Способ контроля качества изделий из твердых сплавов после радиационно-термической обработки

Использование: для контроля качества изделий из твердых сплавов после радиационно-термической обработки. Сущность: заключается в том, что осуществляют воздействие на образец рентгеновского излучения для регистрации его дифракционного спектра, определение концентраций карбидных фаз - монокарбида вольфрама WC и сложного карбида (Ti,W)C - в твердом сплаве состава WC-TiC-Co, определение физических уширений (β) двух порядков отражения от одной совокупности кристаллографических плоскостей, т.е. β1, и β2, и угловых положений центров тяжести (ϑ) выбранных линий, т.е. ϑ1, и ϑ2, контроль качества изделий после радиационно-термической обработки, определяющих коэффициент стойкости изделий из твердых сплавов после радиационно-термической обработки, из условий учета величины значений интегральной разупорядоченности карбидных фаз и разупорядоченности монокарбида WC относительно заданных значений. Технический результат: оценка качества и однозначное прогнозирование срока службы изделий, подвергнутых радиационно-термической обработке, и упрощение способа. 3 табл.

 

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано для контроля качества радиационно-термической обработки твердосплавного инструмента, предназначенного для холодной и горячей механической обработки различных материалов, преимущественно металлов и их сплавов.

Известен способ контроля методом рентгеновской дифрактометрии изделий, изготовленных из твердых сплавов, состоящих из монокарбида вольфрама, карбида титана и цементирующей кобальтовой связки и подвергнутых высокотемпературной обработке, путем измерения фазового состава приповерхностного слоя, обогащенного сложным карбидом (Ti,W)C [1]. Известный способ обладает существенным недостатком: знание только одного параметра - концентрации сложного карбида (Ti,W)C не дает однозначного ответа на вопрос о качестве высокотемпературной обработки.

Известен способ контроля изделий, изготовленных из твердых сплавов и подвергнутых высокотемпературной обработке, путем измерения размеров областей когерентного рассеяния (ОКР) (размер блоков D) методом рентгеновской дифрактометрии [2]. Известный способ обладает существенным недостатком: после высокотемпературной обработки значения D обычно столь велики, что они не могут быть определены методом рентгеновской дифрактометрии.

Наиболее близким к заявляемому способу является способ одновременного определения двух параметров тонкой кристаллической структуры поликристалличекого материала - размеров (D) областей когерентного рассеяния (блоков мозаики) и величины микродеформаций (ε) - методом аппроксимации [3], позволяющий определять размеры блоков, меньшие 0,2 мкм, и микродеформации, большие 2·10-4, и включающий подготовку образцов без пластической деформации, воздействие на образец рентгеновского излучения для регистрации его дифракционного спектра, определение физических уширений (β) двух порядков отражения от одной совокупности кристаллографических плоскостей, т.е. β1, и β2, и угловых положений центров тяжести (ϑ) выбранных линий, т.е. ϑ1, и ϑ2, выбор конкретного вида функций (М(x) и N(x)), аппроксимирующих, соответственно, профиль линии, обусловленной дисперсностью блоков с размерами D≤0,2 мкм и с интегральной шириной βм=(0,94λ/D)·secϑ, и профиль линии, обусловленный микродеформациями (ε) кристаллической решетки с величиной ε≥2·10-4 и интегральной шириной βN=4εtgϑ, и построение номограммы, позволяющей по величине отношения β21, найти βM и βN и, тем самым, D и ε.

Недостатками прототипа являются его сложность и невозможность контроля качества изделий после радиацинно-термической обработки.

Заявляемое изобретение направлено на контроль качества изделий после радиацинно-термической обработки.

Указанный результат достигается тем, что осуществляется воздействие на образец рентгеновского излучения для регистрации его дифракционного спектра, определение концентраций карбидных фаз - монокарбида вольфрама WC и сложного карбида (Ti,W)C - в твердом сплаве состава WC-TiC-Co, определение физических уширений (β) двух порядков отражения от одной совокупности кристаллических плоскостей, т.е. β1 и β2, и угловых положений центров тяжести (ϑ) выбранных линий, т.е. ϑ1 и ϑ2, определение качества радиационно-термической обработки изделий из условий

если (b/a)WC<1,0;

(b/a)Σ<1,3,

то KCT>4,5,

где

(b/a)Σ=(b/a)(Ti,W)C·C(Ti,W)C+(b/a)WC·СWC - интегральная разупорядоченность карбидных фаз,

(b/a)(Ti,W)C - разупорядоченность сложного карбида (Ti,W)C,

(b/a)WC - разупорядоченность монокарбида WC,

C(Ti,W)C - концентрация сложного карбида (Ti,W)C в массовых процентах,

СWC - концентрация монокарбида вольфрама WC в массовых процентах,

b=β21, a=tgϑ2/tgϑ1,

- коэффициент стойкости,

- среднее время работоспособности базовых изделий в минутах,

tрРТО - время работоспособности изделия, подвергнутого радиационно-термической обработке, в минутах.

Сущность заявленного изобретения поясняется нижеследующим описанием.

Во время стационарного спекания в присутствии жидкой фазы изделий из твердых сплавов, содержащих помимо монокарбида вольфрама WC еще и карбид титана TiC, вольфрам в значительной степени растворяется в карбиде титана, образуя после охлаждения твердый раствор - сложный карбид (Ti,W)C [4]. В процессе высокотемпературной обработки, при которой температура изделий поднимается выше температуры стационарного спекания [5], концентрация вольфрама в карбиде титана еще более возрастает, т.е. возрастает концентрация сложного карбида (Ti,W)C [1]. Твердый раствор (Ti,W)C обладает высокой степенью химической неоднородности, что обусловливает высокие значения микродеформаций его кристаллической решетки. Поэтому анализ состояния твердого раствора (Ti,W)C при помощи обычного метода рентгеновской дифрактометрии [3] малоэффективен.

Ниже на практическом примере радиационно-термической и высокотемпературной обработок пластин из твердого сплава Т15К6 показаны трудности, возникающие при применении метода [3], и способ решения проблем, являющийся содержанием заявляемого изобретения. Под термином "радиационно-термическая обработка (РТО)" мы понимаем воздействие на твердосплавное изделие вначале ионизирующего излучения, а затем, после облучения, воздействие на то же изделие еще и высокотемпературной обработки.

Пример

Пластины KNUX 190810, изготовленные из твердого сплава Т15К6 (состав в массовых процентах: WC - 79, TiC - 15, Со - 6) производства КЗТС, были подвергнуты высокотемпературной обработке (ВТО). Она осуществлялась при фиксированной температуре, превышающей температуру стационарного спекания изделий из твердого сплава Т15К6 в присутствии жидкой фазы ((Tсп=1500°С). Две из этих пластин предварительно были подвергнуты радиационной обработке.

После радиационно-термической и высокотемпературной обработок пластины исследовались методом рентгеновской дифрактометрии. Рентгеновские измерения проводились в МИСиС на автоматизированном дифрактометре типа ДРОН. Фазовый состав определялся с помощью пакетов прикладных программ OUTSET и PHAN %, а параметры тонкой кристаллической структуры - с помощью пакета прикладных программ PROFILE [6]. Исследовались линии фазы WC 10.1 (ϑ1=24,39 угл. град.) и 11.2 (ϑ2=49,42 угл. град.) и линии фазы (Ti,W)C 200 (ϑ1=21,01 угл. град.) и 400 (ϑ2=45,60 угл. град.).

В табл.1 приведены данные об изменении в различных образцах концентраций карбидных фаз, величины микродеформаций ε в них, а также величины (b/а)WC - разупорядоченности монокарбида вольфрама, (b/а)(Ti,W)C - разупорядоченности сложного карбида (Ti,W)C и (b/a)Σ=(b/a)(Ti,W)C·С(Ti,W)C+(b/а)WC·CWC - интегральной разупорядоченности карбидных фаз. Здесь C(Ti,W)C - концентрация сложного карбида (Ti,W)C в массовых процентах, CWC - концентрация монокарбида вольфрама WC в массовых процентах, b=β21, а=tgϑ2/tg1, β1 и β2 - значения физических уширений от двух дифракционных линий, снятых при малых (ϑ1) и больших (ϑ2) значениях углов падения рентгеновских лучей на исследуемый образец. Хотя образцы в табл.1 расположены по мере увеличения времени их нагрева, какие-либо закономерности в таблице просматриваются с трудом. Лишь в самом конце табл.1 заметно некоторое увеличение концентрации твердого раствора (Ti,W)C и уменьшение микродеформаций ε. Заметим, что для всех случаев высокотемпературной обработки (b/а)WC>1,0, тогда как после радиационно-термической обработки (пластины №№7 и 16) (b/a)WC<1,0. Кроме того, значения (b/а)Σ для пластин, подвергнутых радиационно-термической обработке, минимальны и не превосходят 1,3.

Часть пластин, данные о которых приведены в табл.1, была подвергнута производственным испытаниям. Производственные испытания с целью определения срока службы резцов осуществлялись на СП "Пигма-Kennametal". Испытания опытной партии неперетачиваемых режущих пластин KNUX 190810 из твердого сплава Т15К6 производства КЗТС проведены на токарно-винторезном станке с ЧПУ модели 16К20Ф3. Обрабатывались различные детали для горного инструмента, изготовленные из стали 30ХГСА. Режимы резания: скорость резания V=90 м/мин, подача S=0,3 мм/об, глубина резания t=3 мм.

В табл.2 представлены результаты производственных испытаний, а в табл.3 сопоставлены результаты рентгеновских измерений и производственных испытаний. Из табл.3 очевидно, что в условиях опыта данные о параметрах тонкой кристаллической структуры (D и ε) ничего не могут сказать о причинах значительного разброса значений коэффициентов стойкости, полученных при проведении производственных испытаний. Действительно, значения D на всех пластинах не могли быть измерены методом рентгеновской дифрактометрии, а значения ε изменялись незначительно и никак не характеризовали причин изменения коэффициента стойкости KCT. Из табл.1 и 3 ясно, что параметрами, характеризующими величину KCT после радиацинно-термической обработки являются: (b/a)WC - разупорядоченность монокарбида вольфрама WC, (b/а)(Ti,W)C - разупорядоченность твердого раствора (Ti,W)C - фазы, концентрация которой в исследуемом приповерхностном слое составляет от 85 до 90 массовых процентов, а также (b/а)Σ - интегральная разупорядоченность, в которой учтен вклад в общую разупорядоченность другой карбидной фазы - монокарбида вольфрама WC.

Выбор между аргументами - разупорядоченностью монокарбида вольфрама WC, разупорядоченностью твердого раствора (Ti,W)C - (b/а)(Ti,W)C и интегральной разупорядоченностью (b/а)Σ - и функциями - коэффициентом стойкости первого лезвия - KCT1 и средним значением коэффициента стойкости весьма затруднен, как это следует из табл.1 и 3.

Мы выбрали в качестве аргументов, характеризующих наличие или отсутствие радиационно-термической обработки и качество изделий после нее, величины (b/a)WC - разупорядоченность монокарбида вольфрама WC и (b/a)Σ - интегральную разупорядоченность, а в качестве функции - - как величину, характеризующую работоспособность пластины в целом. Тогда критериями наличия радиационно-термической обработки и работоспособности пластины после нее являются условия:

если (b/а)WC<1,0;

(b/a)Σ<1,3

то KCT>4,5.

Необходимо особо подчеркнуть, что неравенства, определяющие KCT, справедливы для средних значений (b/a)WC, (b/a)Σ. Хотя, как это видно из табл.1, все величины, входящие в (b/a)Σ, имеют большой разброс значений, определяющими являются средние значения (математические ожидания) как (b/a)Σ, так и величин (b/a)WC, СWC и С(Ti,W)C.

Источники информации

1. Устройство для обработки твердых материалов. Пат. РФ на изобретение №2178012 от 10.01.2002 г. Патентообладатель - Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М.В.Ломоносова. Авторы: Коршунов А.Б., Бажинов А.Н., Рябов В.Н. и др.

2. Устройство для обработки материалов. Пат. РФ на изобретение №2181645 от 27.04.2002 г. Патентообладатель - Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М.В.Ломоносова. Авторы: Коршунов А.Б., Бажинов А.Н., Рябов В.Н. и др.

3. Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографичесий и электронно-оптический анализ. Учебное пособие для вузов. Изд. 4-е, перераб. и доп. - М.: МИСиС, 2002. - 360 с. (Прототип).

4. Третьяков В.И. Основы металловедения и технологии производства спеченных твердых сплавов. - М.: Металлургия, 1976, 528 с., с.142-180.

5. Способ упрочнения изделий из карбидосодержащих сплавов. Пат. РФ на изобретение №2181643 от 27.04.2002 г. Патентообладатель - Научно-исследовательский институт механики МГУ им. М.В.Ломоносова. Авторы: Коршунов А.Б., Бажинов А.Н., Рябов В.Н. и др.

6. Шелехов Е.В., Свиридова Т.А. Программы для рентгеновского анализа поликристаллов. Металловедение и термическая обработка металлов. - 2000. - №8. - С.16-19.

Таблица 1

Результаты рентгеновских измерений пластин KNUX 190810 из твердого сплава Т15К6 производства КЗТС после радиационной и высокотемпературной обработок
№ пл-ныОбработка(b/a)(Ti,W)CC(Ti,W)C, мас.%(b/a)WCCWC, мас.%(b/a)Σ=(b/a)(Ti,W)C·C(Ti,W)C+(b/a)WC·CWC
1РТО1,22982,80,99512,41,141
2РТО1,36686,30,98710,21,280
3ВТО1,55086,51,05510,61,457
4ВТО1,93685,21,26211,01,788
5ВТО1,99284,21,15212,41,820
6ВТО2,10785,71,24211,31,946
7ВТО2,12888,61,3658,62,003
8ВТО2,20886,51,10910,62,027
9ВТО1,99885,71,12410,31,828
10ВТО1,99285,01,15911,71,829
11ВТО1,91786,31,11710,41,771
12ВТО2,39986,01,24710,32,192
13ВТО2,16986,81,1889,61,997
14ВТО2,09189,21,2778,51,974

Способ контроля качества изделий из твердых сплавов после радиационно-термической обработки, включающий воздействие на образец рентгеновского излучения для регистрации его дифракционного спектра, определение концентраций карбидных фаз - монокарбида вольфрама WC и сложного карбида (Ti,W)C - в твердом сплаве состава WC-TiC-Co, определение физических уширений (β) двух порядков отражения от одной совокупности кристаллографических плоскостей, т.е. β1, и β2, и угловых положений центров тяжести (ϑ) выбранных линий, т.е. ϑ1, и ϑ2, и контроль качества изделий после радиационно-термической обработки из условий:

если (b/a)WC<1,0;

(b/a)Σ<1,3,

то KCT>4,5,

где (b/a)Σ=(b/a)(Ti,W)C·C(Ti,W)C+(b/a)WC·CWC - интегральная разупорядоченность карбидных фаз,

(b/a)(Ti,W)C - разупорядоченность сложного карбида (Ti,W)C;

(b/a)WC - разупорядоченность монокарбида WC;

C(Ti,W)C - концентрация сложного карбида (Ti,W)C, мас.%;

СWC - концентрация монокарбида вольфрама WC, мас.%;

b=β21, a=tgϑ2/tgϑ1;

- коэффициент стойкости;

- среднее время работоспособности базовых изделий, мин;

tрРТО - время работоспособности изделия, подвергнутого радиационно-термической обработке, мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройству и способу определения ориентации кристаллографической плоскости относительно поверхности кристалла, а также к аппарату и способу резки монокристалла в режущей машине.

Изобретение относится к области измерения искусственных и естественных вариаций элементного состава в условиях повышенного радиационного фона и (или) повышенной температуры в объектах техногенного и геологического происхождения и может быть использовано для работы в аварийных условиях повышенной радиации, в горячей камере или на заводах для переработки отработанного ядерного горючего, в аппаратах дистанционного управления, например в буровых скважинах или в зондирующих космических модулях.

Изобретение относится к физическим методам анализа химического состава вещества, в частности к рентгенофазовому методу, и может быть использовано в различных отраслях промышленности, при исследовании минерального сырья, горных пород и почв, при определении концентраций минералов, составляющих анализируемое вещество.

Изобретение относится к области исследования материалов радиационными методами. .

Изобретение относится к области рентгеноструктурного анализа. .

Изобретение относится к области рентгеновских дифракционных измерений. .

Изобретение относится к области рентгеновской спектрометрии. .

Изобретение относится к технологии экспресс-анализа качества кремнеземных наполнителей (белых саж), предназначенных для модификации резины при получении шин. .

Изобретение относится к области рентгенодифракционных и рентгенотопографических неразрушающих методов исследования структуры и контроля качества материалов и предназначено для формирования рентгеновского пучка, в частности пучка синхротронного излучения (СИ), с помощью кристаллов-монохроматоров и фокусирующей системы, состоящей из двух зеркал

Изобретение относится к неразрушающим методам исследования или анализа материалов, а именно к области определения дефектов в дисперсных материалах: базальтовых стеклах, волокнах, слоистых материалах, тонких пленках и т.д

Изобретение относится к способам структурных исследований материалов кристаллической структуры в электронной микроскопии: измерение расстояний и углов позволяет расшифровать электронограмму и определить присутствующие кристаллические структуры

Изобретение относится к области рентгенодифракционных и рентгенотопографических неразрушающих методов исследования структуры и контроля качества материалов и предназначено для фокусировки рентгеновских лучей (РЛ), в частности пучка синхротронного излучения (СИ), с помощью кристаллического монохроматора (монохроматоров) и фокусирующего зеркала полного внешнего отражения (ПВО) РЛ

Изобретение относится к низкоразмерной нанотехнологии (область нейтронной физики) и может найти применение при контроле параметров ферромагнитных наноматериалов и приборов в процессе их изготовления, а также для диагностики структуры и динамики пространственно упорядоченных ферромагнитных наносистем на их пригодность в качестве стабильных носителей информации высокой плотности
Наверх