Способ химико-гальванического меднения диэлектриков

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

240061

Союз Соввтскиз

Социалистическиз

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 08.1.1968 (№ 1208066/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Кл. 21а, 75

48а, 5/02

48Ь, 3/00

МПК Н 051<

С 23Ь

С 23с

УДК 542 974(088 8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 21.III.1969. Бюллетень ¹ 12

Дата опубликования описания 5ХП1.1969

4 -Х INT.

Авторы изобретения В. А. Ильин, В. А. Калмыкова, Л. В. Иванова и М. Б. Ягудина

Заявитель

СПОСОБ ХИМИКО-ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО МЕДНЕНИЯ

ДИЭЛЕКТРИКОВ

Известные способы меднения диэлектрика при изготовлении многослойных печатных плат с предварительным обезжириванием сенсибилизацией и активацией поверхностей диэлектрика в растворах, содержащих соли благородных металлов, например хлористый палла„vtt, не обеспечивают надежного сцепления как диэлектрика, так и медных контактных площадок с гальвапо-химическим покрытием, наносимым на активированную поверхность.

Предлагаемый способ отличается от известього тем, что для повышения адгезии гальвано-химического покрытия к диэлектрическому основанию и контактным площадкам многослойных плат диэлектрические заготовки noc"t. обезжиривания обрабатывают в растворе, содержащем 450 мл серной кислоты, 150 лгл фосфорной кислоты, 250 мл дистиллированной воды и 20 г двухромовокислого калия, а активацию поверхности диэлектрика проводят в растворе комплексной соли палладия, содержащем 3 — 5 г/л хлористого палладия, 300—

400 мл/л водного аммиака и 10 — 15 а/ г трилсна Б.

Операции способа осуществляют в следующем порядке. Заготовку платы из диэлектрика марки ФДМ обезжиривают обычным методом, затем обраба гывают в течение 0,5 — 1 .чин при температуре б0 — 70" С в растворе, содержащем 450 лг г серной кислоты, 150 лгл. фосфорной кислоты, 20 лл дистиллированной воды и 20 г двухромовокислого калия.

После этого заготовку обрабатывают в растворе хлористого олова для сенсибилизации поверхности, а затем в предлагаемом растворе активации методом погружения платы на

"-» — 5 яггн. После каждой операции заготовку промывают. Меднение осуществляют в одном из известных растворов.

Предмет изобретения

Способ химико-гальванического меднения диэлектриков при изготовлении многослойных печатных плат с предварительным обезжири15 в-.íèåì, сенсибилизацпей и активацией поверхности диэлектрика в растворах, содержащих соли благородных металлов, например хлорис. тый палладий, от гпчающгшся тем, что, с целью повышения адгезпн гальвано-химического по20 крытия к диэлектрическому основанию и кон t актным площадкам многослойных плат, диэлектрические заготовки после обезжиривания обр а батывают в растворе, содержащем 450 лг;г серной кислоты, 150 .и.г фосфорной кислоты, 250 лл дистиллированной воды и 20 г двухромсвокислого калия, а активацию поверхности диэлектрика tiItotto tti t3 pacTBope oitti.te cttoÉ соли палладия, содержащем 3 — 5 г, .г хлористого палладия, 10 — 15 г/-г трилона Б ii 300—

30 400 пг,г/.г водного аммиака.

Способ химико-гальванического меднения диэлектриков 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию

Изобретение относится к электролитическим способам изготовления печатных схем и заключается в избирательном электрохимическом травлении фольгированного диэлектрика при его движении относительно линейного секционного электрод-инструмента
Изобретение относится к радиоприборостроению и может найти применение при изготовлении печатных плат с элементами проводящего рисунка схемы, работающими на размыкание - замыкание и располагаемыми в любом месте поля платы (тастатура номеронабирателя, контакты плоские, разъемы)
Изобретение относится к способу изготовления многослойной платы с печатным монтажом

Изобретение относится к способу изготовления композиционного многослойного материала, предпочтительно материала с перекрестной ориентацией армирующих волокон, в соответствии с которым параллельно расположенные волокна покрываются матричным веществом и вместе с предварительно сформированными нетекучими композициями параллельно расположенных волокон или перекрещивающимися системами параллельно расположенных волокон пропускаются через зону дублирования, причем ориентация волокон в соединяемых слоях имеет по крайней мере два направления

Изобретение относится к созданию трехмерной электронной аппаратуры
Наверх