Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Авторы патента:

КАМИЯ Тосио (JP)

ХОСОНО Хидео (JP)

НОМУРА Кендзи (JP)

САНО Масафуми (JP)

НАКАГАВА Кацуми (JP)

H01L29/786 - тонкопленочные транзисторы

Владельцы патента RU 2369940:

КЭНОН КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)
ТОКИО ИНСТИТЬЮТ ОФ ТЕКНОЛОДЖИ (JP)

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 10¹²/см³ до 10¹⁸/см³, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой. Техническим результатом изобретения является получение аморфного оксида, который функционирует как полупроводник для использования его в активном слое тонкопленочного транзистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 8 ил.

Текст описания приведен в факсимильном виде.

1. Аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 10¹²/см³ до 10¹⁸/см³, причем упомянутый аморфный оксид содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой.

2. Аморфный оксид по п.1, в котором аморфный оксид выбирают из группы, состоящей из: оксида, содержащего In, Zn и Sn; оксида, содержащего In и Zn; оксида, содержащего In и Sn; и оксида, содержащего In.

3. Аморфный оксид по п.1, содержащий In, Ga и Zn.

4. Аморфный оксид по п.1, в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей.

5. Полевой транзистор, содержащий активный слой из аморфного оксида, содержащего по меньшей мере один микрокристалл и электрод затвора, сформированный таким образом, что он обращен к активному слою через изолятор затвора, причем упомянутый аморфный оксид содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой.

6. Полевой транзистор по п.5, причем транзистор представляет собой транзистор нормально выключенного типа.

Похожие патенты:

Полевой транзистор // 2358355

Полевой нанотранзистор // 2250535

Изобретение относится к наноэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах в качестве быстродействующих усилителей для средств широкополосной цифровой мобильной связи, а также для построения микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров.

Двухфазный прибор с зарядовой связью // 1217208

Всесоюзная пдтекгко-]1хш?'/гка1библиотека // 291626

Тонкопленочный полевой триод // 259283

Полевой транзистор, имеющий канал, содержащий оксидный полупроводниковый материал, включающий в себя индий и цинк // 2371809

Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник

Полевой транзистор // 2390072

Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием // 2399989

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием

Полевой транзистор, использующий оксидную пленку для передачи информации, и способ его изготовления // 2400865

Изобретение относится к микроэлектронике

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием // 2402106

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием

Устройство памяти на тонкопленочной структуре кремния на стекле // 2402107

Изобретение относится к полупроводниковым приборам оптоэлектроники и устройствам памяти

Способ изготовления инвертора и инвертор // 2433504

Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем

Тонкопленочный транзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора // 2471266

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, который содержит конденсатор, включенный между затвором и истоком, а также к сдвиговому регистру, к схеме управления шиной сигналов развертки, дисплейному устройству и способу подстройки тонкопленочного транзистора

Полупроводниковое устройство // 2488191

Изобретение относится к полупроводниковому устройству со схемой защиты от электростатического разряда

Полупроводниковое устройство и способ его изготовления // 2503085

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую пленку, а также контактную площадку, содержащую первый соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина затвора, второй соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина истока и электрод стока, и третий соединительный элемент, сформированный на втором соединительном элементе. Второй соединительный элемент соприкасается с первым соединительным элементом в первом окне, предусматриваемом в первой и второй изолирующих пленках, третий соединительный элемент соприкасается со вторым соединительным элементом во втором окне, предусматриваемом в пассивирующей пленке, а второй соединительный элемент покрывает торцевые поверхности первой изолирующей пленки и второй изолирующей пленки в первом окне, но не покрывает торцевую поверхность пассивирующей пленки во втором окне. В результате этого конусная форма контактного отверстия контактной площадки может контролироваться с высокой точностью. Изобретение обеспечивает уменьшение повреждения маски. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 14 ил.