловой контакт, а расстояние между краями металлических слоев на поверхности диэлектрической пластины b'<b, где b - высота волноводного шлейфа.

Сущность предлагаемого технического решения будет понятна из следующего описания и приложенного к нему графического материала.

Фиг.1 - предлагаемая волноводная пленочная нагрузка;
фиг. 2 - график зависимости КСВ от частоты, измеренный экспериментально, для конкретной реализации волноводной пленочной нагрузки:

глубина погружения металлических слоев в волновод

На фиг. 1:
1 - короткозамкнутый волноводный шлейф;
2 - пленочный резистор;
3 - диэлектрическая пластина;
4 - настроечный металлический штырь;
5 - металлические слои;
Принцип работы предлагаемой волноводной пленочной нагрузки заключается в следующем:
Нагрузка присоединяется к волноводу, сечение которого совпадает с сечением короткозамкнутого шлейфа. СВЧ-сигнал из этого волновода поступает в короткозамкнутый шлейф 1, имеющий длину Lв/8, что вдвое меньше длины традиционных пленочных нагрузок с четвертьволновым короткозамкнутым шлейфом. Перед короткозамкнутым шлейфом в его поперечном сечении установлен пленочный резистор 2, нанесенный на тонкую (L0,15L) диэлектрическую пластину 3 с высокой диэлектрической проницаемостью (5). Необходимые условия согласования по КСВ в такой короткой нагрузке обеспечиваются за счет измененной структуры поля вблизи пленочного резистора при установке вплотную к нему тонкой диэлектрической пластины с высоким , а также за счет уменьшения по сравнению с волновым сопротивлением (Zо) волновода сопротивления резистивной пленки R= (0,80,2)Zо.

Степень снижения сопротивления R зависит от нескольких факторов: от относительного заполнения сечения волновода резистивной пленкой, имеющей площадь (чем больше Ks, тем меньше сопротивление R); от рабочей частоты (чем выше частота, тем ближе R к Zо) и др.

В целях ослабления требований к ширине частотной полосы согласования по заданному уровню КСВ в нагрузке предусмотрена настройка с помощью металлического штыря 4, имеющего электрический контакт с торцем короткозамкнутого шлейфа 1 и ориентированного вдоль его продольной оси 00'.

Для обеспечения во всех условиях изготовления и эксплуатации нагрузки надежного электрического контакта и, следовательно, неизменного КСВ, а также и теплового контакта пленочного резистора 2 с волноводным шлейфом, выполняющим в совокупности с присоединяемым волноводом функцию радиатора, на края диэлектрической пластины 3, соприкасающиеся с широкими стенками волноводного шлейфа 1, внахлест с пленочным резистором 2 нанесены металлические слои 5, обладающие малым относительным удельным сопротивлением q и высоким коэффициентом теплопроводности Кт[Вт/мoс].

Роль этих металлических слоев не ограничивается соединительной функцией резистора с волноводом. В общем случае металлические слои 5 выступают в волновод, уменьшая его размер b до величины b' в зоне расположения резистивной пленки на диэлектрической пластине 3. Это позволяет даже в волноводах с большим b минимизировать возможность возбуждения высших типов волн в диэлектрике и тем самым улучшить условия согласования нагрузки по КСВ. Понятно, что глубина погружения металлических слоев в волновод тем больше, чем выше его размер b. В волноводах низкого сечения глубина погружения металлических слоев 5 в волновод может быть минимальной.

Технико-экономические преимущества предлагаемого решения по сравнению с прототипом заключаются в минимизации массы и габаритов нагрузки при сохранении высоких требований к КСВ в рабочем диапазоне частот и приемлемой для практики устойчивости к воздействию уровня мощности до 10 Вт при температуре окружающей среды до +70oС. Этот уровень мощности также, как и в аналоге, может быть увеличен за счет использования принудительного охлаждения.


Формула изобретения

Волноводная пленочная нагрузка, содержащая короткозамкнутый волноводный шлейф, диэлектрическую пластину и пленочный резистор, отличающаяся тем, что короткозамкнутый волноводный шлейф выполнен длиной Lв/8, где в - длина волны в волноводе, на торце короткозамкнутого шлейфа вдоль его продольной оси установлен настроечный металлический штырь, имеющий электрический контакт с торцом, пленочный резистор с сопротивлением R= (0,80,2)Zо, где Zо - волновое сопротивление волновода, нанесен на диэлектрическую пластину толщиной L0,15L с диэлектрической проницаемостью 5 внахлест с металлическими слоями, охватывающими края диэлектрической пластины, соприкасающиеся с широкими стенками волноводного шлейфа, причем металлические слои имеют с его стенками электрический и тепловой контакт, а расстояние между краями металлических слоев на поверхности диэлектрической пластины b'<b, где b - высота волноводного шлейфа.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области техники СВЧ и может быть использовано в радиолокации, радиосвязи и измерительной технике преимущественно для ослабления больших мощностей СВЧ сигнала

Изобретение относится к антенной технике

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот

Изобретение относится к технике СВЧ нагрева, в частности к устройствам для нагрева диэлектриков с помощью высокочастотного электромагнитного поля, и может быть использовано, например, в бытовых микроволновых печах и в плазменных источниках оптического излучения для возбуждения эллиптически и циркулярно поляризованных волн при решении задачи обеспечения равномерного пространственного распределения СВЧ излучения в области расположения нагреваемого диэлектрика

Изобретение относится к способам измерения концентрации дисперсных систем и может быть использовано для контроля и регулирования концентрации ферромагнитных частиц в жидкости в процессе производства изделий из ферромагнитных материалов в химической и других областях промышленности

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к коммутаторам на полевых транзисторах для передачи сигнала с усилением из одной из множества входных линий в одну общую выходную линию

Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе

Изобретение относится к волноводным трактам СВЧ и может быть использовано в этих трактах для разделения волны круговой поляризации на две волны линейной поляризации

Изобретение относится к волноводным трактам СВЧ и может быть использовано в этих трактах для возбуждения волн круговой поляризации в круглых волноводах

Изобретение относится к СВЧ-электронным приборам и может также использоваться в волноводных трактах, где должны отсутствовать паразитные резонансы в рабочей полосе частот

Изобретение относится к частотно-избирательным цепям и может быть использовано для фильтрации узкополосных высокочастотных колебаний

Изобретение относится к технике СВЧ и позволяет уменьшить потери в полосе пропускания полосно-пропускающих фильтров

Изобретение относится к оптическому спектральному фильтру и оптическому устройству разделения каналов для приемного устройства системы передачи с объединением по длинам волн (WDM), более конкретно к оптическому спектральному фильтру и оптическому устройству разделения каналов для WDM системы передачи с высокой эффективностью и низкими потерями

Изобретение относится к области техники СВЧ

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым защитным устройствам СВЧ

Изобретение относится к радиолокационной технике и может найти применение при изготовлении и настройке ферромагнитных фазовращателей, применяемых в составе фазированных антенных решеток для радиолокационных станций

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в антенных системах СВЧ диапазона с ферритовыми фазовращателями для управления переключением различных поляризаций в любой последовательности
Наверх