Способ и установка для травления в вакууме при помощи магнетронного распыления металлической полосы

Изобретение относится к травлению в вакууме при помощи магнетронного распыления. Способ заключается в распылении металлической полосы (2), движущейся над, по меньшей мере, одним противоэлектродом (3,3′,7) из проводящего материала в вакуумной камере (1), в которой создают плазму в газе вблизи металлической полосы (2) таким образом, чтобы образовывались радикалы и/или ионы, действующие на эту металлическую полосу (2), при этом над металлической полосой (2) размещают удерживающую магнитную цепь (4). Противоэлектрод (3,3′,7) содержит подвижную поверхность, перемещающуюся путем вращения и/или при поступательном движении относительно металлической полосы (2), при этом указанная поверхность приводится в движение во время травления и непрерывно очищается при помощи устройства (5,5′, 10) очистки, установленного за пределами действия плазмы, перед тем, как снова подвергнуться воздействию плазмы. Технический результат - повышение качества и эффективности травления при непрерывном процессе. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

 

Настоящее изобретение касается способа и установки для травления металлической полосы, например, такой как стальная полоса, в вакууме при помощи магнетронного распыления.

Во время операции вакуумного нанесения покрытия на стальную полосу одним из ключевых факторов успешной операции является степень чистоты полосы перед нанесением покрытия, так как она определяет хорошее сцепление покрытия с покрываемой поверхностью. Для этого одним из используемых процессов является травление в вакууме при помощи магнетронного распыления, называемое также «etching». Этот способ состоит в создании плазмы между полосой и противоэлектродом в газе, позволяющем генерировать радикалы и/или ионы. В нормальных условиях работы эти ионы ускоряются в направлении поверхности обрабатываемой полосы и отрывают поверхностные атомы, очищая, таким образом, загрязненную поверхность одновременно с ее активацией.

Очищаемая полоса перемещается в вакуумной камере напротив противоэлектрода. Последний поляризуется положительно по отношению к металлической полосе, которую предпочтительно подсоединяют к массе. Набор магнитов, располагаемых за полосой, удерживает создаваемую плазму в ограниченном пространстве рядом с полосой. Для сверхточного позиционирования обрабатываемой металлической полосы по отношению к противоэлектроду, необходимого для осуществления магнетронного распыления, как правило, металлическую полосу располагают на опорном валке, который может приводиться во вращение вокруг своей оси. Вместе с тем наличие такого валка не является необходимым, когда обрабатывают металлические полосы в виде жестких пластин.

Однако во время применения этой технологии для очистки металлической полосы, такой как непрерывно движущаяся стальная полоса, возникает проблема загрязнения противоэлектрода. Во время процесса травления частицы, отрывающиеся от поверхности полосы, осаждаются на находящихся друг против друга частях, то есть на противоэлектроде, и со временем покрывают его черной пленкой с низким сцеплением. В конечном счете пленка начинается растрескиваться и шелушиться, образуя порошкообразную стружку, что приводит к возникновению дуговых разрядов. Образование дуг может привести:

- с одной стороны, к повреждению поверхности стальной полосы в месте, где возникла дуга,

- с другой стороны, к дефекту травления на небольшой площади движущейся полосы по причине краткосрочной (примерно 100 мкс) остановки питания током от генератора во время обнаружения дуги.

Наконец, если такой осадок является диэлектрическим, он может изолировать электрод и помешать работе плазмы.

Таким образом, необходимо поддерживать чистоту противоэлектрода во время процесса травления.

Известен документ ЕР-А-0 908 535, в котором описан способ травления поверхности металлической полосы, загрязненной тонким слоем оксида. Противоэлектроды, участвующие в процессе, применяются парами, соединенными с генератором переменного тока. Они имеют плоскую или закругленную форму и позволяют избегать образования дуг в течение некоторого времени. В конце определенного периода использования эти электроды загрязняются, что вынуждает прерывать процесс для их очистки или снижать интенсивность травления, что в любом случае приводит к снижению производительности и/или качества.

Задачей настоящего изобретения является устранение недостатков известных способов при помощи способа и установки для травления поверхности движущейся металлической полосы путем вакуумного магнетронного распыления, которые позволяют повысить качество и эффективность травления, избегая при этом повреждения металлической полосы и любых дефектов травления, связанных с образованием электрических дуг, и не прерывая при этом процесса.

В этой связи первым объектом настоящего изобретения является способ травления в вакууме при помощи магнетронного распыления металлической полосы, движущейся над, по меньшей мере, одним противоэлектродом из проводящего материала в вакуумной камере, в котором создают плазму в газе вблизи указанной металлической полосы таким образом, чтобы образовывались радикалы и/или ионы, действующие на эту металлическую полосу, при этом над металлической полосой размещают магнитную цепь, и в котором противоэлектрод содержит подвижную поверхность, перемещающуюся путем вращения и/или поступательного движения относительно металлической полосы, при этом поверхность приводится в движение во время травления и непрерывно очищается при помощи устройства очистки, установленного за пределами действия плазмы, прежде чем снова подвергнуться воздействию плазмы.

Способ в соответствии с настоящим изобретением дополнительно может содержать следующие признаки, взятые отдельно или в комбинации:

- устройство очистки является устройством очистки с локальным механическим воздействием;

- устройство очистки выполнено в виде жесткого скребка, входящего в контакт с подвижной поверхностью противоэлектрода;

- вещества, удаляемые с подвижной поверхности противоэлектрода с помощью устройства очистки, собираются при помощи сборного устройства, установленного в нижней части указанной вакуумной камеры;

- противоэлектрод имеет положительный потенциал по отношению к металлической полосе, при этом металлическая полоса может быть соединена на массу или нет;

- к противоэлектроду прикладывается переменный потенциал, при этом металлическая полоса может быть соединена на массу или нет;

- вакуумная камера оборудована противоэлектродом, содержащим, по меньшей мере, два вращающихся цилиндра и ремень, натянутый на цилиндрах;

- противоэлектрод или противоэлектроды подвергают охлаждению.

Вторым объектом настоящего изобретения является установка для травления металлической полосы путем магнетронного распыления, содержащая вакуумную камеру, внутри которой находится, по меньшей мере, один противоэлектрод, средства поляризации металлической полосы, средства поляризации электрода, средства, обеспечивающие создание плазмы в газе между металлической полосой и противоэлектродом, при этом помещают, по меньшей мере, одну удерживающую магнитную цепь над металлической полосой и противоэлектродом, содержащим подвижную поверхность, перемещающуюся путем вращения и/или поступательного движения относительно металлической полосы, а также устройство очистки подвижной поверхности, установленное за пределами действия плазмы.

Установка в соответствии с настоящим изобретением дополнительно может содержать следующие признаки, взятые отдельно или в комбинации:

- устройство очистки является устройством очистки с локальным механическим воздействием;

- устройство очистки выполнено в виде жесткого скребка, входящего в контакт с подвижной поверхностью противоэлектрода;

- вакуумная камера дополнительно содержит устройство сбора веществ, удаленных с подвижной поверхности противоэлектрода под действием устройства очистки, при этом сборное устройство установлено в нижней части указанной вакуумной камеры;

- противоэлектрод поляризуется положительно по отношению к металлической полосе, при этом металлическая полоса может быть соединена на массу или нет;

- к противоэлектроду прикладывается переменный потенциал, при этом металлическая полоса может быть соединена на массу или нет;

- вакуумная камера оборудована противоэлектродом, содержащим, по меньшей мере, два вращающихся цилиндра и ремень, натянутый на цилиндрах;

- противоэлектрод оборудован средствами охлаждения.

Далее следует более подробное описание изобретения со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых:

фиг.1 - схематичный вид в разрезе варианта выполнения установки в соответствии с настоящим изобретением;

фиг.2 - схематичный вид в разрезе второго варианта выполнения установки в соответствии с настоящим изобретением;

фиг.3 - схематичный вид в разрезе третьего варианта выполнения установки в соответствии с настоящим изобретением.

На фиг.1 показана вакуумная камера 1, внутри которой перемещается металлическая полоса 2, такая как стальная полоса. В нижней части этой вакуумной камеры 1 находятся два противоэлектрода 3 и 3′ цилиндрической формы, которые могут приводиться во вращение вокруг своих осей. Противоэлектроды 3, 3′ должны быть выполнены из проводящего материала. Хотя для этого можно использовать ферромагнитный материал, тем не менее рекомендуется использовать неферромагнитный материал, чтобы не мешать магнитному удерживанию плазмы.

Противоэлектроды 3,3′ подвергаются нагреву, поэтому в некоторых случаях их необходимо охлаждать. Они приводятся во вращение, например, механически за счет движения металлической полосы 2. Противоэлектроды 3,3′ могут также приводиться в движение электрическим приводом, помещенным в вакуум, пневматическим приводом, гидравлическим приводом или каналом, вращающимся в вакууме.

Металлическая полоса 2 соединена с массой, тогда как противоэлектроды 3,3′ имеют положительный потенциал.

Над этой полосой 2 находится магнитная цепь 4, выполненная в виде магнитов, которые позволяют удерживать плазму вблизи металлической полосы 2.

Каждый противоэлектрод 3,3′ оборудован скребком 5,5′, установленным за пределами плазмы, воздействующей на металлическую полосу 2. Крепление скребков 5,5′ должно быть особенно тщательным, чтобы избежать короткого замыкания между противоэлектродами 3,3′ и другими монтажными деталями, причем даже после металлизации внутренних поверхностей удаленными с ленты проводящими частицами. Вокруг изоляторов можно выполнить противометаллизационные отражатели. Эти отражатели выполняют между стенкой камеры 1 и скребками 5,5′ с целью их изоляции друг от друга. Таким образом, избегают металлизации креплений скребков 5,5′ и тем самым - коротких замыканий.

Скребки 5,5′ можно выполнять из любого материала, лишь бы он не был проводящим. В частности, их можно выполнять из керамики или стекла.

Следует также предусмотреть меры, для того чтобы скребки 5,5′ не отбрасывали стружку в сторону металлической полосы 2 даже после отражения.

Вакуумная камера 1 содержит также бак 6 для сбора веществ, удаленных скребками 5,5′.

Когда металлическую полосу 2 обрабатывают травлением в вакуумной камере 1, противоэлектроды 3,3′ вращают относительно медленно таким образом, чтобы они постоянно очищались скребками 5,5′. Вещества, удаляемые этими средствами, падают в бак 6, который регулярно опорожняют.

На фиг.2 показан второй вариант выполнения изобретения, в котором на противоэлектроды 3,3′ подают переменный потенциал, при этом металлическая полоса 2 может быть соединена на массу или нет.

Система может содержать один или несколько противоэлектродов. Как частично показано на фиг.3, противоэлектрод 7 может также содержать ремень 8, натянутый между двумя цилиндрами 9,9′ и приводимый в движение по принципу «конвейерной ленты». Скребок 10, установленный за пределами действия плазмы, позволяет очищать ремень, когда он перемещается в вакуумной камере 1.

Пример выполнения

Показателем эффективности системы травления может быть максимальная мощность, которая может быть подана на установку травления без образования дуг.

В связи с этим было проведено испытание, в котором эту максимальную мощность измерили для классической камеры травления и для камеры травления, показанной на фиг.1.

Таким образом, было установлено, что максимальная и устойчивая во времени мощность для установки травления в соответствии с настоящим изобретением в два раза превышает мощность для обычной установки, содержащей плоский и неподвижный противоэлектрод.

Поскольку скорость эрозии при магнетронном травлении металлической полосы связана с подаваемой мощностью, использование противоэлектродов в соответствии с настоящим изобретением позволяет удвоить эффективность травления.

Описанная выше система противоэлектродов остается чистой в течение длительного времени и позволяет избежать образования дуг из-за частиц, отрывающихся при травлении поверхности металлической полосы, и устранить проблему «исчезающего анода».

1. Способ травления в вакууме при помощи магнетронного распыления металлической полосы (2), движущейся над, по меньшей мере, одним противоэлектродом (3,3′,7) из проводящего материала в вакуумной камере (1), в которой создают плазму в газе вблизи указанной металлической полосы (2) таким образом, чтобы образовывались радикалы и/или ионы, воздействующие на металлическую полосу (2), при этом над металлической полосой (2) размещают удерживающую магнитную цепь (4), отличающийся тем, что противоэлектрод (3,3′,7) содержит подвижную поверхность, перемещающуюся при вращении и/или при поступательном движении относительно указанной металлической полосы (2), при этом указанную поверхность приводят в движение во время травления и непрерывно очищают перед тем, как она снова попадет под воздействие плазмы, при помощи устройства (5,5',10) очистки, установленного за пределами действия плазмы.

2. Способ травления по п.1, в котором устройство (5,5',10) очистки является устройством очистки с локальным механическим воздействием.

3. Способ травления по п.2, в котором устройство (5,5′,10) очистки выполнено в виде жесткого скребка, входящего в контакт с подвижной поверхностью противоэлектрода (3,3′,7).

4. Способ травления по любому из пп.1-3, в котором вещества, удаляемые с подвижной поверхности противоэлектрода (3,3′,7) с помощью устройства (5,5/10) очистки, собирают при помощи сборного устройства (6), установленного в нижней части вакуумной камеры (1).

5. Способ травления по любому из пп.1-3, в котором противоэлектрод (3,3′,7) имеет положительный потенциал по отношению к металлической полосе (2), при этом металлическая полоса (2) соединена или не соединена на массу.

6. Способ травления по любому из пп.1-3, в котором к противоэлектроду (3,3′,7) прикладывают переменный потенциал, при этом металлическая полоса (2) соединена или не соединена на массу.

7. Способ по любому из пп.1-3, в котором вакуумная камера (1) оборудована противоэлектродом (7), содержащим, по меньшей мере, два вращающихся цилиндра (9,9′) и ремень (8), натянутый на указанных цилиндрах (9,9′).

8. Способ по любому из пп.1-3, в котором противоэлектрод (3,3′,7) охлаждают.

9. Способ по п.1, в котором металлическая полоса является стальной полосой.

10. Установка для травления металлической полосы (2) путем магнетронного распыления, содержащая вакуумную камеру (1), внутри которой размещен, по меньшей мере, один противоэлектрод (3,3′,7), средство поляризации металлической полосы, средство поляризации противоэлектрода (3,3′,7), средство, обеспечивающее создание плазмы в газе между металлической полосой (2) и противоэлектродом (3,3′,7), при этом, по меньшей мере, одна удерживающая магнитная цепь (4) помещена над указанной металлической полосой (2) и противоэлектродом (3,3′,7), содержащим подвижную поверхность, перемещающуюся при вращении и/или при поступательном движении относительно металлической полосы (2), а также устройство (5,5′, 10) очистки подвижной поверхности, установленное за пределами действия плазмы.

11. Установка травления по п.10, в которой устройство (5,5′, 10) очистки является устройством очистки с локальным механическим воздействием.

12. Установка травления по п.11, в которой устройство (5,5′, 10) очистки выполнено в виде жесткого скребка, входящего в контакт с подвижной поверхностью противоэлектрода (3,3′,7).

13. Установка травления по любому из пп.10-12, в которой вакуумная камера (1) дополнительно содержит устройство (6) сбора веществ, удаленных с подвижной поверхности противоэлектрода (3,3′,7) с помощью устройства (5,5′, 10) очистки, при этом сборное устройство (6) установлено в нижней части вакуумной камеры (1).

14. Установка травления по любому из пп.10-12, в которой противоэлектрод (3,3′,7) имеет положительный потенциал по отношению к металлической полосе (2), при этом металлическая полоса (2) может быть соединена или не соединена на массу.

15. Установка травления по любому из пп.10-12, в которой к противоэлектроду (3,3′,7) приложен переменный потенциал, при этом металлическая полоса (2) соединена или не соединена на массу.

16. Установка по любому из пп.10-12, в которой вакуумная камера (1) оборудована противоэлектродом (7), содержащим, по меньшей мере, два вращающихся цилиндра (9,9′) и ремень (8), натянутый на указанных цилиндрах (9,9′).

17. Установка по любому из пп.10-12, в которой противоэлектрод (3,3′,7) оборудован средствами охлаждения.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу травления магнетронным распылением в вакуумной камере (2) металлической полосы (4), движущейся на опорном валке (3) напротив противоэлектрода (5).

Изобретение относится к источнику фильтрованной плазмы вакуумной дуги (варианты) и способу создания фильтрованной плазмы. .

Изобретение относится к области металлургии, в частности к распылительному катоду для процессов нанесения покрытий в вакуумной камере, и может найти применение в машиностроении при изготовлении изделий с нанесенным покрытием.

Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок металлов и их соединений на поверхность твердых тел.

Изобретение относится к ускорительной технике. .

Изобретение относится к способу и устройству ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий

Изобретение относится к области нанесения тонких пленок в вакууме и может быть использовано, например, в микроэлектронике. Устройство содержит вакуумную камеру и магнитную систему. В вакуумной камере расположен анод, выполненный в виде полого прямоугольного параллелепипеда, в отверстиях оснований которого расположены мишень и подложкодержатель. Возле открытых торцов расположены напротив друг друга два спиральных термокатода, имеющие полукруглые отражатели, закрывающие торцы. Параллельно мишени и подложке установлены магнитоуправляемые заслонки. Магнитная система выполнена в виде двух соленоидов, связанных магнитопроводом и установленных возле отражателей снаружи камеры. Длина термокатода l, расстояние между мишенью и подложкодержателем h, расстояние между катодами L и диаметр мишени d выбраны из соотношений: 0,13L≤h≤0,3L; 0,45L≤d; l=1,14d. Изобретение позволяет увеличить равномерность распределения плотности ионного тока по поверхности мишени и потока наносимого материала, что приводит к повышению качества пленок при увеличении производительности и экономичности устройства. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к способу и устройству для нанесения на подложку сплава, состоящего из одного первого и одного второго материала в качестве компонентов сплава с переменным их соотношением и к мишени для нанесения на подложку сплава. Мишень изготавливают посредством катодного распыления и содержит по меньшей мере один первый и один второй материал в качестве компонентов сплава. Поверхность мишени имеет по меньшей мере один участок из первого материала и второй участок из второго материала. Оба участка примыкают друг к другу и образуют общую разделительную линию. Изменение соотношения компонентов сплава осуществляют путем смещения участка эрозии поперек разделительной линии и/или регулирования угла между разделительной линией и/или регулирования угла между поверхностью магнитной системы и обращенной к подложке поверхностью мишени. В результате достигается получение тонкого слоя однородного сплава с переменным составом в регулируемых и контролируемых пределах. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к совместному распылению сплавов и соединений и к установке для упомянутого распыления и может быть использовано для получения пленок с требуемыми свойствами. Способ изготовления покрытого пленкой изделия включает обеспечение первой и второй вращающихся цилиндрических распыляемых мишеней, причем первая распыляемая мишень содержит первый распыляемый материал, а вторая распыляемая мишень содержит второй распыляемый материал, и распыление упомянутых мишеней. По меньшей мере, один магнитный стержень второй распыляемой мишени ориентируют так, чтобы при распылении второй мишени второй распыляемый материал из второй мишени распылялся на первую мишень, а при распылении первой мишени первый распыляемый материал первой мишени и второй распыляемый материал, который был распылен на первую мишень из второй мишени, напылялся на подложку с образованием пленки. Зона плазменной эрозии первой мишени ориентирована в первом направлении, перпендикулярном подложке, а зона плазменной эрозии второй мишени ориентирована во втором направлении к первой мишени под углом 70-170 градусов относительно первого направления. Для первой мишени предусмотрена первая напряженность магнитного поля, а для второй мишени - вторая напряженность магнитного поля, которая более сильная, чем первая напряженность магнитного поля. Обеспечивается получение напыленных слоев, имеющих лучшую и/или более однородную смесь различных компонентов. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к установке для нанесения покрытий на поверхности деталей. Внутри корпуса вакуумной камеры установлен, по меньшей мере, один источник распыляемого материала, выполненный в виде N магнетронов, где N - целое число и N>1, и ионный источник. Внутри корпуса камеры расположена защитная капсула, а в центре камеры установлен высоковольтный источник напряжения смещения и низковольтный источник напряжения смещения. Карусель и держатель детали расположены внутри верхней части защитной капсулы. Детали расположены внутри нижней части защитной капсулы. Магнетроны и ионный источник установлены по периметру защитной капсулы. Верхняя часть защитной капсулы выполнена с верхним глухим торцом и закреплена на валу, выполненном полым, который установлен в верхней части корпуса камеры и жестко соединен с валом карусели в электрически изолированном узле верхней части защитной капсулы. Нижняя часть защитной капсулы выполнена с нижним глухим торцом и закреплена на валу, который установлен в нижней части корпуса вакуумной камеры и соединен муфтой с приводом возвратно-поступательного движения. Оси вращения верхней и нижней частей защитной капсулы, вала верхней части защитной капсулы, вала нижней части защитной капсулы, штанги, электрически изолированного узла, электрически изолированного стыковочного узла совпадают с осью вращения карусели. С внешней стороны корпуса вакуумной камеры, содержащего систему напуска газа, расположен многопозиционный электрический переключатель, выполненный с возможностью переключения высоковольтного и низковольтного источников напряжения смещения с вала карусели на вал верхней части защитной капсулы и вал нижней части защитной капсулы. Изобретение позволяет повысить качество покрытий за счет защиты поверхности деталей от привносимых дефектов. 1 ил.

Изобретение относится к области нанесения покрытий, к способу обеспечения импульсов мощности с линейно изменяемым интервалом импульсов мощности для распылительных катодов PVD, которые разделены на частичные катоды, при этом действующие на частичных катодах интервалы импульсов мощности выбраны таким образом, что они перекрываются. Технический результат - непрерывность отбора мощности от поставляющего мощность генератора. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к источникам металлической плазмы (варианты) и может быть использовано для нанесения защитных, упрочняющих и декоративных покрытий методом катодного распыления на внутренние поверхности изделий, в частности на внутренние поверхности тел вращения, как открытых, так и закрытых с одной стороны. Источник металлической плазмы (ИМП) содержит установленные в вакуумной камере охлаждаемый катод из испаряемого металла, анод в виде вертикальных пластин и источник питания, соединенный токоподводами с анодом и катодом. ИМП имеет экраны и датчики ионного тока, соединенные с источником питания. Катод по одному из вариантов имеет перевернутую U-образную форму. Экраны выполнены в виде пластин, расположенных вдоль всей нерабочей поверхности катода. Две параллельные пластины выполнены повторяющими форму катода и соединены пластиной, расположенной во внутренней полости катода, каждое основание которого соединено с токоподводом. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Способ включает формирование в известной магнетронной распылительной системе планарного типа магнитного поля, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и его осаждение на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры. Между магнетронным источником и полупроводниковой гетероэпитаксиальной структурой расположена магнитная система, отклоняющая проходящие через нее высокоэнергичные заряженные частицы плазмы газового разряда. Магнитная система, отклоняющая проходящие через нее высокоэнергичные заряженные частицы плазмы газового разряда, может быть выполнена в виде прямоугольного корпуса из стали с закрепленными в нем с двух противоположных сторон магнитов таким образом, чтобы созданное ими магнитное поле во внутренней части системы было направлено ортогонально движению осаждаемых на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры атомов. Достигается отклонение магнитной системой в процессе напыления высокоэнергетичных заряженных частиц от поверхности полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры для предотвращения ее бомбардировки и, соответственно, образование в ней радиационных дефектов. 1 ил.

Изобретение относится к способу ионно-плазменного напыления покрытий на изделия в вакууме и устройству для его осуществления и может найти применение в металлургии, плазмохимии и машиностроительной промышленности. Изделия размещают внутри плазменного устройства, содержащего мишень из распыляемого материала. Осуществляют наложение сконфигурированного электрического и магнитного полей в условиях тлеющего плазменного разряда, сжатие плазменного потока и его локальную фокусировку в центре вершины мишени с образованием на ее поверхности локального плазменного пятна в пределах 1 мм2. Устройство включает размещаемую внутри вакуумной камеры и заполняемую в процессе работы плазмообразующим газом плазменную ячейку. Ячейка образована между двумя параллельно расположенными пластинами и содержит расположенные соосно катод, мишень из распыляемого материала, анод и фокусирующие электроды. Катод выполнен в виде стержневого держателя мишени. Напыляемые изделия закреплены в одном из фокусирующих электродов. Катод с мишенью установлен внутри полого цилиндрического магнита, имеющего осевую намагниченность. В результате получают покрытия высокого качества при снижении потребляемой мощности устройства. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к магнетронным распылительным системам, и может быть использовано для нанесения покрытий методом магнетронного распыления металлической мишени в вакууме. Устройство содержит в корпусе-аноде (1) катодный узел, включающий в себя плоскую мишень-катод (2). В катодном узле за плоскостью мишени-катода (2), которая электрически соединена с электродом (3), расположена система магнитов (4) с магнитопроводом (5). Инжектор электронов (6) размещен в катодном узле. Через отверстие в мишени-катоде (2) электроны инжектируются в прикатодный слой магнетронного разряда. В результате получают значительную дополнительную энергию, соответствующую катодному падению потенциала, и производят эффективную ионизацию рабочего газа вблизи поверхности распыляемой мишени в условиях пониженного давления, когда самостоятельная форма горения магнетронного разряда затруднительна или даже невозможна. Техническим результатом данного изобретения является снижение давления рабочего газа в пространстве дрейфа потока распыленных атомов между мишенью и подложкой. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к травлению в вакууме при помощи магнетронного распыления

Наверх