Тонкопленочный полевой триод
!
О и-МИГСА Я И И
ИЗОБРЕТЕМ ЙЯ
Союз Советских
COljH3RHCTM×ÅÑÊИХ
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Кл. 21g, 11/02
Заявлено 25.1V.1967 (№ 1153098/26-25) с присоедцнеш1ем заявки №
МПК H 011
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Приоритет
УДК 621.382.322 (088.8) Опубликовано 12 Õ1IË969. Бюллетень Хо 2 за 1970
Дата опубликования опнса;шя 24.1\ .1970
Автор изобретения
Л. t.. Гасанов
Заявитель
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРИОД
Изобретение относится к активным приборам тонкопленочной микроэлектроники, которые использу1отся для усилеш1я, преобразования и генгрирова .1ия электрических сигналов.
Известен тонкопленочный полевой транзистор, выполненный в виде тонкопленочной структуры металл — изолятор — полупроводник, причем в качестве полупроводника используют широкозонный полупроводник и-типа. B таком транзисторе ток «стока» растет с увеличением положительного напряжения
IIa «затворе» (относительно «истока») и падает с уменьшением этого напряжения:. при отрицательном напряхкении !Ia затворе.
Осуществить инверсию проводимости приложением отрицательного напряжения к «затвору» практически невозможно, так как для этого необходимы электрические поля, превосходящие электрическую прочность изолятора.
Целью изобретения является создание тонкопленочного полевого триода с ичверсной проводимостью на широкозонном полупроводнике при малых внешних электрических полях. Это достигастся тем, что тонкопленочный полевой триод выполнен в виде симметричной тонкопленочной структуры металл — изолятор — полупроводник — изолятор — металл, в которой толщина пленки полупроводника нс превосходит несобственную дебаевскую длину экраштрования. акая конструкция обладает
U-образ110й Во.!0ãàìïåðíîé характср11стикой с м11нимумом тока на llзгп бах зон полупровод
Нгбо ьц1ис тельные и отрицательные смгщ."ния на «затворе» позволяют использовать прибор соответстве1но в режи,lax «электро1тной» и дырочной» проводимости.
На фцг. 1 изображен предлагаемый тонко10 пленочный триод, разрез; на фиг. 2 — зависиAIocTb индуцирова иной поверхностной IlpoBQдимости от внешнего элгктрцческого поля.
Предложен.ibl! I триод состоит из полупроводниковой пле11ки 1, слоев 2 изолятора, ме1б талл11ческих электродов «затворов» 8, элеккоцтактов 4 и 0 !l IIBO;!IIp ющгй подложки 6.
Для включения тонкоплс 1очного полевого триода закорачивают полез»с электроды 3 ц
20 подсоединянот их через батарею смещения к контактам 4. Контакты 4 и 0 через нагрузочное сопротивление соединяют с источником постоянного напряжен;1я. Подавая сигнал переменчого напряжш ия мсжду «истоком» п
25 «затвором .на на.-.рузочное сопротивлгш1- получают необходимый полезный сигнал.
При толщине пленки полупроводника помепьille несобственной деоаевской длины экранпрованцч поверхностная провоЗО димость триода минимальная при внешних
259283
Предмет изобретения
Фиг. 2
Фиг. 1
Составитель О. Федюкина
Тсхред Т. П. Курилко
Редактор H. С. Коган
Корр.ктор Л. В. Юшина
Заказ 901,15 Тираж 499 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва УК-35, Раушская иаб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 полях, близких к нулю, независимо от степени легпровання полупроводника основными примесями (т. е. при любых л).
При больших i., что имеет место в широкозонных полупроводниках CdS и CdSe, и толщинах полупроьодника, значительно превосходящая длину Дебая L, минимум поверхностной проводимости и, следовательно, инверсия ее достигаются при очень больших внешних электрических полях, которые могут превосходить электрическую прочность изолятора.
Таким образом в предлагаемом тонкопленочном полевом триоде обе ветви вольтамперной характеристики «электронная» и «дырочная») достигаются прп достаточно малых электрических полях для любых значений
Кривыс зависимости относительной поверхно/ Д( стной проводимости (от нормироi fI ванного электрического поля Е, на поверхности пленки полупроводника показаны на фиг. 2.
Кривая 7 соответсгвует . ) 10 и любым толщинам полуп13оводни на d, кривая 8
5 л ) 1 и d = 10-, кривая 9 — >. ) 1 и d= 10 кривая 10 — 1. ехр 2 и (=- 1, кривая
11 — ) = ехр 2 и d = 10, кривая 12 — >. = ехр J и d == 10, кривая И вЂ” л = ехр 10 и d =- 10.
Тонкопленочный полевой триод с несколькими симметрично расположенными относи15 тельно полупроводника затворами, отличаюи1ийся тем, что, с целью получения U -образной вольтамперной характеристики, пленка полупроводника по толщине не превосходит несобственную дебаевскую длину экраниро20 вания.
