Способ получения кристаллов рутила
ь.Ф, со;{-;пате1-кно т, "- ч - (О П И С А Н И Е 273I83
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 24ЛЧ.1969 (№ 1326814/23-26) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 15.VI.1970. Бюллетень № 20
Дата опубликования описания 21.IX.1970
Кл. 12п, 23/04
12@, 17/04
МПК С Olg 23/04
В 011 17/04
УДК 546.82-31:548.55 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авто ры изобретения
В. Н. Рожанский и М. А. Голосова
Институт кристаллографии АН СССР
Заявитель
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ РУТИЛА
Изобретение относится к области получения кристаллов рутила.
Известен способ получения кристаллов рутила из раствора TiO> в расплаве буры при повышенной температуре, концентрации TiO, равной 10 — 15 вес., с последующим охлаждением со скоростью 0,5 С/час и более.
Целью изобретения является получение кристаллов со средним диаметром 15 — 20 мк и отношением длины к диаметру более 30. Это достигается тем, что процесс ведут при концентрации TiOz, равной 10 — 20 вес. %, температуре 1000 — 1100 С с последующим охлаждением до температуры 400 — 500 С со скоростью
5 — 10 C/ìèí.
Пример. Исходную шихту, содержащую
10 — 20 вес. % Ti02, остальное — обезвоженная бура (например, 8,3 г TiO> в 32,7 г буры), загружают в платиновый сосуд и нагревают до температуры 1050 — 1000 С, при которой расплав выдерживают 5 — 6 час. Охлаждение расплава ведут со скоростью 5 — 10 С/лтин до температуры 500 С, и далее — на воздухе. Присутствие в шихте примеси А120з способствует росту кристаллов р утил а.
Получают 2,5 — 3 г нитевидных кристаллов длиной 2 — 4 л м и шириной 20 — 25 мк; поверхность кристаллов совершенна.
10 Предмет изобретения
Способ получения кристаллов рутила из раствора TiO> в расплаве буры, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов со
15 средним диаметром 15 — 20 мк и отношением длины к диаметру более 30, процесс ведут при концентрации Ti02, равной 10 — 20 вес. %, температуре 1000 — 1100 С с последующим охлаждением до температуры 400 — 500 С со скоро20 стью 5 — 10 С/мин.
