Патент ссср 266560

 

О П И С А Н И Е 266560

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Соаз Советских

Социалистических

Республик

A

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 57b, 10

Заявлено 27,Х11,1968 (№ 1292719/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17Л11.1970. Бюллетень ¹ 11

Дата опубликования описания ЗЛ 11.1970

МПК G 03

УДК 771.534.54:621.316 .82 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА СУШКИ ПЛЕНОК

ФОТОРЕЗИСТОВ

Изобретение относится к ооласти контроля технологических процессов в производстве полупроводниковых приборов, а именно к способам контроля процесса сушки пл" íîê фоторезиста.

Известен способ контроля сушки пленок фоторезистов по выдерживанию параметров (температуры и времени), получаемых экспериментальным путем.

Однако этот способ не обеспечивает стабильного качества высушенных пленок фоторезистов ввиду разброса их по толщине на

+10, изменения концентрации фоторезиста в процессе нанесения и изменения площади обрабатываемых пластин.

Цель описываемого изобретения — создание способа контроля, позволяющего получить высокое качество пленок фоторезиста независимо от разброса параметров пленки. Это достигается благодаря непрерывному безынерционному контролю процентного содержания фоторезиста в процессе сушки.

Для этого контроль ведут по содержанию паров испаряющегося растворителя в потоке газа путем измерения интенсивности поглощения упомянутыми парами электромагнитных волн в области инфракрасного спектра, соот ветствующей характеристикой полосе поглощения паров даного растворителя.

Регистрация производится в потоке газа-носителя, не имеющего заметных полос поглощения в контролируемой области инфракрасного спектра.

На чертеже показана блок-схе»а устройства.

Камера 1 служит для сушки фоторезистивных пленок. Внутри нее встроен источник нагрева 2, назначение которого — обеспечение необходимой температуры высушиваемых изделий 8. Для регистрации расхода газа-носи10 теля устройство имеет расходомер 4. Камера регистрации 5 выполняет роль объема, в котором производят анализ по измерению содержания паров растворителя при помощи источника б инфракрасного спектра и его приемни15 ка 7. Пунктирной стрелкой указано направление лучей инфракрасного спектра, а сплошной — направление движения газа.

Контроль за процессом сушки, согласно изо20 бретению, осуществляется следующим образом. В камеру помещают пластины с нанесенным слоем фоторезиста. Расход газа, продуваемого равномерно через камеру сушки, определяют расходомером. Пары испаряющего25 ся растворителя в потоке газа направляют в камеру регистрации 5, где при помощи источника инфракрасного спектра и его приемника фиксируют изменение содержания этих паров в газе-носителе. Вместо продувки газа зтожно

30 применить систему с откачкой газа из камеры сушки при помощи вакуумного насоса, под266560

Составитель М. Г. Лепешкина

Редактор Н. Д. Воликова Техред А. А. Камышникова Корректор Л. И. Гаврилова

Заказ 1703)7 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 соединив последний к выходному штуцеру камеры регистрации, Данный способ контроля сушки малоинерционен, позволяет проводить непрерывное наблюдение за процессом и создает предпосылки к автоматизации его управления.

Предмет изобретения

Способ контроля процесса сушки пленок фоторезистов, отличающийся тем, что, с целью пол1"-1ения стабильного качества и повышения процента выхода годных высушенных пленок фоторезистов, контроль ведут по содержанию паров испаряющегося растворигеля

5 в потоке газа-носителя путем измерения интенсивности поглощения упомянутыми парами электромагнитных волн в области инфракрасного спектра, соответствующей характеристической полосе поглощения паров данного раст10 ворителя.

Патент ссср 266560 Патент ссср 266560 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике

Изобретение относится к синтезу и использованию нового бифильнорастворимого фотоинициатора радикальной полимеризации фотополимеризующихся композиций (ФПК) 2,2-бис- (3-сульфоксипропилокси)- фенилэтанона нижеприведенной формулы

Изобретение относится к химико-фотографическим фоторезистивным формным материалам, в частности к фотополимеризующимся композициям (ФПК) для изготовления эластичных печатных форм для флексографической печати в полиграфии

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха
Изобретение относится к технологии формирования на поверхности материалов рельефных элементов и может найти применение, например, в области полиграфии при изготовлении печатных форм (клише) для высокой печати, а также в других областях техники, где необходимо получение рисунка заданной глубины с субмикронным разрешением структур формируемых рельефных элементов в функциональных (обрабатываемых посредством механического воздействия) слоях изделий
Наверх