Реле времени
ОП ИСАЙИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советскик
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
K„t. 2ld, 12/03
21д, 4/05
Заявлено 31.Х.1966 (№ 1110989/24-7) с присоединением заявки ¹ 117452524-7
Приоритет
Опубликовано 16.1.1969. Бюллетень ¹ 5
Дата опубликования описания 29Х.1969
МПК H 02m
Н 01h
УД1 621.314.57(088.8) Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
A. С. Максимов, 3. Аббясов, P. Е. Смолянский и И. П. Канорушкин
Заявители
Институт радиотехники и электроники АН СССР и Томилинский завод полупроводниковых приборов
РЕЛЕ ВРЕМЕНИ
Предмет изобретения
Известны реле времени, выполненные на основе p — п — р — n-структуры.
Описываемое реле времени отличается от известных тем, что, с целью упрощения, параллельно коллекторному р — n-переходу структуры включен полупроводниковый элемент с возрастающей во времени проводи— мостью.
На чертеже представлена схема предлагаемого реле.
При подаче напряжения на р — и — р —:гструктуру 1 проводимость полупроводникового элемента 2 начинает возрастать. В момент, когда сумма обратного тока, проходящего через коллекторный р — п-переход структуры, tt тока, проходящего через указанный полупроводниковый элемент, станет равной некоторой критической величине, произойдет лавинообразное включение р — и — р — n-структуры, опрсделяющее момент окончания интервала выдержки.
В качестве рассмотренного полупроводнит<ового элемента может быть использован, на5 пример, диод, обратный ток которого возрастает во времени. При этом время выдержки может превышать несколько минут.
Регулирование времени выдержки осуществляется за счет изменения питающего напря10 жения.
Реле времени, выполненное на основе
15 р — гг — p — n-структуры, оТ.øíàtîùååñÿ тем, что, с целью упрощения, параллельно коллекторному p — n-переходу структуры включен полупроводниковый элемент с возрастающей во времени проводимостью.
Составитель Л. Смольников
Редактор А. Пейсоченко Техред Т. П. Курилко Корректор А. П. Васильева
Заказ 732i17 Тираж 4ВО Подписное
ЦНИИГ1И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. ерова, д. 4
Типография, пр. Сaw нова, 2