Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на свч

 

Изобретение относится к области измерения электрических величин в СВЧ-диапазоне. Технический результат - получение более точной измерительной информации о значении комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов. Сущность: предлагается способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на СВЧ, в котором прямоугольный волновод короткозамкнутый на конце, с продольной щелью на его боковой стенке, которая в процессе измерения закрывается эталонным короткозамыкателем или измеряемым образцом, перед процессом измерения воздушный зазор между волноводом и измеряемым образцом или эталоном заливается припоем.

Изобретение относится к области измерения электрических величин в СВЧ диапазоне для контроля электрических параметров комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпеданcных композиционных материалов.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является выбранный в качестве прототипа способ для измерения комплексной диэлектрической проницаемости косвенным методом, включающий следующие операции: установка на волновод эталонного короткозамыкателя; калибровка установки, измерение комплексного коэффициента отражения от эталонного короткозамыкателя; установка на волновод измерительного образца; измерение комплексного коэффициента отражения от измерительного образца; вычисление комплексной диэлектрической проницаемости [см. Патент РФ №2199760, БИ №6, 2003 г.]. Измерения проводятся в два этапа: в начале к щели волновода подключается эталонный короткозамыкатель и производится калибровка установки, затем к щели волновода взамен эталонного короткозамыкателя подключается исследуемый плоский образец диэлектрика. От СВЧ-генератора по волноводу подается зондирующая электромагнитная волна. Информация о параметрах материала заключается в амплитудах и фазах отраженных волн, т.е. в комплексном коэффициенте отражения от образца. Для измерения коэффициента отражения могут применяться одиночные и многозондовые измерительные линии, автоматические измерительные линии, автоматические измерители полных сопротивлений и т.п. Обработка результатов производится по способу прототипа [см. Патент РФ №2199760, БИ №6, 2003 г.].

Недостатком описанного прототипа являются погрешности измерения и tg, вызванные воздушным зазором в местах соприкосновения волновода с измеряемым образцом или короткозамыкателем. Через воздушный зазор происходит отток зондирующей мощности в свободное пространство, что приводит к снижению измеряемого значения модуля коэффициента отражения и приводит к погрешности определения .

Сущность изобретения заключается в следующем: в повышении точности измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов.

Технический результат - получения более точной измерительной информации о значении комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов.

Указанный технический результат достигается тем, что способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на СВЧ, включающий установку на волновод эталонного короткозамыкателя; калибровку установки, измерение комплексного коэффициента отражения от эталонного короткозамыкателя; установку на волновод измерительного образца; измерение комплексного коэффициента отражения от измерительного образца; вычисление комплексной диэлектрической проницаемости. Особенность заключается в том, что перед процессом калибровки производят заливку припоем воздушного зазора в местах соприкосновения волновода с эталонным короткозамыкателем, устанавливают измерительный образец и перед процессом измерения производят заливку припоем воздушного зазора в местах соприкосновения волновода с измеряемым образцом. Методика измерения и вычисления производится как в прототипе.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, позволил установить, что заявитель не обнаружил аналог, характеризующийся признаками, тождественными всем существенным признакам заявленного изобретения.

Определение из перечня выявленных аналогов прототипа позволило выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном решении.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует условию "новизна".

Для проверки соответствия заявленного изобретения условию "изобретательский уровень" заявитель провел дополнительный поиск известных решений, чтобы выявить признаки, совпадающие с отличными от прототипа признаками заявленного устройства. Результаты поиска показали, что заявленное изобретение не вытекает для специалиста явным образом из известного уровня техники, не выявлено влияние предусматриваемых существенными признаками заявленного изобретения преобразований на достижение технического результата, в частности заявленным изобретением не предусматриваются следующие требования:

- дополнение известного средства каким-либо известной частью, присоединяемой к нему по известным правилам для достижения технического результата, в отношении которого установлено влияние именно таких дополнений;

- замена какой-либо части средства с одновременным исключением обусловленной ее наличием функции и достижением при этом обычного для такого исключения результата;

- увеличение количества однотипных элементов для усиления технического результата, обусловленного наличием в средстве именно таких элементов;

- выполнение известного средства или его части из известного материала для достижения технического результата, обусловленного известными свойствами этого материала;

- создание средства, состоящего из известных частей, выбор которых и связь между которыми осуществлены на основании известных правил, рекомендаций и достигаемый при этом технический результат обусловлен только известными свойствами частей этого средства и связей между другими.

Описываемое изобретение не основано на изменении количественного признака, представлении таких признаков во взаимосвязи либо изменении ее вида. Имеется в виду случай, когда известный факт влияния каждого из указанных признаков или их взаимосвязь могли быть получены, исходя из известных зависимостей, закономерностей.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует условию "изобретательский уровень".

Способ осуществляется следующим образом. На короткозамкнутый прямоугольный волновод устанавливают эталонный короткозамыкатель, воздушный зазор между волноводом и эталонным короткозамыкателем заливают припоем, затем включают в измерительную схему. От СВЧ-генератора по короткозамкнутому прямоугольному волноводу подают зондирующую волну, которая движется по короткозамкнутому прямоугольному волноводу с продольной щелью доходит до короткозамкнутого конца волновода, отражается и движется в обратном направлении. Сначала производят измерения комплексного коэффициента отражения зондирующей волны от волновода с эталонным короткозамыкателем, установленным на место щели. Затем на прямоугольный волновод устанавливают измеряемый образец, воздушный зазор между волноводом и измеряемым образцом заливают припоем, производят измерения коэффициента отражения зондирующей волны от измеряемого образца. Из полученных результатов комплексных коэффициентов отражения зондирующей волны от короткозамкнутого прямоугольного волновода с измеряемым образцом и с эталонным короткозамыкателем вычисляют значение комплексной диэлектрической проницаемости измеряемого материала.

Таким образом, вышеизложенные сведения свидетельствуют о выполнении при использовании заявленного устройства следующей совокупностью условий:

- средство, воплощающее заявленное устройство при его осуществлении, предназначено для использования в промышленности, а именно в производстве новых поглощающих материалов для измерения их электрических характеристик;

- для заявленного устройства в том виде, как оно охарактеризовано в независимом пункте изложенной формулы изобретения, подтверждена возможность его осуществления с помощью описанных в заявке или известных до даты приоритета средств и методов;

- средство, воплощающее заявленное изобретение при его осуществлении, способно обеспечить достижение усматриваемого заявителем технического результата.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует условию "промышленная применимость".

Формула изобретения

Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на СВЧ, включающий установку на волновод эталонного короткозамыкателя, калибровку установки, измерение комплексного коэффициента отражения от эталонного короткозамыкателя, установку на волновод измерительного образца, измерение комплексного коэффициента отражения от измерительного образца, вычисление комплексной диэлектрической проницаемости, отличающийся тем, что перед процессом калибровки производят заливку припоем воздушного зазора в местах соприкосновения волновода с эталонным короткозамыкателем, устанавливают измерительный образец и перед процессом измерения производят заливку припоем воздушного зазора в местах соприкосновения волновода с измеряемым образцом.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к физическим методам исследования состояния воды и ее растворов в различных объектах и может использоваться при решении фундаментальных и прикладных проблем водных систем

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано, например, для проверки качества твердых и жидких электроизоляционных материалов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в средствах для счета событий кратковременно изменяющих емкость конденсаторного датчика

Изобретение относится к электрическим измерениям, в частности к измерению параметров конденсаторов, и может быть использовано при построении высокопроизводительных автоматических устройств для контроля и сортировки радиодеталей, например конденсаторов или катушек индуктивностей по электрическим параметрам в условиях их массового производства

Изобретение относится к области измерения диэлектрических величин радиопоглощающих композиционных материалов, обладающих большими значениями относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, и предназначено для использования в радиотехнике СВЧ, при проектировании антенн СВЧ, защитных укрытий и экранов радиотехнических систем

Изобретение относится к измерительной технике сверхвысоких частот

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано при измерении тангенса угла диэлектрических потерь твердых и жидких диэлектрических материалов, например трансформаторного масла

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в средствах для измерения неэлектрических величин конденсаторными датчиками, емкость которых изменяется в зависимости от измеряемой величины по нелинейным законам

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в средствах для измерения электрической емкости и/или активного сопротивления преобразователей неэлектрических величин, а также в устройствах автоматики для контроля указанных величин

Изобретение относится к области измерительной техники

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для определения параметров электрических цепей, в диэлькометрии, кондуктометрии, при измерении параметров бесконтактных емкостных и индуктивных датчиков

Изобретение относится к области электроизмерительной техники, а именно к устройствам для прецизионного измерения электрических емкостей

Изобретение относится к средствам неразрушающего контроля параметров материалов, веществ, изделий и может быть использовано как при изучении их физико-механических свойств, так и в технологических процессах для оценки их качества (наличия) по величине их диэлектрического параметра

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для высокоточного определения концентрации смесей различных веществ, находящихся в емкостях (технологических резервуарах, измерительных ячейках и т.п.)

Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих низкоимпедансных диэлектрических материалов на СВЧ, в частности к измерению комплексной относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов, характеризующиеся большими значениями комплексной относительной диэлектрической проницаемости и проводимости

Изобретение относится к области радиоизмерений параметров поглощающих низкоимпедансных диэлектрических материалов на СВЧ, в частности к измерению комплексной относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь композиционных материалов, характеризующихся большими значениями комплексной относительной диэлектрической проницаемости и проводимости

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к способам измерения диэлектрической проницаемости, а также толщины диэлектрических пластин и может быть использовано для контроля и регулирования состава и свойств материалов в процессе их производства и эксплуатации

Изобретение относится к измерениям диэлектрической и магнитной проницаемостей, а также толщины спиновых покрытий на поверхности металла и может быть использовано при контроле состава и свойств жидких и твердых сред в химической и других отраслях промышленности
Наверх