Способ определения концентраций элемента и фазы, включающей данный элемент, в веществе сложного химического состава

Использование: для определения концентрации элемента и фазы, включающей данный элемент, в веществе сложного химического состава. Сущность: заключается в том, что осуществляют облучение пробы анализируемого вещества монохроматическим гамма- или рентгеновским излучением, одновременную регистрацию интенсивностей: когерентно рассеянного определяемой фазой первичного излучения и некогерентно рассеянного этой же пробой первичного излучения и установление концентрации определяемой фазы по отношению указанных интенсивностей, при этом одновременно с регистрацией указанных интенсивностей регистрируют интенсивность характеристического излучения определяемого элемента, а концентрацию определяемого элемента в анализируемой пробе устанавливают по отношению интенсивности характеристического излучения определяемого элемента к интенсивности некогерентно рассеянного этой же пробой излучения. Технический результат: создание высокоточного и высокоэкспрессного способа определения концентраций элемента и фазы, включающей данный элемент, в веществах сложного химического состава.

 

Изобретение относится к физическим методам анализа химического и фазового состава вещества, объединяет два метода - рентгенофлуоресцентный и рентгенофазовый, и может быть использовано в различных отраслях промышленности, при исследовании минерального сырья, горных пород и почв, при определении концентраций минералов, промпродуктов и т.п. Особенно интересен данный метод при моделировании процессов минералообразования, позволяющих оценивать перспективность отложений для накопления и сохранения нефти и газа.

Известен способ определения тяжелых металлов в породах и рудах по характеристическому рентгеновскому излучению этих элементов, возбуждаемых под воздействием гамма-излучения источника, при экспресс-анализах продуктов обогащения и переработки руд в процессе эксплуатации месторождений. Для сокращения количества измерений и упрощения методики их проведения в условиях естественного залегания пород и руд производят одновременное измерение интенсивностей вторичного излучения в двух участках спектра, расположенных по разные стороны от К-края поглощения искомого элемента (SU 171482, МПК H05d, опубликовано 26.05.1965). Содержание искомого элемента находят по величине отношения интенсивностей в двух указанных участках спектра вторичного излучения. С целью одновременного определения нескольких элементов производят одновременное измерение интенсивностей вторичного излучения в участках спектра, расположенных по разные стороны от К-краев поглощения каждого элемента. Недостатком указанного способа является неполная информация об анализируемом веществе, что снижает точность анализа.

Известен способ определения концентрации фазы в веществе сложного химического состава, включающий облучение пробы анализируемого вещества монохроматическим гамма- или рентгеновским излучением, регистрацию интенсивностей когерентно рассеянного определяемой фазой первичного излучения. Способ предусматривает, что одновременно или последовательно с регистрацией указанной интенсивности регистрируют интенсивность некогерентно рассеянного этой же пробой первичного излучения, а затем по отношению указанных интенсивностей устанавливают концентрацию определяемой фазы (RU 2255328, МПК G01N 23/20, опубликовано 27.06.2005). Способ прост в реализации и позволяет снизить влияние химического состава пробы на ошибку измерения, что повышает точность. Однако способ не позволяет получить полную информацию об анализируемом веществе, а именно о концентрации элемента, входящего в определяемую фазу, и не обеспечивает точность получаемых результатов, соответствующих современным требованиям исследований.

В основу изобретения положена техническая задача создания высокоточного и высокоэкспрессного способа определения концентраций элемента и фазы, включающей данный элемент, в веществах сложного химического состава, обеспечивающего возможность существенно расширить информацию об анализируемом веществе.

Указанная задача решается тем, что предложен способ определения концентраций элемента и фазы, включающий данный элемент, в веществе сложного химического состава, характеризующийся тем, что осуществляют облучение пробы анализируемого вещества монохроматическим гамма- или рентгеновским излучением, одновременную регистрацию интенсивностей: когерентно рассеянного определяемой фазой первичного излучения и некогерентно рассеянного этой же пробой первичного излучения и установление концентрации определяемой фазы по отношению указанных интенсивностей, при этом одновременно с регистрацией указанных интенсивностей регистрируют интенсивность характеристического излучения определяемого элемента, а концентрацию определяемого элемента в анализируемой пробе устанавливают по отношению интенсивности характеристического излучения определяемого элемента к интенсивности некогерентно рассеянного этой же пробой излучения.

Предлагаемый способ объединяет два направления: рентгеноспектральный и рентгенофазовый. В рентгеноспектральном анализе определяется концентрация того или иного элемента (например Fe, W или As), в рентгенофазовом анализе определяется концентрация той или иной фазы (например FeO, WO3 или As2SO4). Причем для анализа использовалось совершенно разное оборудование, основанное на разных физических принципах - рентгеновские спектрометры для рентгеноспектрального анализа и рентгеновские дифрактометры для рентгенофазового анализа. Создано новое направление анализа, основанное на интеграции этих разных методов. Отличительной особенностью способа является то, что одновременно дополнительно регистрируют Jj - интенсивность характеристического излучения определяемого элемента, его определяемой фазы и Jp - интенсивность некогерентно рассеянного (по Комптону) излучений, а затем по отношению указанных интенсивностей определяют концентрации элемента и фазы, включающей данный элемент.

Таким образом, концентрацию элемента определяют по отношению интенсивности

Jj характеристического излучения к интенсивности Jp некогерентно рассеянному (по Комптону) излучению, а концентрацию фазы по отношению интенсивности Ji когерентно рассеянного определяемой фазой первичного излучения (дифракционного максимума (рефлекса) определяемой фазы) к интенсивности Jp некогерентно рассеянного этой же пробой (по Комптону) первичного излучения.

Теория метода спектральных отношений подробно изложена в различных работах (например, Мамиконян С.В. Аппаратура и методы флуоресцентного рентгене- радиометрического анализа. - М.: Атомиздат, 1976, с.29) и метод получил широкое распространение. Сущность метода состоит в определении концентрации искомого элемента хi, по отношению интенсивностей аналитических линий характеристического излучения этого элемента и некогерентно рассеянного (по Комптону) этой же пробой первичного излучения, что позволяет учитывать влияние вещественного состава на результаты анализа (матричный эффект). Предлагаемый способ основывается на методе спектральных отношений при рентгенофлуоресцентном анализе и разработанном автором способе определения концентрации фазы при рентгенофазовом анализе.

Теоретические основы метода.

Убыль энергии первичного пучка из-за поглощения в пробе дается выражением

где Jo - интенсивность первичного пучка; J - интенсивность первичного пучка после прохождения слоя вещества толщиной d; µ - линейный коэффициент поглощения, см-1.

Выражение (1) справедливо для строго монохроматического излучения [так как µ=f(λ), где λ - длина волны излучения] и однородного вещества пробы.

В основе всех методов количественного фазового анализа лежит следующее фундаментальное уравнение (Герасимов В.Н. и др. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов. Л.: Недра, 1975, с.100):

где Ji - интенсивность некоторого выбранного рефлекса фазы i;

KI - экспериментальная постоянная, зависящая от энергии первичного пучка, от структуры анализируемой фазы, индексов (hkl) и условий съемки; µi* - массовый коэффициент поглощения фазы i;

хi - содержание фазы i в пробе, %; ρi - плотность фазы i.

Массовый коэффициент поглощения не зависит от агрегатного состояния вещества.

При выводе формулы (2) предполагалось, что дифракция происходит от поверхности плоского образца (съемка на отражение), составленного однородной смесью n компонентов, причем толщина образца бесконечна.

В предлагаемом способе показана возможность применения нового, на первый взгляд несколько неожиданного для количественного рентгенофазового анализа способа, сходного со способом стандарта - фона, широко применяемого в рентгенофлуоресцентном анализе (Косьянов П.М. Учет матричного эффекта при количественном рентгеновском анализе неорганического вещества. Монография. Челябинск. Изд. ЮУрГУ. 2005, с.170).

Дифрактограмма представляет собой пики дифракционных максимумов когерентно рассеянного первичного излучения различными фазами вещества анализируемой пробы, наложенные на сплошную линию фона, представляющего в том числе некогерентно рассеянное веществом анализируемой пробы первичное излучение. Если же использовать энергодисперсионный детектор, например кремний-литиевый, то на данном угле скольжения и рассеивания первичного излучения одновременно можно регистрировать пики когерентно рассеянного излучения определяемой фазы, некогерентно рассеянного по Комптону первичного излучения, и пики характеристического излучения элементов пробы, возбуждаемого первичным излучением.

Сущность данного способа заключается в том, что аналитическим параметром для определения концентрации данной фазы служит отношение Ji - когерентно рассеянного определяемой фазой первичного излучения (интенсивности измеряемого рефлекса фазы i) к интенсивности Jp некогерентно рассеянного анализируемым веществом пробы первичного рентгеновского излучения, а аналитическим параметром для определения концентрации данного элемента служит отношение Jj - интенсивности характеристического излучения определяемого элемента j к интенсивности Jp.

Легко увидеть аналогичность выражений (2) для определения Ji интенсивности измеряемого рефлекса фазы i и выражения для определения интенсивности j линии спектра флуоресценции анализируемого элемента, для монохроматического первичного излучения и бесконечно толстой пробы

где ki - коэффициент пропорциональности, не зависящий от химического состава пробы;

Сa и См - содержание определяемого компонента и элементов наполнителя в пробе (Са+Cм=1);

моа и м - массовые коэффициенты поглощения первичного и характеристического излучения в определяемом компоненте;

мом и м - массовые коэффициенты поглощения первичного и характеристического излучения в наполнителе пробы;

φ и ψ - углы падения к поверхности пробы первичного и отбора характеристического излучений.

Так как при снятии дифрактограммы углы падения и отбора равны, а в роли характеристического излучения выступает когерентно рассеянное первичное монохроматическое излучение, то есть моа и мом, то выражение (3) можно представить как

где Kii/sinφ - коэффициент пропорциональности, зависящий от геометрии съемки, но не зависящий от химического состава пробы.

Полученное выражение полностью коррелирует с выражением (2).

Интенсивность некогерентно рассеянного анализируемой пробой излучения описывается следующим выражением:

где кs - коэффициент пропорциональности, не зависящий от химического состава пробы;

м и м - массовые коэффициенты поглощения рассеянного излучения соответственно в определяемой фазе и наполнителе пробы.

В рассматриваемом случае выражение (5) можно представить как

Как следует из выражений (3), (4) и (2), интенсивность определяемой фазы, так же как и интенсивность флуоресценции, убывает с ростом поглощающей способности анализируемой пробы. Аналогичным образом ведет себя зависимость интенсивности некогерентно рассеянного излучения от поглощающей способности пробы, что следует из выражений (5) и (6).

На основе проведенных исследований сделано заключение, что отношение вышеуказанных интенсивностей практически не зависит от матрицы пробы.

Если в качестве аналитического параметра η взять отношение Ji/Jp, то с учетом того, что массовый коэффициент поглощения первичного излучения не зависит от агрегатного состояния вещества, получим линейную зависимость аналитического параметра от содержания фазы i в пробе

Таким образом, можно утверждать, что предположение о том, что отношение Ji/Jp незначительно зависит от матрицы пробы и может использоваться как аналитический параметр, теоретически обоснованно.

Техническая реализация предлагаемого способа в силу своей простоты легко осуществима на дифрактометрах с энергодисперсионными детекторами, которыми оснащаются современные дифрактометры.

Детектор устанавливается на угол дифракционного максимума измеряемой фазы, одновременно регистрируются интенсивность характеристического излучения определяемого элемента, интенсивность измеряемой фазы и интенсивность некогерентно рассеянного по Комптону излучения, после чего концентрация измеряемого элемента определяется по отношению интенсивностей Jj/Jp, концентрация измеряемой фазы определяется по отношению интенсивностей Jj/Jp, по градуировочному графику, построенному по эталонам с гарантированными концентрациями определяемых элемента и фазы. В данном методе наряду со значительным повышением экспрессности существенно повышается точность определения как за счет устранения матричного эффекта, так и за счет устранения динамических погрешностей, а также за счет повышения информативности анализа.

Способ определения концентраций элемента и фазы, включающей данный элемент, в веществе сложного химического состава, характеризующийся тем, что осуществляют облучение пробы анализируемого вещества монохроматическим гамма- или рентгеновским излучением, одновременную регистрацию интенсивностей: когерентно рассеянного определяемой фазой первичного излучения и некогерентно рассеянного этой же пробой первичного излучения и установление концентрации определяемой фазы по отношению указанных интенсивностей, при этом одновременно с регистрацией указанных интенсивностей регистрируют интенсивность характеристического излучения определяемого элемента, а концентрацию определяемого элемента в анализируемой пробе устанавливают по отношению интенсивности характеристического излучения определяемого элемента к интенсивности некогерентно рассеянного этой же пробой излучения.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к многоканальным кристалл-дифракционным спектрометрам. .

Изобретение относится к элементному анализу с использованием спектрометров рентгенофлуоресцентного анализа с энергетической дисперсией и может найти применение в перерабатывающих отраслях промышленности, геологии и металлургии для количественного определения элементов в различных материалах.

Изобретение относится к оптике. .

Изобретение относится к области аналитической химии, в частности к способам определения химического состава сварных швов. .

Изобретение относится к рентгенофлуоресцентному анализу жидких проб и может быть использовано при анализе медикобиологических препаратов, промышленных и сточных вод и др.

Изобретение относится к рентгенофлуоресцентному анализу (РФА) жидких проб и может быть использовано при анализе медикобиологических препаратов, промышленных и сточных вод, и др.

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано для изготовления емкостей сжиженных газов, низкотемпературного и криогенного оборудования, установок для получения сжиженных газов, оболочек ракет и емкостей для хранения ракетного топлива из стали 01Х18Н9Т.

Изобретение относится к низкоразмерной нанотехнологии (область нейтронной физики) и может найти применение при контроле параметров ферромагнитных наноматериалов и приборов в процессе их изготовления, а также для диагностики структуры и динамики пространственно упорядоченных ферромагнитных наносистем на их пригодность в качестве стабильных носителей информации высокой плотности.

Изобретение относится к области рентгенодифракционных и рентгенотопографических неразрушающих методов исследования структуры и контроля качества материалов и предназначено для фокусировки рентгеновских лучей (РЛ), в частности пучка синхротронного излучения (СИ), с помощью кристаллического монохроматора (монохроматоров) и фокусирующего зеркала полного внешнего отражения (ПВО) РЛ.

Изобретение относится к способам структурных исследований материалов кристаллической структуры в электронной микроскопии: измерение расстояний и углов позволяет расшифровать электронограмму и определить присутствующие кристаллические структуры.

Изобретение относится к неразрушающим методам исследования или анализа материалов, а именно к области определения дефектов в дисперсных материалах: базальтовых стеклах, волокнах, слоистых материалах, тонких пленках и т.д.

Изобретение относится к способу промеров, ориентирования и фиксации минимум одного монокристалла, а также к предназначенному для этого устройству
Наверх