Полевой триод

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советсиик

Социалистичесииа

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 04,XI1.1968 (№ 1288173/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 10.I I.1970. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания 15Х1.1970

1(л. 21g, 11 02

МП1(H 011

УДК 621.382.33(088.8) Номитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения С. В. Айрапетянц, К. Ф. Комаровских, В. И. Мурыги, В. В. Поспелов и В. И. Стафеев

Заявитель

ПОЛЕВОЙ ТРИОД

Изооретение относится к полупроводниковым приборам, управление которыми осуществляется электрическим полем, и может быть использовано для параллельного электрического ввода информации в вычислительные и управляющие машины.

Известны полевые приборы с р — п-переходом, управляющий электрод в которых отделен от полупроводника слоем диэлектрика.

Однако такие приборы в своей вольтамперной характеристике не имеют участка отрицательного сопротивления.

Цель изобретения — получение S-образной вольтамперной характеристики. Достигается это тем, что р — и-переход в полупроводнике расположен перпендикулярно электроду затвора, а длина базы более двух диффузионных длин неосновных носителей заряда.

На чертеже представлен предлагаемый триод.

Триод содержит полупроводник 1, например германий или кремний, управляющий электрод 2 и изолирующий слой 8, например моноокись или двуокись кремния или нитрид кремния, При подаче постоянного напряжения положительной или отрицательной полярности на электрод 2 в области объемного заряда полупроводника происходит обогащение или обеднение полупроводника носителями, что приводит к новому заполнению примесных центров электронами и дырками. Перераспределение носителей тока по примесным центрам приводит к изменению вольтамперной характеристики и к появлению на ней участка отрицательного сопротивления при других значениях напряжения на p — и-переходе. Это изменение тем больше, чем больше заряд индуцируется в полупроводнике, т. е. чем больше

15 приложенное напряжение. Если напряжение на электроде снять, характеристика прибора возвращается к прежнему виду.

Предмет изобретения

20 Полевой триод, содержащий р — n-переход и изолированный электрод затвора, отличаюи1ийся тем, что, с целью получения S-образной вольтамперной характеристики, р — n-переход расположен перпендикулярно электро25 ду затвора, а длина базы более двух диффузионных длин неосновных носителей заряда.

263750

Составитель О. Федюкина

Редактор Н. Г. Михайлова Техред T. П. Курилко Корректор Б. Л. Афиногенова

Заказ 1396,3 Тираж 500 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и QTI

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4!5

Типография, пр. Сапунова, 2

Полевой триод Полевой триод 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность элементов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания интегральных схем (ИС) большой степени интеграции

Изобретение относится к устройствам и структурам интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектронике, в частности к интегральным нейроподобным структурам нейро-БИС и нейро-ЭВМ

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, в частности к конструкциям мощных кремниевых МДП-транзисторов, предназначенных для усиления и генерирования мощности в ВЧ и СВЧ-диапазоне длин волн

Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления

Изобретение относится к способу изготовления энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки (SZ) с отдельной ячейкой (ТF) с туннельным окном, причем туннельную область (TG) с использованием ячейки (ТF) с туннельным окном в качестве маски выполняют на позднем этапе туннельной имплантации (IТ)

Изобретение относится к полупроводниковой силовой электронике, полупроводниковым приборам - униполярным транзисторам с полевым эффектом, создаваемым изолированным затвором

Изобретение относится к наноэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах в качестве быстродействующих усилителей для средств широкополосной цифровой мобильной связи, а также для построения микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров
Наверх