Многослойная

 

„"„„;„„ „"","„"„ О Il И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое QT BBT. Свп;!стсlhcfBB (22) Заявлено 14.10.68 (21) 1274990 26-25 (51) М. Кл. Н 011 11/10 с присоединением заявки М

Государственныи комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (32) Приоритет—

Оп бликовя!ю 15.07.74. Бюллетень ¹ 26 (53) УДК 621.382,333.34 (088.8) ;(ятя опубликования описания 02.07.75 (72) Лгторы

HBOI3Pe Tel!I!!I

А. H. Думаневич, H. П. Молибог, В. В. Шмелев, В, Е. Челноков и H. И. Якивчик (/ ) 3 IIHBHòñëü (3!) МНОГОСЛОЙНАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ПРИБОРА

Предмет изобрстения

Известна многослойная структура полупроводннкогого прибора, содержащая нс мснсс четырех слоев, черс1уюьцихся по типу проводимости, и выход по крайней мере от одной из базовых областей, к которому примыкает слой эмиттерной области, свободной

0Т омического контакта.

ЦСЛ!э H300PPTCIIHH — СОЗДЯНИС КОПСТР3 К.1!ии, к01 Орая НОЯ ВО. !яс г у 3!с н!>И!и ь врс 3151 я винного роста тока нри включении тиристоря, а слсдог3атсльно, ускорить рост анодного тока и умеllhllJHTI нсрсгрсв включсlIIIOII золы.

Предлагаемая структура отличается тем, что иа свободной от омического контакта части эмиттсра имеется участок с улучшенным отводом тепла, отделенный от площади эмиттсрного электрода и границы выходя эмиттерного перехода на поверхность у«acтками полупроводника с поверхностьо, защищенной диэлектриком.

На чср гсжс прсдс.гавлсна чстырехсл<тйняя структура.

OIIa содержит металлическое п01 11ьlтпе и слой диэлектрика 2.

Такая констр3 кция четы13ехсло!!1!Оп cTpb ктуры допускает повыпгеннм!о частоту вкл!очсний. Это обусловлено тем, что при прохожДСII HH H HO;I II 0! ТОКЯ IICPBO II B"! ЯЛ !ИIО НО 31СТа;1;IIIaI1pol3II1IIIoII части и-эмнттерного слоя последний нагревается и увеличивает câîc электрическое сопротивление. Тогда при последующем импульсе управления в этом 00лсе нагретом месте плотность тока управления оказывается меньшей, чем в остальных, менее нагретых местах периферии и-эмиттерного слоя, и структура включается в другой точке. Таким образом, в работе могут учястB0BBãь примерно большинство участков периферии 11-эмиттерного слоя.

Применение данной конструкции позволяет создать тиристор, который допускает скорость нарастания анодного тока

3.10з я сек при работе в импульсном режиме ня частоте 1000 гц.

15.Чногослойн!!я структура полупроводник!1ного приоора, содержащая нс менее четырех слосв, чередующихся по типу проводимости, и вывод по крайней мере от одной из базовых областей, непосредственно к которому примыкает слой эмиттерной области, свободный от омичсског0 контакта, от.ги тюгц!111с.г

2ь тем, что, с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока при включении структуры, рабочей частоты слс 70вя !1пя и мну,7hc013 тока, я также искл ючснпя искрения и эрозии поверхности нл 274839

Составитель О. Федюкина

Техред T. Курилко

Корректор Н. Стельмах

Редактор T. Пелещук

Заказ 2189 Изд, ¹ 1855 Тираж 760 Подписное

ЦН11ИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР гто делам изобретений н открытий

Москва, Ж-35, Раугнскаи наб., д. 4/5

МОТ, Загорский филиал

3 стинки, на свооодной от омического контакта части эмиттера имеется участок с улучшенным теплоотводом, отделенный от площади эмиттерного электрода и границы выхода эмиттерного перехода на поверхность участками полупроводника с защищенной диэлектриком поверхностью.